Gli array di fotorilevatori PD Array del substrato di wafer epitassiale InGaAs possono essere utilizzati per LiDAR

Gli array di fotorilevatori PD Array con substrato wafer epitassiale InGaAs possono essere utilizzati per LiDAR

Breve descrizione:

La pellicola epitassiale InGaAs si riferisce al materiale a film sottile monocristallino di indio gallio arsenico (InGaAs) formato mediante tecnologia di crescita epitassiale su un substrato specifico. I substrati epitassiali comuni di InGaAs sono il fosfuro di indio (InP) e l'arseniuro di gallio (GaAs). Questi materiali di substrato hanno una buona qualità cristallina e stabilità termica, che possono fornire un eccellente substrato per la crescita degli strati epitassiali di InGaAs.
Il PD Array (Photodetector Array) è un array di più fotorilevatori in grado di rilevare più segnali ottici contemporaneamente. Il foglio epitassiale cresciuto da MOCVD viene utilizzato principalmente nei diodi di fotorilevazione, lo strato di assorbimento è composto da U-InGaAs, il drogaggio di fondo è <5E14 e lo Zn diffuso può essere completato dal cliente o da Epihouse. Le compresse epitassiali sono state analizzate mediante misurazioni PL, XRD ed ECV.

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Le caratteristiche principali del foglio epitassiale laser InGaAs includono

1. Corrispondenza del reticolo: è possibile ottenere una buona corrispondenza del reticolo tra lo strato epitassiale di InGaAs e il substrato di InP o GaAs, riducendo così la densità dei difetti dello strato epitassiale e migliorando le prestazioni del dispositivo.
2. Gap gap regolabile: il gap di banda del materiale InGaAs può essere ottenuto regolando la proporzione dei componenti In e Ga, il che fa sì che il foglio epitassiale InGaAs abbia un'ampia gamma di prospettive di applicazione nei dispositivi optoelettronici.
3. Elevata fotosensibilità: la pellicola epitassiale InGaAs ha un'elevata sensibilità alla luce, che la rende nel campo del rilevamento fotoelettrico, della comunicazione ottica e di altri vantaggi unici.
4. Stabilità alle alte temperature: la struttura epitassiale InGaAs/InP ha un'eccellente stabilità alle alte temperature e può mantenere prestazioni stabili del dispositivo alle alte temperature.

Le principali applicazioni delle compresse epitassiali laser InGaAs includono

1. Dispositivi optoelettronici: le compresse epitassiali InGaAs possono essere utilizzate per produrre fotodiodi, fotorilevatori e altri dispositivi optoelettronici, che hanno un'ampia gamma di applicazioni nella comunicazione ottica, nella visione notturna e in altri campi.

2. Laser: i fogli epitassiali di InGaAs possono essere utilizzati anche per produrre laser, in particolare laser a lunga lunghezza d'onda, che svolgono un ruolo importante nelle comunicazioni in fibra ottica, nella lavorazione industriale e in altri campi.

3. Celle solari: il materiale InGaAs ha un ampio intervallo di regolazione del gap di banda, che può soddisfare i requisiti di gap di banda richiesti dalle celle fotovoltaiche termiche, quindi il foglio epitassiale InGaAs ha anche un certo potenziale di applicazione nel campo delle celle solari.

4. Imaging medico: nelle apparecchiature di imaging medico (come TC, risonanza magnetica, ecc.), per il rilevamento e l'imaging.

5. Rete di sensori: nel monitoraggio ambientale e nel rilevamento del gas, è possibile monitorare più parametri contemporaneamente.

6. Automazione industriale: utilizzata nei sistemi di visione artificiale per monitorare lo stato e la qualità degli oggetti sulla linea di produzione.

In futuro, le proprietà del materiale del substrato epitassiale InGaAs continueranno a migliorare, compreso il miglioramento dell'efficienza di conversione fotoelettrica e la riduzione dei livelli di rumore. Ciò renderà il substrato epitassiale InGaAs più ampiamente utilizzato nei dispositivi optoelettronici e le prestazioni saranno più eccellenti. Allo stesso tempo, anche il processo di preparazione sarà continuamente ottimizzato per ridurre i costi e migliorare l’efficienza, in modo da soddisfare le esigenze del mercato più ampio.

In generale, il substrato epitassiale InGaAs occupa una posizione importante nel campo dei materiali semiconduttori con le sue caratteristiche uniche e ampie prospettive di applicazione.

XKH offre personalizzazioni di lastre epitassiali InGaAs con diverse strutture e spessori, coprendo un'ampia gamma di applicazioni per dispositivi optoelettronici, laser e celle solari. I prodotti XKH sono realizzati con apparecchiature MOCVD avanzate per garantire prestazioni elevate e affidabilità. In termini di logistica, XKH dispone di un'ampia gamma di canali di origine internazionali, che possono gestire in modo flessibile il numero di ordini e fornire servizi a valore aggiunto come perfezionamento e segmentazione. Processi di consegna efficienti garantiscono consegne puntuali e soddisfano le esigenze dei clienti in termini di qualità e tempi di consegna.