Wafer di antimoniuro di indio (InSb) tipo N tipo P pronti per Epi non drogati drogati con Te o drogati con Ge spessore 2 pollici 3 pollici 4 pollici Wafer di antimoniuro di indio (InSb)
Caratteristiche
Opzioni antidoping:
1. Non drogato:Questi wafer sono privi di qualsiasi agente drogante, il che li rende ideali per applicazioni specializzate come la crescita epitassiale.
2.Te drogato (tipo N):Il drogaggio al tellurio (Te) è comunemente utilizzato per creare wafer di tipo N, ideali per applicazioni quali rilevatori a infrarossi ed elettronica ad alta velocità.
3.Drogato con Ge (tipo P):Il drogaggio al germanio (Ge) viene utilizzato per creare wafer di tipo P, che offrono un'elevata mobilità dei buchi per applicazioni avanzate di semiconduttori.
Opzioni di dimensione:
1. Disponibili nei diametri 2, 3 e 4 pollici. Questi wafer soddisfano diverse esigenze tecnologiche, dalla ricerca e sviluppo alla produzione su larga scala.
2. Le tolleranze precise del diametro garantiscono la coerenza tra i lotti, con diametri di 50,8±0,3 mm (per wafer da 2 pollici) e 76,2±0,3 mm (per wafer da 3 pollici).
Controllo dello spessore:
1. I wafer sono disponibili con uno spessore di 500±5μm per prestazioni ottimali in varie applicazioni.
2. Ulteriori misurazioni come TTV (variazione dello spessore totale), BOW e deformazione vengono attentamente controllate per garantire elevata uniformità e qualità.
Qualità della superficie:
1. I wafer sono dotati di una superficie lucidata/incisa per migliorare le prestazioni ottiche ed elettriche.
2. Queste superfici sono ideali per la crescita epitassiale, offrendo una base liscia per l'ulteriore elaborazione in dispositivi ad alte prestazioni.
Epi-Ready:
1. I wafer di InSb sono epi-ready, ovvero pretrattati per processi di deposizione epitassiale. Questo li rende ideali per applicazioni nella produzione di semiconduttori in cui è necessario far crescere strati epitassiali sulla superficie del wafer.
Applicazioni
1. Rilevatori a infrarossi:I wafer di InSb sono comunemente utilizzati nella rilevazione a infrarossi (IR), in particolare nella banda dell'infrarosso a lunghezza d'onda media (MWIR). Questi wafer sono essenziali per applicazioni di visione notturna, termografia e spettroscopia infrarossa.
2. Elettronica ad alta velocità:Grazie alla loro elevata mobilità elettronica, i wafer di InSb vengono utilizzati in dispositivi elettronici ad alta velocità, come transistor ad alta frequenza, dispositivi a pozzi quantici e transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT).
3. Dispositivi a pozzo quantico:Il bandgap ristretto e l'eccellente mobilità elettronica rendono i wafer di InSb adatti all'uso in dispositivi a pozzo quantico. Questi dispositivi sono componenti chiave in laser, rivelatori e altri sistemi optoelettronici.
4.Dispositivi spintronici:L'InSb è anche oggetto di studio in applicazioni spintroniche, dove lo spin elettronico viene utilizzato per l'elaborazione delle informazioni. Il basso accoppiamento spin-orbita del materiale lo rende ideale per questi dispositivi ad alte prestazioni.
5. Applicazioni delle radiazioni terahertz (THz):I dispositivi basati su InSb vengono utilizzati in applicazioni che utilizzano radiazioni THz, tra cui la ricerca scientifica, l'imaging e la caratterizzazione dei materiali. Consentono tecnologie avanzate come la spettroscopia THz e i sistemi di imaging THz.
6.Dispositivi termoelettrici:Le proprietà uniche dell'InSb lo rendono un materiale interessante per le applicazioni termoelettriche, dove può essere utilizzato per convertire efficacemente il calore in elettricità, soprattutto in applicazioni di nicchia come la tecnologia spaziale o la produzione di energia in ambienti estremi.
Parametri del prodotto
| Parametro | 2 pollici | 3 pollici | 4 pollici |
| Diametro | 50,8±0,3 mm | 76,2±0,3 mm | - |
| Spessore | 500±5μm | 650±5μm | - |
| Superficie | Lucidato/inciso | Lucidato/inciso | Lucidato/inciso |
| Tipo di doping | Non drogato, drogato con Te (N), drogato con Ge (P) | Non drogato, drogato con Te (N), drogato con Ge (P) | Non drogato, drogato con Te (N), drogato con Ge (P) |
| Orientamento | (100) | (100) | (100) |
| Pacchetto | Separare | Separare | Separare |
| Epi-Ready | SÌ | SÌ | SÌ |
Parametri elettrici per Te drogato (tipo N):
- Mobilità: 2000-5000 cm²/V·s
- Resistività: (1-1000) Ω·cm
- EPD (densità dei difetti): ≤2000 difetti/cm²
Parametri elettrici per Ge drogato (tipo P):
- Mobilità: 4000-8000 cm²/V·s
- Resistività: (0,5-5) Ω·cm
- EPD (densità dei difetti): ≤2000 difetti/cm²
Conclusione
I wafer di antimoniuro di indio (InSb) sono un materiale essenziale per un'ampia gamma di applicazioni ad alte prestazioni nei campi dell'elettronica, dell'optoelettronica e delle tecnologie a infrarossi. Grazie all'eccellente mobilità elettronica, al basso accoppiamento spin-orbita e a una varietà di opzioni di drogaggio (Te per il tipo N, Ge per il tipo P), i wafer di InSb sono ideali per l'uso in dispositivi come rivelatori a infrarossi, transistor ad alta velocità, dispositivi a pozzo quantico e dispositivi spintronici.
I wafer sono disponibili in varie dimensioni (2 pollici, 3 pollici e 4 pollici), con un controllo preciso dello spessore e superfici Epi-Ready, garantendo il rispetto dei rigorosi requisiti della moderna fabbricazione di semiconduttori. Questi wafer sono perfetti per applicazioni in settori come la rilevazione IR, l'elettronica ad alta velocità e la radiazione THz, consentendo tecnologie avanzate nella ricerca, nell'industria e nella difesa.
Diagramma dettagliato
