Substrato di wafer epitassiale ad alta potenza GaAs, wafer di arseniuro di gallio, lunghezza d'onda laser di potenza 905 nm per trattamento medico laser
Le caratteristiche principali del foglio epitassiale laser GaAs includono:
1. Elevata mobilità elettronica: l'arseniuro di gallio ha un'elevata mobilità elettronica, il che rende i wafer epitassiali laser GaAs adatti ad applicazioni in dispositivi ad alta frequenza e dispositivi elettronici ad alta velocità.
2. Luminescenza a transizione di banda proibita diretta: in quanto materiale a banda proibita diretta, l'arseniuro di gallio può convertire in modo efficiente l'energia elettrica in energia luminosa nei dispositivi optoelettronici, rendendolo ideale per la produzione di laser.
3. Lunghezza d'onda: i laser GaAs 905 funzionano in genere a 905 nm, il che li rende adatti a numerose applicazioni, tra cui la biomedicina.
4. Elevata efficienza: grazie all'elevata efficienza di conversione fotoelettrica, può convertire efficacemente l'energia elettrica in uscita laser.
5. Elevata potenza in uscita: può raggiungere un'elevata potenza in uscita ed è adatto a scenari applicativi che richiedono una potente fonte di luce.
6. Buone prestazioni termiche: il materiale GaAs ha una buona conduttività termica, che aiuta a ridurre la temperatura di esercizio del laser e a migliorarne la stabilità.
7. Ampia sintonizzabilità: la potenza di uscita può essere regolata modificando la corrente di azionamento per adattarsi ai diversi requisiti dell'applicazione.
Le principali applicazioni delle compresse epitassiali laser GaAs includono:
1. Comunicazione in fibra ottica: il foglio epitassiale laser GaAs può essere utilizzato per realizzare laser nella comunicazione in fibra ottica per ottenere una trasmissione del segnale ottico ad alta velocità e a lunga distanza.
2. Applicazioni industriali: nel campo industriale, i fogli epitassiali laser GaAs possono essere utilizzati per la misurazione della distanza laser, la marcatura laser e altre applicazioni.
3. VCSEL: il laser a emissione superficiale a cavità verticale (VCSEL) è un importante campo di applicazione del foglio epitassiale laser GaAs, ampiamente utilizzato nelle comunicazioni ottiche, nella memorizzazione ottica e nel rilevamento ottico.
4. Campo infrarosso e spot: il foglio epitassiale laser GaAs può essere utilizzato anche per produrre laser a infrarossi, generatori spot e altri dispositivi, svolgendo un ruolo importante nel rilevamento a infrarossi, nella visualizzazione della luce e in altri campi.
La preparazione di fogli epitassiali laser di GaAs dipende principalmente dalla tecnologia di crescita epitassiale, tra cui la deposizione chimica da vapore metallo-organica (MOCVD), l'epitassiale a fascio molecolare (MBE) e altri metodi. Queste tecniche consentono di controllare con precisione lo spessore, la composizione e la struttura cristallina dello strato epitassiale per ottenere fogli epitassiali laser di GaAs di alta qualità.
XKH offre la personalizzazione di fogli epitassiali di GaAs in diverse strutture e spessori, coprendo un'ampia gamma di applicazioni nei settori delle comunicazioni ottiche, VCSEL, infrarosso e campi di luce spot. I prodotti XKH sono realizzati con apparecchiature MOCVD avanzate per garantire elevate prestazioni e affidabilità. In termini di logistica, XKH dispone di un'ampia gamma di canali di approvvigionamento internazionali, in grado di gestire con flessibilità il numero di ordini e di fornire servizi a valore aggiunto come la raffinazione e la suddivisione. Processi di consegna efficienti garantiscono la puntualità delle consegne e soddisfano i requisiti dei clienti in termini di qualità e tempi di consegna. I clienti possono usufruire di un supporto tecnico completo e di un servizio post-vendita dopo l'arrivo, per garantire un utilizzo ottimale del prodotto.
Diagramma dettagliato


