Wafer SiC HPSI dia: 3 pollici spessore: 350 ± 25 µm per elettronica di potenza
Applicazione
I wafer SiC HPSI vengono utilizzati in un'ampia gamma di applicazioni di elettronica di potenza, tra cui:
Semiconduttori di potenza:I wafer di SiC sono comunemente impiegati nella produzione di diodi di potenza, transistor (MOSFET, IGBT) e tiristori. Questi semiconduttori sono ampiamente utilizzati in applicazioni di conversione di potenza che richiedono elevata efficienza e affidabilità, come ad esempio negli azionamenti per motori industriali, negli alimentatori e negli inverter per sistemi di energia rinnovabile.
Veicoli elettrici (EV):Nei sistemi di propulsione dei veicoli elettrici, i dispositivi di potenza basati su SiC offrono velocità di commutazione più elevate, maggiore efficienza energetica e perdite termiche ridotte. I componenti in SiC sono ideali per applicazioni in sistemi di gestione delle batterie (BMS), infrastrutture di ricarica e caricabatterie di bordo (OBC), dove ridurre al minimo il peso e massimizzare l'efficienza di conversione dell'energia è fondamentale.
Sistemi di energia rinnovabile:I wafer di SiC sono sempre più utilizzati negli inverter solari, nei generatori eolici e nei sistemi di accumulo di energia, dove elevata efficienza e robustezza sono essenziali. I componenti basati su SiC consentono una maggiore densità di potenza e prestazioni migliori in queste applicazioni, migliorando l'efficienza complessiva di conversione energetica.
Elettronica di potenza industriale:Nelle applicazioni industriali ad alte prestazioni, come azionamenti motore, robotica e alimentatori di grandi dimensioni, l'utilizzo di wafer di SiC consente di migliorare le prestazioni in termini di efficienza, affidabilità e gestione termica. I dispositivi in SiC possono gestire elevate frequenze di commutazione e alte temperature, rendendoli adatti ad ambienti difficili.
Telecomunicazioni e Data Center:Il SiC viene utilizzato negli alimentatori per apparecchiature di telecomunicazione e data center, dove elevata affidabilità ed efficienza nella conversione di potenza sono cruciali. I dispositivi di alimentazione basati su SiC consentono una maggiore efficienza con dimensioni ridotte, il che si traduce in un consumo energetico ridotto e una migliore efficienza di raffreddamento nelle infrastrutture di grandi dimensioni.
L'elevata tensione di rottura, la bassa resistenza di conduzione e l'eccellente conduttività termica dei wafer SiC li rendono il substrato ideale per queste applicazioni avanzate, consentendo lo sviluppo di componenti elettronici di potenza efficienti dal punto di vista energetico di nuova generazione.
Proprietà
| Proprietà | Valore |
| Diametro del wafer | 3 pollici (76,2 mm) |
| Spessore del wafer | 350 µm ± 25 µm |
| Orientamento del wafer | <0001> sull'asse ± 0,5° |
| Densità del microtubo (MPD) | ≤ 1 cm⁻² |
| Resistività elettrica | ≥ 1E7 Ω·cm |
| Drogante | Non drogato |
| Orientamento primario piatto | {11-20} ± 5,0° |
| Lunghezza piana primaria | 32,5 millimetri ± 3,0 millimetri |
| Lunghezza piatta secondaria | 18,0 millimetri ± 2,0 millimetri |
| Orientamento piatto secondario | Si rivolto verso l'alto: 90° CW dal piano primario ± 5,0° |
| Esclusione del bordo | 3 millimetri |
| LTV/TTV/Pratica/Ordito | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm |
| Rugosità superficiale | Faccia C: Lucidata, Faccia Si: CMP |
| Crepe (ispezionate con luce ad alta intensità) | Nessuno |
| Piastre esagonali (ispezionate con luce ad alta intensità) | Nessuno |
| Aree politipiche (ispezionate con luce ad alta intensità) | Area cumulativa 5% |
| Graffi (ispezionati con luce ad alta intensità) | ≤ 5 graffi, lunghezza cumulativa ≤ 150 mm |
| Scheggiatura del bordo | Nessuno consentito ≥ 0,5 mm di larghezza e profondità |
| Contaminazione superficiale (ispezionata con luce ad alta intensità) | Nessuno |
Vantaggi principali
Alta conduttività termica:I wafer di SiC sono noti per la loro eccezionale capacità di dissipare il calore, consentendo ai dispositivi di potenza di funzionare con maggiore efficienza e di gestire correnti più elevate senza surriscaldarsi. Questa caratteristica è fondamentale nell'elettronica di potenza, dove la gestione del calore rappresenta una sfida significativa.
Alta tensione di rottura:L'ampio bandgap del SiC consente ai dispositivi di tollerare livelli di tensione più elevati, rendendoli ideali per applicazioni ad alta tensione come reti elettriche, veicoli elettrici e macchinari industriali.
Alta efficienza:La combinazione di elevate frequenze di commutazione e bassa resistenza di accensione si traduce in dispositivi con minore perdita di energia, migliorando l'efficienza complessiva della conversione di potenza e riducendo la necessità di complessi sistemi di raffreddamento.
Affidabilità in ambienti difficili:Il SiC è in grado di funzionare ad alte temperature (fino a 600 °C), il che lo rende adatto all'uso in ambienti che altrimenti danneggerebbero i tradizionali dispositivi basati sul silicio.
Risparmio energetico:I dispositivi di potenza SiC migliorano l'efficienza di conversione dell'energia, fondamentale per ridurre il consumo di energia, soprattutto nei sistemi di grandi dimensioni come convertitori di potenza industriali, veicoli elettrici e infrastrutture per le energie rinnovabili.
Diagramma dettagliato
