Wafer epitassiale laser GaAs da 4 pollici 6 pollici VCSEL cavità verticale emissione superficiale lunghezza d'onda laser 940 nm singola giunzione
Le caratteristiche principali del foglio epitassiale laser GaAs includono
1. Struttura a giunzione singola: questo laser è solitamente composto da un singolo pozzo quantico, che può fornire un'emissione di luce efficiente.
2. Lunghezza d'onda: la lunghezza d'onda di 940 nm lo rende nella gamma dello spettro infrarosso, adatto a una varietà di applicazioni.
3. Alta efficienza: rispetto ad altri tipi di laser, VCSEL ha un'elevata efficienza di conversione elettro-ottica.
4. Compattezza: il pacchetto VCSEL è relativamente piccolo e facile da integrare.
5. Corrente di soglia bassa ed alta efficienza: i laser a eterostruttura interrata presentano una densità di corrente di soglia laser estremamente bassa (ad esempio 4 mA/cm²) e un'elevata efficienza quantica differenziale esterna (ad esempio 36%), con una potenza di uscita lineare superiore a 15 mW.
6. Stabilità in modalità guida d'onda: il laser a eterostruttura sepolta presenta il vantaggio della stabilità in modalità guida d'onda grazie al suo meccanismo di guida d'onda guidato dall'indice di rifrazione e alla larghezza ridotta della striscia attiva (circa 2μm).
7. Eccellente efficienza di conversione fotoelettrica: ottimizzando il processo di crescita epitassiale, è possibile ottenere un'elevata efficienza quantica interna e un'efficienza di conversione fotoelettrica per ridurre la perdita interna.
8. Elevata affidabilità e durata: la tecnologia di crescita epitassiale di alta qualità può preparare fogli epitassiali con un buon aspetto superficiale e una bassa densità di difetti, migliorando l'affidabilità e la durata del prodotto.
9. Adatto per una varietà di applicazioni: il foglio epitassiale del diodo laser basato su GAAS è ampiamente utilizzato nelle comunicazioni in fibra ottica, nelle applicazioni industriali, negli infrarossi e nei fotorilevatori e in altri campi.
Le principali modalità di applicazione del foglio epitassiale laser GaAs includono
1. Comunicazione ottica e comunicazione dati: i wafer epitassiali GaAs sono ampiamente utilizzati nel campo della comunicazione ottica, in particolare nei sistemi di comunicazione ottica ad alta velocità, per la produzione di dispositivi optoelettronici come laser e rilevatori.
2. Applicazioni industriali: i fogli epitassiali laser GaAs hanno anche usi importanti in applicazioni industriali, come la lavorazione, la misurazione e il rilevamento laser.
3. Elettronica di consumo: nell'elettronica di consumo, i wafer epitassiali GaAs vengono utilizzati per produrre VCsel (laser a emissione superficiale a cavità verticale), ampiamente utilizzati negli smartphone e in altri dispositivi elettronici di consumo.
4. Applicazioni RF: i materiali GaAs presentano vantaggi significativi nel campo RF e vengono utilizzati per produrre dispositivi RF ad alte prestazioni.
5. Laser a punti quantici: i laser a punti quantici basati su GAAS sono ampiamente utilizzati nei campi delle comunicazioni, medico e militare, in particolare nella banda di comunicazione ottica da 1,31 µm.
6. Interruttore Q passivo: l'assorbitore GaAs viene utilizzato per laser a stato solido pompati a diodi con interruttore Q passivo, adatto per microlavorazione, misurazione e microchirurgia.
Queste applicazioni dimostrano il potenziale dei wafer epitassiali laser GaAs in un'ampia gamma di applicazioni high-tech.
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