Wafer rivestito in oro, wafer in zaffiro, wafer in silicio, wafer in SiC, 2 pollici, 4 pollici, 6 pollici, spessore del rivestimento in oro 10 nm, 50 nm, 100 nm
Caratteristiche principali
Caratteristica | Descrizione |
Materiali di substrato | Silicio (Si), Zaffiro (Al₂O₃), Carburo di silicio (SiC) |
Spessore del rivestimento in oro | 10 nm, 50 nm, 100 nm, 500 nm |
Purezza dell'oro | 99,999%purezza per prestazioni ottimali |
Pellicola adesiva | Cromo (Cr), Purezza del 99,98%, garantendo una forte adesione |
Rugosità superficiale | Diversi nm (qualità della superficie liscia per applicazioni di precisione) |
Resistenza (wafer di Si) | 1-30 Ohm/cm(a seconda del tipo) |
Dimensioni dei wafer | 2 pollici, 4 pollici, 6 pollicie dimensioni personalizzate |
Spessore (wafer di Si) | 275 µm, 381µm, 525 µm |
TTV (variazione dello spessore totale) | ≤20 µm |
Primario piatto (wafer di Si) | 15,9 ± 1,65 mmA32,5 ± 2,5 mm |
Perché il rivestimento in oro è essenziale nel settore dei semiconduttori
Conduttività elettrica
L'oro è uno dei migliori materiali perconduzione elettricaI wafer rivestiti in oro forniscono percorsi a bassa resistenza, essenziali per i dispositivi semiconduttori che richiedono connessioni elettriche veloci e stabili.elevata purezzadell'oro garantisce una conduttività ottimale, riducendo al minimo la perdita del segnale.
Resistenza alla corrosione
L'oro ènon corrosivoe altamente resistente all'ossidazione. Ciò lo rende ideale per applicazioni a semiconduttore che operano in ambienti difficili o sono soggette ad alte temperature, umidità o altre condizioni corrosive. Un wafer rivestito in oro manterrà le sue proprietà elettriche e la sua affidabilità nel tempo, fornendo unlunga durata di servizioper i dispositivi in cui viene utilizzato.
Gestione termica
Gold'seccellente conduttività termicagarantisce che il calore generato durante il funzionamento dei dispositivi a semiconduttore venga dissipato in modo efficiente. Ciò è particolarmente importante per applicazioni ad alta potenza comeLED, elettronica di potenza, Edispositivi optoelettronici, dove il calore in eccesso può causare guasti al dispositivo se non gestito correttamente.
Durata meccanica
I rivestimenti in oro fornisconoprotezione meccanicaal wafer, prevenendo danni superficiali durante la manipolazione e la lavorazione. Questo ulteriore strato di protezione garantisce che i wafer mantengano la loro integrità strutturale e affidabilità, anche in condizioni difficili.
Caratteristiche post-rivestimento
Qualità superficiale migliorata
Il rivestimento in oro migliora lalevigatezza superficialedel wafer, che è fondamentale peralta precisioneapplicazioni. Lerugosità superficialeè ridotto al minimo a diversi nanometri, garantendo una superficie impeccabile ideale per processi comesaldatura a filo, saldatura, Efotolitografia.
Proprietà di legame e saldatura migliorate
Lo strato d'oro esalta laproprietà di legamedel wafer, rendendolo ideale persaldatura a filoElegame flip-chipCiò si traduce in collegamenti elettrici sicuri e duraturi inConfezionamento ICEassemblaggi di semiconduttori.
Anticorrosione e di lunga durata
Il rivestimento in oro garantisce che il wafer rimanga esente da ossidazione e degradazione, anche dopo una prolungata esposizione a condizioni ambientali difficili. Ciò contribuisce astabilità a lungo terminedel dispositivo semiconduttore finale.
Stabilità termica ed elettrica
I wafer rivestiti in oro garantiscono una durata costantedissipazione termicaEconduttività elettrica, portando a prestazioni migliori eaffidabilitàdei dispositivi nel tempo, anche a temperature estreme.
Parametri
Proprietà | Valore |
Materiali di substrato | Silicio (Si), Zaffiro (Al₂O₃), Carburo di silicio (SiC) |
Spessore dello strato d'oro | 10 nm, 50 nm, 100 nm, 500 nm |
Purezza dell'oro | 99,999%(elevata purezza per prestazioni ottimali) |
Pellicola adesiva | Cromo (Cr),99,98%purezza |
Rugosità superficiale | Diversi nanometri |
Resistenza (wafer di Si) | 1-30 Ohm/cm |
Dimensioni dei wafer | 2 pollici, 4 pollici, 6 pollici, dimensioni personalizzate |
Spessore del wafer di Si | 275 µm, 381µm, 525 µm |
TTV | ≤20 µm |
Primario piatto (wafer di Si) | 15,9 ± 1,65 mmA32,5 ± 2,5 mm |
Applicazioni dei wafer rivestiti in oro
Imballaggio dei semiconduttori
I wafer rivestiti in oro sono ampiamente utilizzati inConfezionamento IC, dove il loroconduttività elettrica, durata meccanica, Edissipazione termicale proprietà garantiscono affidabilitàinterconnessioniElegamenei dispositivi semiconduttori.
Produzione di LED
Le cialde rivestite d'oro svolgono un ruolo fondamentale inProduzione di LED, dove miglioranogestione termicaEprestazioni elettricheLo strato d'oro garantisce che il calore generato dai LED ad alta potenza venga dissipato in modo efficiente, contribuendo a una maggiore durata e a una migliore efficienza.
Dispositivi optoelettronici
In optoelettronica, i wafer rivestiti d'oro vengono utilizzati in dispositivi comefotodetector, diodi laser, Esensori di luceIl rivestimento in oro garantisce un'eccellenteconduttività termicaEstabilità elettrica, garantendo prestazioni costanti nei dispositivi che richiedono un controllo preciso dei segnali luminosi ed elettrici.
Elettronica di potenza
Le cialde rivestite d'oro sono essenziali perdispositivi elettronici di potenza, dove elevata efficienza e affidabilità sono cruciali. Questi wafer garantiscono stabilitàconversione di potenzaEdissipazione del calorein dispositivi cometransistor di potenzaEregolatori di tensione.
Microelettronica e MEMS
In microelettronicaEMEMS (Sistemi Micro-Elettromeccanici), le cialde rivestite d'oro vengono utilizzate per crearecomponenti microelettromeccaniciche richiedono elevata precisione e durata. Lo strato d'oro fornisce prestazioni elettriche stabili eprotezione meccanicain dispositivi microelettronici sensibili.
Domande frequenti (Q&A)
D1: Perché utilizzare l'oro per rivestire i wafer?
Risposta 1:L'oro viene utilizzato per il suoconduttività elettrica superiore, resistenza alla corrosione, Egestione termicaproprietà. Garantisceinterconnessioni affidabili, maggiore durata del dispositivo, Eprestazioni costantinelle applicazioni dei semiconduttori.
D2: Quali sono i vantaggi dell'utilizzo di wafer rivestiti in oro nelle applicazioni dei semiconduttori?
A2:Le cialde rivestite d'oro fornisconoalta affidabilità, stabilità a lungo termine, Emigliori prestazioni elettriche e termiche. Migliorano ancheproprietà di legamee proteggere controossidazioneEcorrosione.
D3: Quale spessore di rivestimento in oro dovrei scegliere per la mia applicazione?
A3:Lo spessore ideale dipende dall'applicazione specifica.10 nmè adatto per applicazioni precise e delicate, mentre50 nmA100 nmi rivestimenti vengono utilizzati per dispositivi ad alta potenza.500 nmpuò essere utilizzato per applicazioni pesanti che richiedono strati più spessi perdurataEdissipazione del calore.
D4: È possibile personalizzare le dimensioni dei wafer?
A4:Sì, i wafer sono disponibili in2 pollici, 4 pollici, E6 pollicidimensioni standard, ma possiamo anche fornire dimensioni personalizzate per soddisfare le vostre esigenze specifiche.
D5: In che modo il rivestimento in oro migliora le prestazioni del dispositivo?
A5:L'oro miglioradissipazione termica, conduttività elettrica, Eresistenza alla corrosione, tutti fattori che contribuiscono a rendere il processo più efficiente edispositivi semiconduttori affidabilicon durate operative più lunghe.
D6: In che modo la pellicola adesiva migliora il rivestimento in oro?
A6:ILcromo (Cr)la pellicola adesiva assicura un forte legame tra ilstrato d'oroe ilsubstrato, prevenendo la delaminazione e garantendo l'integrità del wafer durante la lavorazione e l'uso.
Conclusione
I nostri wafer in silicio, zaffiro e SiC rivestiti in oro offrono soluzioni avanzate per applicazioni a semiconduttore, garantendo conduttività elettrica, dissipazione termica e resistenza alla corrosione superiori. Questi wafer sono ideali per il packaging di semiconduttori, la produzione di LED, l'optoelettronica e altro ancora. Grazie all'oro ad alta purezza, allo spessore del rivestimento personalizzabile e all'eccellente durata meccanica, garantiscono affidabilità a lungo termine e prestazioni costanti in ambienti difficili.
Diagramma dettagliato



