Substrato di recupero fittizio da 8 pollici di wafer di silicio tipo P/N (100) 1-100Ω
Introduzione della scatola per wafer
Il wafer di silicio da 8 pollici è un materiale di substrato di silicio comunemente utilizzato ed è ampiamente utilizzato nel processo di produzione di circuiti integrati. Questi wafer di silicio sono comunemente utilizzati per realizzare vari tipi di circuiti integrati, inclusi microprocessori, chip di memoria, sensori e altri dispositivi elettronici. I wafer di silicio da 8 pollici sono comunemente utilizzati per realizzare chip di dimensioni relativamente grandi, con vantaggi tra cui una maggiore superficie e la possibilità di produrre più chip su un singolo wafer di silicio, con conseguente maggiore efficienza produttiva. Il wafer di silicio da 8 pollici presenta inoltre buone proprietà meccaniche e chimiche, che lo rendono adatto alla produzione di circuiti integrati su larga scala.
Caratteristiche del prodotto
Wafer di silicio lucidato tipo P/N da 8" (25 pezzi)
Orientamento: 200
Resistività: 0,1 - 40 ohm•cm (può variare da lotto a lotto)
Spessore: 725+/-20um
Grado Prime/Monitor/Test
PROPRIETÀ DEI MATERIALI
Parametro | Caratteristica |
Tipo/Drogante | P, Boro N, Fosforo N, Antimonio N, Arsenico |
Orientamenti | <100>, <111> orientamenti di taglio secondo le specifiche del cliente |
Contenuto di ossigeno | 1019ppmA Tolleranze personalizzate secondo le specifiche del cliente |
Contenuto di carbonio | < 0,6 ppmA |
PROPRIETÀ MECCANICHE
Parametro | Primo | Monitor/Test A | Test |
Diametro | 200±0,2 mm | 200 ± 0,2 mm | 200 ± 0,5 millimetri |
Spessore | 725±20µm (standard) | 725±25µm (standard) 450±25µm 625±25µm 1000±25µm 1300±25µm 1500±25 µm | 725±50µm (standard) |
TTV | < 5 µm | < 10 µm | < 15 µm |
Arco | < 30 µm | < 30 µm | < 50 µm |
Avvolgere | < 30 µm | < 30 µm | < 50 µm |
Arrotondamento dei bordi | SEMI-STD | ||
Marcatura | Solo semi-piatto primario, semi-standard piatti Jeida Flat, Notch |
Parametro | Primo | Monitor/Test A | Test |
Criteri del lato anteriore | |||
Condizione della superficie | Lucidato chimico meccanico | Lucidato chimico meccanico | Lucidato chimico meccanico |
Rugosità superficiale | < 2 A° | < 2 A° | < 2 A° |
Contaminazione Particelle @ >0,3 µm | = 20 | = 20 | = 30 |
Foschia, pozzi Buccia d'arancia | Nessuno | Nessuno | Nessuno |
Sega, segni Striature | Nessuno | Nessuno | Nessuno |
Criteri del lato posteriore | |||
Crepe, zampe di gallina, segni di sega, macchie | Nessuno | Nessuno | Nessuno |
Condizione della superficie | Caustico inciso |
Diagramma dettagliato


