Wafer epitassiali GaN-on-SiC personalizzati (100 mm, 150 mm) – Diverse opzioni di substrato SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Wafer epitassiali GaN-on-SiC personalizzati (100 mm, 150 mm) – Molteplici opzioni di substrato SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) Immagine in evidenza

Breve descrizione:

I nostri wafer epitassiali GaN-on-SiC personalizzati offrono prestazioni superiori per applicazioni ad alta potenza e alta frequenza combinando le eccezionali proprietà del nitruro di gallio (GaN) con la robusta conduttività termica e la resistenza meccanica diCarburo di silicio (SiC)Disponibili in wafer da 100 mm e 150 mm, questi wafer sono realizzati su una varietà di substrati SiC, tra cui i tipi 4H-N, HPSI e 4H/6H-P, progettati per soddisfare i requisiti specifici dell'elettronica di potenza, degli amplificatori RF e di altri dispositivi a semiconduttore avanzati. Grazie a strati epitassiali personalizzabili e substrati SiC esclusivi, i nostri wafer sono progettati per garantire elevata efficienza, gestione termica e affidabilità per applicazioni industriali complesse.

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Caratteristiche

●Spessore dello strato epitassiale: Personalizzabile da1,0 µmA3,5 µm, ottimizzato per prestazioni ad alta potenza e frequenza.

●Opzioni del substrato SiC: Disponibile con vari substrati SiC, tra cui:

4H-N: 4H-SiC drogato con azoto di alta qualità per applicazioni ad alta frequenza e alta potenza.
HPSI: SiC semi-isolante ad elevata purezza per applicazioni che richiedono isolamento elettrico.
4H/6H-P: Miscela di 4H e 6H-SiC per un equilibrio tra elevata efficienza e affidabilità.

●Dimensioni dei wafer: Disponibile in100 millimetriE150 millimetridiametri per versatilità nel ridimensionamento e nell'integrazione dei dispositivi.

●Alta tensione di rottura:La tecnologia GaN su SiC fornisce un'elevata tensione di rottura, consentendo prestazioni robuste nelle applicazioni ad alta potenza.

● Elevata conduttività termica: La conduttività termica intrinseca del SiC (circa 490 W/m·K) garantisce un'eccellente dissipazione del calore nelle applicazioni ad alto consumo energetico.

Specifiche tecniche

Parametro	Valore
Diametro del wafer	100mm, 150mm
Spessore dello strato epitassiale	1,0 µm – 3,5 µm (personalizzabile)
Tipi di substrato SiC	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
Conduttività termica SiC	490 W/m·K
Resistività SiC	4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSI: Semi-isolante,4H/6H-P: Misto 4H/6H
Spessore dello strato di GaN	1,0 µm – 2,0 µm
Concentrazione dei portatori di GaN	Da 10^18 cm^-3 a 10^19 cm^-3 (personalizzabile)
Qualità della superficie del wafer	Rugosità RMS: < 1 nm
Densità di dislocazione	< 1 x 10^6 cm^-2
Fiocco di cialda	< 50 µm
Planarità del wafer	< 5 µm
Temperatura massima di esercizio	400°C (tipico per i dispositivi GaN-on-SiC)

Applicazioni

●Elettronica di potenza:I wafer GaN-on-SiC garantiscono elevata efficienza e dissipazione del calore, rendendoli ideali per amplificatori di potenza, dispositivi di conversione di potenza e circuiti inverter di potenza utilizzati nei veicoli elettrici, nei sistemi di energia rinnovabile e nei macchinari industriali.
●Amplificatori di potenza RF:La combinazione di GaN e SiC è perfetta per applicazioni RF ad alta frequenza e alta potenza, come telecomunicazioni, comunicazioni satellitari e sistemi radar.
●Aerospaziale e Difesa:Questi wafer sono adatti alle tecnologie aerospaziali e di difesa che richiedono sistemi di comunicazione ed elettronica di potenza ad alte prestazioni in grado di funzionare in condizioni difficili.
●Applicazioni automobilistiche:Ideale per sistemi di alimentazione ad alte prestazioni in veicoli elettrici (EV), veicoli ibridi (HEV) e stazioni di ricarica, consentendo un controllo e una conversione di potenza efficienti.
●Sistemi militari e radar:I wafer GaN-on-SiC vengono utilizzati nei sistemi radar per la loro elevata efficienza, la capacità di gestione della potenza e le prestazioni termiche in ambienti difficili.
●Applicazioni a microonde e onde millimetriche:Per i sistemi di comunicazione di nuova generazione, tra cui il 5G, il GaN-on-SiC garantisce prestazioni ottimali nelle gamme di microonde ad alta potenza e onde millimetriche.

Domande e risposte

D1: Quali sono i vantaggi dell'utilizzo del SiC come substrato per il GaN?

Risposta 1:Il carburo di silicio (SiC) offre una conduttività termica superiore, un'elevata tensione di rottura e una resistenza meccanica superiore rispetto ai substrati tradizionali come il silicio. Questo rende i wafer GaN-on-SiC ideali per applicazioni ad alta potenza, alta frequenza e alta temperatura. Il substrato in SiC contribuisce a dissipare il calore generato dai dispositivi GaN, migliorando l'affidabilità e le prestazioni.

D2: È possibile personalizzare lo spessore dello strato epitassiale per applicazioni specifiche?

A2:Sì, lo spessore dello strato epitassiale può essere personalizzato entro un intervallo diDa 1,0 µm a 3,5 µm, a seconda dei requisiti di potenza e frequenza della vostra applicazione. Possiamo personalizzare lo spessore dello strato di GaN per ottimizzare le prestazioni di dispositivi specifici come amplificatori di potenza, sistemi RF o circuiti ad alta frequenza.

D3: Qual è la differenza tra i substrati SiC 4H-N, HPSI e 4H/6H-P?

A3:

4H-N:Il 4H-SiC drogato con azoto è comunemente utilizzato per applicazioni ad alta frequenza che richiedono elevate prestazioni elettroniche.
HPSI: Il SiC semi-isolante ad elevata purezza garantisce isolamento elettrico, ideale per applicazioni che richiedono una conduttività elettrica minima.
4H/6H-P: Un mix di 4H e 6H-SiC che bilancia le prestazioni, offrendo una combinazione di elevata efficienza e robustezza, adatto a varie applicazioni di elettronica di potenza.

D4: Questi wafer GaN-on-SiC sono adatti ad applicazioni ad alta potenza come veicoli elettrici ed energie rinnovabili?

A4:Sì, i wafer GaN-on-SiC sono adatti per applicazioni ad alta potenza come veicoli elettrici, energie rinnovabili e sistemi industriali. L'elevata tensione di rottura, l'elevata conduttività termica e la capacità di gestione della potenza dei dispositivi GaN-on-SiC consentono loro di funzionare efficacemente in circuiti di conversione e controllo di potenza complessi.

D5: Qual è la densità di dislocazione tipica per questi wafer?

A5:La densità di dislocazione di questi wafer GaN-on-SiC è tipicamente< 1 x 10^6 cm^-2, che garantisce una crescita epitassiale di alta qualità, riducendo al minimo i difetti e migliorando le prestazioni e l'affidabilità del dispositivo.

D6: Posso richiedere una dimensione specifica del wafer o un tipo specifico di substrato SiC?

A6:Sì, offriamo wafer di dimensioni personalizzate (100 mm e 150 mm) e tipi di substrato SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) per soddisfare le esigenze specifiche della vostra applicazione. Contattateci per ulteriori opzioni di personalizzazione e per discutere le vostre esigenze.

D7: Come si comportano i wafer GaN-on-SiC in ambienti estremi?

A7:I wafer GaN-on-SiC sono ideali per ambienti estremi grazie alla loro elevata stabilità termica, all'elevata potenza gestibile e alle eccellenti capacità di dissipazione del calore. Questi wafer offrono ottime prestazioni in condizioni di alta temperatura, alta potenza e alta frequenza, comunemente riscontrabili in applicazioni aerospaziali, di difesa e industriali.

Conclusione

I nostri wafer epitassiali GaN-on-SiC personalizzati combinano le proprietà avanzate di GaN e SiC per offrire prestazioni superiori in applicazioni ad alta potenza e alta frequenza. Grazie alle diverse opzioni di substrato SiC e agli strati epitassiali personalizzabili, questi wafer sono ideali per i settori che richiedono elevata efficienza, gestione termica e affidabilità. Che si tratti di elettronica di potenza, sistemi RF o applicazioni di difesa, i nostri wafer GaN-on-SiC offrono le prestazioni e la flessibilità di cui avete bisogno.