Substrato di recupero fittizio da 1-100 Ω wafer di silicio tipo P/N (100) da 8 pollici

Breve descrizione:

Ampio inventario di wafer lucidati su entrambi i lati, tutti i wafer da 50 a 400 mm di diametro. Se la vostra specifica non è disponibile nel nostro inventario, abbiamo stabilito rapporti a lungo termine con molti fornitori che sono in grado di fabbricare wafer personalizzati per adattarsi a qualsiasi specifica unica. I wafer lucidati su entrambi i lati possono essere utilizzati per silicio, vetro e altri materiali comunemente utilizzati nell'industria dei semiconduttori.

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Dettagli del prodotto

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Introduzione della scatola per wafer

Il wafer di silicio da 8 pollici è un materiale di substrato di silicio comunemente usato ed è ampiamente utilizzato nel processo di produzione di circuiti integrati. Tali wafer di silicio vengono comunemente utilizzati per realizzare vari tipi di circuiti integrati, inclusi microprocessori, chip di memoria, sensori e altri dispositivi elettronici. I wafer di silicio da 8 pollici sono comunemente utilizzati per realizzare chip di dimensioni relativamente grandi, con vantaggi tra cui un'area superficiale più ampia e la capacità di realizzare più chip su un singolo wafer di silicio, con conseguente maggiore efficienza produttiva. Il wafer di silicio da 8 pollici ha anche buone proprietà meccaniche e chimiche, adatte per la produzione di circuiti integrati su larga scala.

Caratteristiche del prodotto

Tipo P/N da 8", wafer di silicio lucido (25 pezzi)

Orientamento: 200

Resistività: 0,1 - 40 ohm•cm (può variare da lotto a lotto)

Spessore: 725+/-20um

Grado Prime/Monitor/Test

PROPRIETÀ MATERIALI

Parametro	Caratteristica
Tipo/Drogante	P, Boro N, Fosforo N, Antimonio N, Arsenico
Orientamenti	<100>, <111> ritaglia gli orientamenti in base alle specifiche del cliente
Contenuto di ossigeno	10¹⁹ppmA Tolleranze personalizzate in base alle specifiche del cliente
Contenuto di carbonio	<0,6 ppmA

PROPRIETÀ MECCANICHE

Parametro	Primo	Monitorare/Test A	Test
Diametro	200±0,2 mm	200 ± 0,2 mm	200 ± 0,5 mm
Spessore	725±20μm (standard)	725±25μm(standard) 450±25μm 625±25μm 1000±25μm 1300±25μm 1500±25 µm	725±50μm (standard)
TTV	< 5 µm	< 10 µm	< 15 µm
Arco	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Avvolgere	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Arrotondamento dei bordi	SEMI-STD
Marcatura	Solo SEMI-Flat primario, SEMI-STD Flats Jeida Flat, Notch

Parametro	Primo	Monitorare/Test A	Test
Criteri del lato anteriore
Condizioni superficiali	Lucido Chimico Meccanico	Lucido Chimico Meccanico	Lucido Chimico Meccanico
Rugosità superficiale	< 2 A°	< 2 A°	< 2 A°
Contaminazione Particelle@ >0,3 µm	= 20	= 20	= 30
Foschia, pozzi Buccia d'arancia	Nessuno	Nessuno	Nessuno
Visto, Marks Striature	Nessuno	Nessuno	Nessuno
Criteri del lato posteriore
Crepe, zampe di gallina, segni di sega, macchie	Nessuno	Nessuno	Nessuno
Condizioni superficiali	Incisione caustica