Wafer di epitassia GaN
-
GaN su vetro da 4 pollici: opzioni di vetro personalizzabili tra cui JGS1, JGS2, BF33 e quarzo ordinario
-
Nitruro di gallio su wafer di silicio da 4 pollici e 6 pollici, orientamento del substrato di silicio su misura, resistività e opzioni di tipo N/tipo P
-
Wafer epitassiali GaN-on-SiC personalizzati (100 mm, 150 mm) – Diverse opzioni di substrato SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
-
Wafer GaN-on-Diamond da 4 pollici a 6 pollici Spessore epi totale (micron) 0,6 ~ 2,5 o personalizzato per applicazioni ad alta frequenza