Wafer AlN-on-NPSS: strato di nitruro di alluminio ad alte prestazioni su substrato di zaffiro non lucidato per applicazioni ad alta temperatura, alta potenza e RF

Breve descrizione:

Il wafer AlN-on-NPSS combina uno strato di nitruro di alluminio (AlN) ad alte prestazioni con un substrato di zaffiro non lucidato (NPSS) per offrire una soluzione ideale per applicazioni ad alta temperatura, alta potenza e radiofrequenza (RF). La combinazione unica dell'eccezionale conduttività termica e delle proprietà elettriche dell'AlN, insieme all'eccellente resistenza meccanica del substrato, rende questo wafer la scelta ideale per applicazioni complesse come l'elettronica di potenza, i dispositivi ad alta frequenza e i componenti ottici. Grazie all'eccellente dissipazione del calore, alle basse perdite e alla compatibilità con ambienti ad alta temperatura, questo wafer consente lo sviluppo di dispositivi di nuova generazione con prestazioni superiori.

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Caratteristiche

Strato AlN ad alte prestazioni: Il nitruro di alluminio (AlN) è noto per le sueelevata conduttività termica(~200 W/m·K),ampio bandgap, Ealta tensione di rottura, rendendolo un materiale ideale perad alta potenza, alta frequenza, Ealta temperaturaapplicazioni.

Substrato di zaffiro non lucidato (NPSS): Lo zaffiro non lucidato fornisce unconveniente, meccanicamente robustobase, garantendo una base stabile per la crescita epitassiale senza la complessità della lucidatura superficiale. Le eccellenti proprietà meccaniche dell'NPSS lo rendono resistente anche in ambienti difficili.

Elevata stabilità termica: Il wafer AlN-on-NPSS può resistere a fluttuazioni di temperatura estreme, rendendolo adatto all'uso inelettronica di potenza, sistemi automobilistici, LED, Eapplicazioni otticheche richiedono prestazioni stabili in condizioni di alta temperatura.

Isolamento elettrico: L'AlN ha eccellenti proprietà di isolamento elettrico, rendendolo perfetto per applicazioni in cuiisolamento elettricoè fondamentale, inclusodispositivi RFEelettronica a microonde.

Dissipazione del calore superiore: Grazie all'elevata conduttività termica, lo strato di AlN garantisce un'efficace dissipazione del calore, essenziale per mantenere le prestazioni e la longevità dei dispositivi che funzionano ad alta potenza e frequenza.

Parametri tecnici

Parametro	Specificazione
Diametro del wafer	2 pollici, 4 pollici (disponibili dimensioni personalizzate)
Tipo di substrato	Substrato di zaffiro non lucidato (NPSS)
Spessore dello strato di AlN	Da 2µm a 10µm (personalizzabile)
Spessore del substrato	430µm ± 25µm (per 2 pollici), 500µm ± 25µm (per 4 pollici)
Conduttività termica	200 W/m·K
Resistività elettrica	Elevato isolamento, adatto per applicazioni RF
Rugosità superficiale	Ra ≤ 0,5µm (per strato di AlN)
Purezza del materiale	AlN ad alta purezza (99,9%)
Colore	Bianco/Bianco sporco (strato di AlN con substrato NPSS di colore chiaro)
Ordito del wafer	< 30µm (tipico)
Tipo di doping	Non drogato (può essere personalizzato)

Applicazioni

ILWafer AlN-su-NPSSè progettato per un'ampia varietà di applicazioni ad alte prestazioni in diversi settori:

Elettronica ad alta potenza: L'elevata conduttività termica e le proprietà isolanti dello strato di AlN lo rendono un materiale ideale pertransistor di potenza, raddrizzatori, Ecircuiti integrati di potenzautilizzato inautomobilistico, industriale, Eenergia rinnovabilesistemi.

Componenti a radiofrequenza (RF): Le eccellenti proprietà di isolamento elettrico dell'AlN, unite alle sue basse perdite, consentono la produzione ditransistor RF, HEMT (transistor ad alta mobilità elettronica), e altricomponenti a microondeche funzionano in modo efficiente ad alte frequenze e livelli di potenza.

Dispositivi ottici: I wafer AlN-on-NPSS vengono utilizzati indiodi laser, LED, Efotodetector, dove ilelevata conduttività termicaErobustezza meccanicasono essenziali per mantenere le prestazioni nel corso di lunghi periodi di vita.

Sensori ad alta temperatura:La capacità del wafer di resistere al calore estremo lo rende adatto persensori di temperaturaEmonitoraggio ambientalein settori comeaerospaziale, automobilistico, Epetrolio e gas.

Imballaggio dei semiconduttori: Utilizzato in diffusori di caloreEstrati di gestione termicanei sistemi di confezionamento, garantendo l'affidabilità e l'efficienza dei semiconduttori.

Domande e risposte

D: Qual è il vantaggio principale dei wafer AlN-on-NPSS rispetto ai materiali tradizionali come il silicio?

A: Il vantaggio principale è l'AlNelevata conduttività termica, che gli consente di dissipare efficacemente il calore, rendendolo ideale perad alta potenzaEapplicazioni ad alta frequenzadove la gestione del calore è fondamentale. Inoltre, l'AlN ha unampio bandgaped eccellenteisolamento elettrico, rendendolo superiore per l'uso inRFEdispositivi a microonderispetto al silicio tradizionale.

D: È possibile personalizzare lo strato di AlN sui wafer NPSS?

R: Sì, lo strato di AlN può essere personalizzato in termini di spessore (da 2 µm a 10 µm o più) per soddisfare le esigenze specifiche della vostra applicazione. Offriamo anche personalizzazioni in termini di tipo di drogaggio (tipo N o tipo P) e strati aggiuntivi per funzioni specifiche.

D: Qual è l'applicazione tipica di questo wafer nel settore automobilistico?

A: Nel settore automobilistico, i wafer AlN-on-NPSS sono comunemente utilizzati inelettronica di potenza, sistemi di illuminazione a LED, Esensori di temperaturaOffrono una gestione termica e un isolamento elettrico superiori, essenziali per i sistemi ad alta efficienza che operano in condizioni di temperatura variabili.