Diametro wafer SiC HPSI: spessore 3 pollici: 350um ± 25 µm per elettronica di potenza

Breve descrizione:

Il wafer SiC HPSI (High-Purity Silicon Carbide) con un diametro di 3 pollici e uno spessore di 350 µm ± 25 µm è progettato specificamente per applicazioni di elettronica di potenza che richiedono substrati ad alte prestazioni. Questo wafer SiC offre conduttività termica superiore, elevata tensione di rottura ed efficienza a temperature operative elevate, rendendolo la scelta ideale per la crescente domanda di dispositivi elettronici di potenza robusti ed efficienti dal punto di vista energetico. I wafer SiC sono particolarmente adatti per applicazioni ad alta tensione, alta corrente e alta frequenza, dove i tradizionali substrati di silicio non riescono a soddisfare le esigenze operative.
Il nostro wafer SiC HPSI, fabbricato utilizzando le più recenti tecniche leader del settore, è disponibile in diversi gradi, ciascuno progettato per soddisfare requisiti di produzione specifici. Il wafer presenta un'integrità strutturale, proprietà elettriche e qualità della superficie eccezionali, garantendo che possa fornire prestazioni affidabili in applicazioni impegnative, tra cui semiconduttori di potenza, veicoli elettrici (VE), sistemi di energia rinnovabile e conversione di energia industriale.

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Applicazione

I wafer SiC HPSI sono utilizzati in un'ampia gamma di applicazioni di elettronica di potenza, tra cui:

Semiconduttori di potenza:I wafer SiC sono comunemente impiegati nella produzione di diodi di potenza, transistor (MOSFET, IGBT) e tiristori. Questi semiconduttori sono ampiamente utilizzati nelle applicazioni di conversione di potenza che richiedono elevata efficienza e affidabilità, come negli azionamenti di motori industriali, alimentatori e inverter per sistemi di energia rinnovabile.
Veicoli elettrici (EV):Nei gruppi propulsori dei veicoli elettrici, i dispositivi di potenza basati su SiC forniscono velocità di commutazione più elevate, maggiore efficienza energetica e perdite termiche ridotte. I componenti SiC sono ideali per applicazioni nei sistemi di gestione delle batterie (BMS), nelle infrastrutture di ricarica e nei caricabatterie di bordo (OBC), dove ridurre al minimo il peso e massimizzare l'efficienza di conversione dell'energia è fondamentale.

Sistemi di energia rinnovabile:I wafer SiC sono sempre più utilizzati negli inverter solari, nei generatori di turbine eoliche e nei sistemi di accumulo dell'energia, dove elevata efficienza e robustezza sono essenziali. I componenti basati su SiC consentono una maggiore densità di potenza e prestazioni migliorate in queste applicazioni, migliorando l'efficienza complessiva di conversione energetica.

Elettronica di potenza industriale:Nelle applicazioni industriali ad alte prestazioni, come azionamenti di motori, robotica e alimentatori su larga scala, l'uso di wafer SiC consente prestazioni migliorate in termini di efficienza, affidabilità e gestione termica. I dispositivi SiC possono gestire frequenze di commutazione elevate e temperature elevate, rendendoli adatti ad ambienti esigenti.

Telecomunicazioni e Data Center:Il SiC viene utilizzato negli alimentatori per apparecchiature di telecomunicazione e data center, dove l'elevata affidabilità e l'efficiente conversione della potenza sono cruciali. I dispositivi di potenza basati su SiC consentono una maggiore efficienza in dimensioni più piccole, il che si traduce in un consumo energetico ridotto e una migliore efficienza di raffreddamento nelle infrastrutture su larga scala.

L'elevata tensione di rottura, la bassa resistenza in conduzione e l'eccellente conduttività termica dei wafer SiC li rendono il substrato ideale per queste applicazioni avanzate, consentendo lo sviluppo di elettronica di potenza ad alta efficienza energetica di prossima generazione.

Proprietà

Proprietà	Valore
Diametro del wafer	3 pollici (76,2 mm)
Spessore del wafer	350 µm ± 25 µm
Orientamento dei wafer	<0001> in asse ± 0,5°
Densità del microtubo (MPD)	≤ 1 cm⁻²
Resistività elettrica	≥ 1E7Ω·cm
Dopante	Non drogato
Orientamento piatto primario	{11-20} ± 5,0°
Lunghezza piatta primaria	32,5 mm ± 3,0 mm
Lunghezza piatta secondaria	18,0 mm±2,0 mm
Orientamento piatto secondario	Si rivolto verso l'alto: 90° in senso orario dal piano primario ± 5,0°
Esclusione dei bordi	3 mm
LTV/TTV/Arco/Deformazione	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm
Rugosità superficiale	Faccia C: lucida, faccia Si: CMP
Crepe (ispezionate con luce ad alta intensità)	Nessuno
Piastre esagonali (ispezionate mediante luce ad alta intensità)	Nessuno
Aree di politipo (ispezionate mediante luce ad alta intensità)	Area cumulativa 5%
Graffi (ispezionati con luce ad alta intensità)	≤ 5 graffi, lunghezza cumulativa ≤ 150 mm
Scheggiatura dei bordi	Nessuno consentito Larghezza e profondità ≥ 0,5 mm
Contaminazione superficiale (ispezionata mediante luce ad alta intensità)	Nessuno

Vantaggi principali

Elevata conduttività termica:I wafer SiC sono noti per la loro eccezionale capacità di dissipare il calore, che consente ai dispositivi di potenza di funzionare con efficienze più elevate e gestire correnti più elevate senza surriscaldarsi. Questa caratteristica è fondamentale nell'elettronica di potenza in cui la gestione del calore rappresenta una sfida significativa.
Alta tensione di rottura:L'ampio gap di banda del SiC consente ai dispositivi di tollerare livelli di tensione più elevati, rendendoli ideali per applicazioni ad alta tensione come reti elettriche, veicoli elettrici e macchinari industriali.
Alta efficienza:La combinazione di frequenze di commutazione elevate e bassa resistenza in conduzione si traduce in dispositivi con minori perdite di energia, migliorando l'efficienza complessiva della conversione di potenza e riducendo la necessità di complessi sistemi di raffreddamento.
Affidabilità in ambienti difficili:Il SiC è in grado di funzionare a temperature elevate (fino a 600°C), il che lo rende adatto all'uso in ambienti che altrimenti danneggerebbero i tradizionali dispositivi a base di silicio.
Risparmio energetico:I dispositivi di potenza SiC migliorano l’efficienza di conversione dell’energia, che è fondamentale per ridurre il consumo energetico, soprattutto in sistemi di grandi dimensioni come convertitori di potenza industriali, veicoli elettrici e infrastrutture di energia rinnovabile.