Lunghezza d'onda del laser di potenza del wafer epitassiale ad alta potenza GaAs con substrato di wafer di arseniuro di gallio 905 nm per trattamenti medici laser

Substrato di wafer epitassiale ad alta potenza GaAs wafer di arseniuro di gallio con lunghezza d'onda del laser di potenza 905 nm per trattamenti medici laser

Breve descrizione:

Il foglio epitassiale laser GaAs si riferisce a un materiale a film sottile monocristallino formato mediante tecnologia di crescita epitassiale su un substrato di arseniuro di gallio (GaAs), che viene utilizzato per produrre dispositivi optoelettronici come i laser.
I laser di potenza GaAs 905 e i chip epitassia ad alta potenza GaAs sono laser basati su materiali di arseniuro di gallio (GaAs) e sono ampiamente utilizzati in molti campi. Il wafer epitassiale MOCVD viene utilizzato principalmente nei diodi laser ad alta potenza. Il pozzo quantico InGaAs viene utilizzato come strato attivo. Il wafer epitassiale viene analizzato mediante PL, XRD, ECV e altri metodi di prova. I laser di potenza GaAs 905 e i chip epitassia ad alta potenza GaAs sono ampiamente utilizzati nella ricerca medica, industriale, scientifica e in altri campi grazie alla loro alta efficienza, all'elevata potenza e alle buone prestazioni termiche e hanno un importante valore di mercato e potenziale tecnico.

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Le caratteristiche principali del foglio epitassiale laser GaAs includono:

1. Elevata mobilità degli elettroni: l'arseniuro di gallio ha un'elevata mobilità degli elettroni, il che fa sì che i wafer epitassiali laser GaAs abbiano buone applicazioni nei dispositivi ad alta frequenza e nei dispositivi elettronici ad alta velocità.
2. Luminescenza di transizione a banda proibita diretta: come materiale a banda proibita diretta, l'arseniuro di gallio può convertire in modo efficiente l'energia elettrica in energia luminosa nei dispositivi optoelettronici, rendendolo ideale per la produzione di laser.
3.Lunghezza d'onda: i laser GaAs 905 funzionano tipicamente a 905 nm, rendendoli adatti a molte applicazioni, inclusa la biomedicina.
4. Alta efficienza: con un'elevata efficienza di conversione fotoelettrica, può convertire efficacemente l'energia elettrica in uscita laser.
5. Elevata potenza in uscita: può raggiungere un'elevata potenza in uscita ed è adatto a scenari applicativi che richiedono una forte sorgente luminosa.
6.Buone prestazioni termiche: il materiale GaAs ha una buona conduttività termica, contribuendo a ridurre la temperatura operativa del laser e migliorare la stabilità.
7. Ampia personalizzazione: la potenza di uscita può essere regolata modificando la corrente di azionamento per adattarsi ai diversi requisiti applicativi.

Le principali applicazioni delle compresse epitassiali laser GaAs includono:

1. Comunicazione in fibra ottica: il foglio epitassiale laser GaAs può essere utilizzato per produrre laser nella comunicazione in fibra ottica per ottenere una trasmissione del segnale ottico ad alta velocità e a lunga distanza.

2. Applicazioni industriali: nel campo industriale, i fogli epitassiali laser GaAs possono essere utilizzati per la misurazione del raggio laser, la marcatura laser e altre applicazioni.

3. VCSEL: Il laser a emissione superficiale a cavità verticale (VCSEL) è un importante campo di applicazione del foglio epitassiale laser GaAs, ampiamente utilizzato nella comunicazione ottica, nella memorizzazione ottica e nel rilevamento ottico.

4. Campo a infrarossi e spot: il foglio epitassiale laser GaAs può essere utilizzato anche per produrre laser a infrarossi, generatori di spot e altri dispositivi, svolgendo un ruolo importante nel rilevamento a infrarossi, nella visualizzazione della luce e in altri campi.

La preparazione del foglio epitassiale laser GaAs dipende principalmente dalla tecnologia di crescita epitassiale, inclusa la deposizione chimica in fase vapore metallo-organica (MOCVD), il fascio molecolare epitassiale (MBE) e altri metodi. Queste tecniche possono controllare con precisione lo spessore, la composizione e la struttura cristallina dello strato epitassiale per ottenere fogli epitassiali laser GaAs di alta qualità.

XKH offre personalizzazioni di fogli epitassiali GaAs in diverse strutture e spessori, coprendo un'ampia gamma di applicazioni nei campi delle comunicazioni ottiche, VCSEL, infrarossi e spot luminosi. I prodotti XKH sono realizzati con apparecchiature MOCVD avanzate per garantire prestazioni elevate e affidabilità. In termini di logistica, XKH dispone di un'ampia gamma di canali di origine internazionali, che possono gestire in modo flessibile il numero di ordini e fornire servizi a valore aggiunto come perfezionamento e suddivisione. Processi di consegna efficienti garantiscono consegne puntuali e soddisfano le esigenze dei clienti in termini di qualità e tempi di consegna. I clienti possono ottenere supporto tecnico completo e servizio post-vendita dopo l'arrivo per garantire che il prodotto venga utilizzato senza problemi.