I fotodetector PD Array con substrato epitassiale in InGaAs possono essere utilizzati per LiDAR
Le caratteristiche principali del foglio epitassiale laser InGaAs includono
1. Corrispondenza del reticolo: è possibile ottenere una buona corrispondenza del reticolo tra lo strato epitassiale di InGaAs e il substrato di InP o GaAs, riducendo così la densità dei difetti dello strato epitassiale e migliorando le prestazioni del dispositivo.
2. Band gap regolabile: il band gap del materiale InGaAs può essere ottenuto regolando la proporzione dei componenti In e Ga, il che conferisce al foglio epitassiale InGaAs un'ampia gamma di prospettive applicative nei dispositivi optoelettronici.
3. Elevata fotosensibilità: la pellicola epitassiale InGaAs ha un'elevata sensibilità alla luce, che la rende unica nel campo della rilevazione fotoelettrica, della comunicazione ottica e con altri vantaggi.
4. Stabilità alle alte temperature: la struttura epitassiale InGaAs/InP ha un'eccellente stabilità alle alte temperature e può mantenere prestazioni stabili del dispositivo ad alte temperature.
Le principali applicazioni delle compresse epitassiali laser InGaAs includono
1. Dispositivi optoelettronici: le compresse epitassiali InGaAs possono essere utilizzate per produrre fotodiodi, fotodetettori e altri dispositivi optoelettronici, che trovano un'ampia gamma di applicazioni nella comunicazione ottica, nella visione notturna e in altri campi.
2. Laser: i fogli epitassiali InGaAs possono essere utilizzati anche per produrre laser, in particolare laser a lunghezza d'onda lunga, che svolgono un ruolo importante nelle comunicazioni in fibra ottica, nell'elaborazione industriale e in altri campi.
3. Celle solari: il materiale InGaAs ha un'ampia gamma di regolazione del band gap, che può soddisfare i requisiti di band gap richiesti dalle celle fotovoltaiche termiche, quindi il foglio epitassiale InGaAs ha anche un certo potenziale applicativo nel campo delle celle solari.
4. Imaging medico: nelle apparecchiature di imaging medico (come TC, RM, ecc.), per il rilevamento e l'imaging.
5. Rete di sensori: nel monitoraggio ambientale e nel rilevamento dei gas, è possibile monitorare più parametri simultaneamente.
6. Automazione industriale: utilizzato nei sistemi di visione artificiale per monitorare lo stato e la qualità degli oggetti sulla linea di produzione.
In futuro, le proprietà del substrato epitassiale InGaAs continueranno a migliorare, con un incremento dell'efficienza di conversione fotoelettrica e una riduzione dei livelli di rumore. Ciò renderà il substrato epitassiale InGaAs più ampiamente utilizzato nei dispositivi optoelettronici, con prestazioni sempre più eccellenti. Allo stesso tempo, anche il processo di preparazione sarà costantemente ottimizzato per ridurre i costi e migliorare l'efficienza, in modo da soddisfare le esigenze di un mercato più ampio.
In generale, il substrato epitassiale InGaAs occupa una posizione importante nel campo dei materiali semiconduttori grazie alle sue caratteristiche uniche e alle ampie prospettive applicative.
XKH offre la personalizzazione di fogli epitassiali InGaAs con diverse strutture e spessori, coprendo un'ampia gamma di applicazioni per dispositivi optoelettronici, laser e celle solari. I prodotti XKH sono realizzati con apparecchiature MOCVD avanzate per garantire elevate prestazioni e affidabilità. In termini di logistica, XKH dispone di un'ampia gamma di canali di approvvigionamento internazionali, in grado di gestire con flessibilità il numero di ordini e di fornire servizi a valore aggiunto come la raffinazione e la segmentazione. Processi di consegna efficienti garantiscono la puntualità delle consegne e soddisfano i requisiti dei clienti in termini di qualità e tempi di consegna.
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