Substrato SiC 4H-N per wafer di produzione SiC da 8 pollici

Wafer SiC da 8 pollici per produzione Substrato SiC 4H-N Immagine in evidenza

Breve descrizione:

I substrati SiC da 8 pollici vengono utilizzati in dispositivi elettronici ad alta potenza, come MOSFET di potenza (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo), diodi Schottky e altri dispositivi a semiconduttore di potenza.

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La tabella seguente mostra le specifiche dei nostri wafer SiC da 8 pollici:

Specifiche DSP SiC di tipo N da 8 pollici
Numero	Articolo	Unità	Produzione	Ricerca	Manichino
1:parametri
1.1	politipo	--	4H	4H	4H
1.2	orientamento della superficie	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2: Parametro elettrico
2.1	drogante	--	Azoto di tipo n	Azoto di tipo n	Azoto di tipo n
2.2	resistività	ohm ·cm	0,015~0,025	0,01~0,03	NA
3:Parametro meccanico
3.1	diametro	mm	200±0,2	200±0,2	200±0,2
3.2	spessore	µm	500±25	500±25	500±25
3.3	Orientamento della tacca	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Profondità della tacca	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	LTV	µm	≤5(10mm*10mm)	≤5(10mm*10mm)	≤10(10mm*10mm)
3.6	TTV	µm	≤10	≤10	≤15
3.7	Arco	µm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Ordito	µm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra ≤ 0,2	Ra ≤ 0,2	Ra ≤ 0,2
4:Struttura
4.1	densità del microtubo	cad/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	contenuto di metallo	atomi/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	cad/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	cad/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	cad/cm2	≤7000	≤10000	NA
5. Qualità frontale
5.1	davanti	--	Si	Si	Si
5.2	finitura superficiale	--	Si-face CMP	Si-face CMP	Si-face CMP
5.3	particella	pezzo/cialda	≤100 (dimensione≥0,3μm)	NA	NA
5.4	graffio	pezzo/cialda	≤5,Lunghezza totale≤200mm	NA	NA
5.5	Bordo scheggiature/tacche/crepe/macchie/contaminazione	--	Nessuno	Nessuno	NA
5.6	Aree di politipo	--	Nessuno	Area ≤10%	Area ≤30%
5.7	marcatura frontale	--	Nessuno	Nessuno	Nessuno
6:Qualità del dorso
6.1	finitura posteriore	--	MP faccia C	MP faccia C	MP faccia C
6.2	graffio	mm	NA	NA	NA
6.3	Bordo dei difetti del retro scheggiature/rientranze	--	Nessuno	Nessuno	NA
6.4	Rugosità della schiena	nm	Ra ≤5	Ra ≤5	Ra ≤5
6.5	Marcatura sul retro	--	Tacca	Tacca	Tacca
7: bordo
7.1	bordo	--	Smussare	Smussare	Smussare
8:Pacchetto
8.1	confezione	--	Epi-pronto con il vuoto confezione	Epi-pronto con il vuoto confezione	Epi-pronto con il vuoto confezione
8.2	confezione	--	Multiwafer confezione della cassetta	Multiwafer confezione della cassetta	Multiwafer confezione della cassetta