AlN su FSS NPSS/FSS da 2 pollici e 4 pollici Modello AlN per l'area dei semiconduttori

Breve descrizione:

I wafer AlN su FSS (substrato flessibile) offrono una combinazione unica di eccezionale conduttività termica, resistenza meccanica e proprietà di isolamento elettrico del nitruro di alluminio (AlN), abbinate alla flessibilità di un substrato ad alte prestazioni. Questi wafer da 2 e 4 pollici sono specificamente progettati per applicazioni avanzate nel settore dei semiconduttori, in particolare dove la gestione termica e la flessibilità del dispositivo sono fondamentali. Con l'opzione di NPSS (substrato non lucidato) e FSS (substrato flessibile) come base, questi modelli AlN sono ideali per applicazioni nell'elettronica di potenza, nei dispositivi RF e nei sistemi elettronici flessibili, dove l'elevata conduttività termica e la flessibilità di integrazione sono fondamentali per migliorare le prestazioni e l'affidabilità del dispositivo.

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Proprietà

Composizione del materiale:
Nitruro di alluminio (AlN) – Strato ceramico bianco ad alte prestazioni che offre un'eccellente conduttività termica (tipicamente 200-300 W/m·K), un buon isolamento elettrico e un'elevata resistenza meccanica.
Substrato flessibile (FSS) – Film polimerici flessibili (come poliimmide, PET, ecc.) che offrono durata e flessibilità senza compromettere la funzionalità dello strato di AlN.

Dimensioni dei wafer disponibili:
2 pollici (50,8 mm)
4 pollici (100 mm)

Spessore:
Strato di AlN: 100-2000 nm
Spessore del substrato FSS: 50µm-500µm (personalizzabile in base alle esigenze)

Opzioni di finitura superficiale:
NPSS (substrato non lucidato): superficie del substrato non lucidata, adatta per determinate applicazioni che richiedono profili superficiali più ruvidi per una migliore adesione o integrazione.
FSS (substrato flessibile): pellicola flessibile lucidata o non lucidata, con possibilità di superfici lisce o testurizzate, a seconda delle specifiche esigenze applicative.

Proprietà elettriche:
Isolante: le proprietà di isolamento elettrico dell'AlN lo rendono ideale per applicazioni ad alta tensione e nei semiconduttori di potenza.
Costante dielettrica: ~9,5
Conduttività termica: 200-300 W/m·K (a seconda del grado e dello spessore specifici di AlN)

Proprietà meccaniche:
Flessibilità: l'AlN viene depositato su un substrato flessibile (FSS) che consente piegatura e flessibilità.
Durezza superficiale: l'AlN è estremamente durevole e resiste ai danni fisici in normali condizioni operative.

Applicazioni

Dispositivi ad alta potenza: Ideale per l'elettronica di potenza che richiede un'elevata dissipazione termica, come convertitori di potenza, amplificatori RF e moduli LED ad alta potenza.

Componenti RF e microonde: Adatto a componenti come antenne, filtri e risonatori in cui sono richieste sia conduttività termica sia flessibilità meccanica.

Elettronica flessibile: Perfetto per applicazioni in cui i dispositivi devono adattarsi a superfici non planari o richiedono un design leggero e flessibile (ad esempio, dispositivi indossabili, sensori flessibili).

Imballaggio dei semiconduttori: Utilizzato come substrato nel packaging dei semiconduttori, offre dissipazione termica in applicazioni che generano calore elevato.

LED e optoelettronica: Per dispositivi che richiedono il funzionamento ad alta temperatura con una dissipazione del calore efficiente.

Tabella dei parametri

Proprietà	Valore o intervallo
Dimensione del wafer	2 pollici (50,8 mm), 4 pollici (100 mm)
Spessore dello strato di AlN	100 nm – 2000 nm
Spessore del substrato FSS	50µm – 500µm (personalizzabile)
Conduttività termica	200 – 300 W/m·K
Proprietà elettriche	Isolante (costante dielettrica: ~9,5)
Finitura superficiale	Lucidato o non lucidato
Tipo di substrato	NPSS (substrato non lucidato), FSS (substrato flessibile)
Flessibilità meccanica	Elevata flessibilità, ideale per elettronica flessibile
Colore	Da bianco a bianco sporco (a seconda del substrato)

Applicazioni

●Elettronica di potenza:La combinazione di elevata conduttività termica e flessibilità rende questi wafer perfetti per dispositivi di potenza quali convertitori di potenza, transistor e regolatori di tensione che richiedono un'efficiente dissipazione del calore.
●Dispositivi RF/microonde:Grazie alle eccellenti proprietà termiche e alla bassa conduttività elettrica dell'AlN, questi wafer vengono utilizzati nei componenti RF come amplificatori, oscillatori e antenne.
●Elettronica flessibile:La flessibilità dello strato FSS, abbinata all'eccellente gestione termica dell'AlN, lo rende la scelta ideale per l'elettronica indossabile e i sensori.
●Imballaggio dei semiconduttori:Utilizzato per il confezionamento di semiconduttori ad alte prestazioni, in cui l'efficace dissipazione termica e l'affidabilità sono essenziali.
●Applicazioni LED e optoelettroniche:Il nitruro di alluminio è un materiale eccellente per il packaging dei LED e altri dispositivi optoelettronici che richiedono un'elevata resistenza al calore.

Domande e risposte (domande frequenti)

D1: Quali sono i vantaggi dell'utilizzo di AlN su wafer FSS?

A1: I wafer AlN su FSS combinano l'elevata conduttività termica e le proprietà di isolamento elettrico dell'AlN con la flessibilità meccanica di un substrato polimerico. Ciò consente una migliore dissipazione del calore nei sistemi elettronici flessibili, mantenendo al contempo l'integrità del dispositivo in condizioni di piegatura e allungamento.

D2: Quali sono le dimensioni disponibili per AlN su wafer FSS?

A2: Offriamo2 polliciE4 polliciDimensioni dei wafer. Dimensioni personalizzate possono essere discusse su richiesta per soddisfare le vostre specifiche esigenze applicative.

D3: Posso personalizzare lo spessore dello strato di AlN?

A3: Sì, ilSpessore dello strato di AlNpuò essere personalizzato, con intervalli tipici daDa 100 nm a 2000 nma seconda dei requisiti della tua applicazione.