Wafer in carburo di silicio SiC da 8 pollici, tipo 4H-N, 0,5 mm, substrato lucidato personalizzato di qualità di produzione e qualità di ricerca

Wafer in carburo di silicio SiC da 8 pollici, tipo 4H-N, 0,5 mm, qualità di produzione, substrato lucidato personalizzato di qualità di ricerca. Immagine in evidenza

Breve descrizione:

Il carburo di silicio (SiC), noto anche come carburo di silicio, è un semiconduttore contenente silicio e carbonio con formula chimica SiC. Il SiC è utilizzato in dispositivi elettronici a semiconduttore che operano ad alte temperature o alte pressioni, o entrambe. Il SiC è anche uno dei componenti più importanti dei LED, è un substrato comune per la crescita di dispositivi GaN e può essere utilizzato anche come dissipatore di calore per LED ad alta potenza.
Il substrato in carburo di silicio da 8 pollici è un componente importante della terza generazione di materiali semiconduttori, caratterizzato da elevata intensità del campo di rottura, elevata conduttività termica, elevata velocità di deriva della saturazione elettronica, ecc., ed è adatto alla realizzazione di dispositivi elettronici ad alta temperatura, alta tensione e alta potenza. I suoi principali campi di applicazione includono veicoli elettrici, trasporto ferroviario, trasmissione e trasformazione di energia ad alta tensione, fotovoltaico, comunicazioni 5G, accumulo di energia, aerospaziale e data center di elaborazione dati basati su AI.

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Caratteristiche

Le caratteristiche principali del substrato in carburo di silicio da 8 pollici di tipo 4H-N includono:

1. Densità dei microtubuli: ≤ 0,1/cm² o inferiore, ad esempio la densità dei microtubuli è significativamente ridotta a meno di 0,05/cm² in alcuni prodotti.
2. Rapporto di forma cristallina: il rapporto di forma cristallina 4H-SiC raggiunge il 100%.
3. Resistività: 0,014~0,028 Ω·cm, o più stabile tra 0,015-0,025 Ω·cm.
4. Rugosità superficiale: CMP Si Face Ra≤0,12nm.
5. Spessore: solitamente 500,0±25μm o 350,0±25μm.
6. Angolo di smussatura: 25±5° o 30±5° per A1/A2 a seconda dello spessore.
7. Densità totale di dislocazione: ≤3000/cm².
8. Contaminazione metallica superficiale: ≤1E+11 atomi/cm².
9. Piegatura e deformazione: rispettivamente ≤ 20μm e ≤2μm.
Grazie a queste caratteristiche, i substrati in carburo di silicio da 8 pollici hanno un importante valore applicativo nella produzione di dispositivi elettronici ad alta temperatura, alta frequenza e alta potenza.

Il wafer di carburo di silicio da 8 pollici ha molteplici applicazioni.

1. Dispositivi di potenza: i wafer di SiC sono ampiamente utilizzati nella produzione di dispositivi elettronici di potenza come MOSFET (transistor a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore), diodi Schottky e moduli di integrazione di potenza. Grazie all'elevata conduttività termica, all'elevata tensione di rottura e all'elevata mobilità elettronica del SiC, questi dispositivi possono realizzare una conversione di potenza efficiente e ad alte prestazioni in ambienti ad alta temperatura, alta tensione e alta frequenza.

2. Dispositivi optoelettronici: i wafer di SiC svolgono un ruolo fondamentale nei dispositivi optoelettronici, utilizzati per produrre fotodetectori, diodi laser, sorgenti ultraviolette, ecc. Le proprietà ottiche ed elettroniche superiori del carburo di silicio lo rendono il materiale di scelta, soprattutto nelle applicazioni che richiedono alte temperature, alte frequenze e alti livelli di potenza.

3. Dispositivi a radiofrequenza (RF): i chip SiC vengono utilizzati anche per produrre dispositivi RF come amplificatori di potenza RF, interruttori ad alta frequenza, sensori RF e altro ancora. L'elevata stabilità termica, le caratteristiche ad alta frequenza e le basse perdite del SiC lo rendono ideale per applicazioni RF come le comunicazioni wireless e i sistemi radar.

4. Elettronica ad alta temperatura: grazie alla loro elevata stabilità termica ed elasticità alla temperatura, i wafer di SiC vengono utilizzati per produrre prodotti elettronici progettati per funzionare in ambienti ad alta temperatura, tra cui elettronica di potenza ad alta temperatura, sensori e controller.

I principali campi di applicazione del substrato in carburo di silicio da 8 pollici di tipo 4H-N includono la produzione di dispositivi elettronici ad alta temperatura, alta frequenza e alta potenza, in particolare nei settori dell'elettronica automobilistica, dell'energia solare, della generazione di energia eolica, delle locomotive elettriche, dei server, degli elettrodomestici e dei veicoli elettrici. Inoltre, dispositivi come i MOSFET SiC e i diodi Schottky hanno dimostrato eccellenti prestazioni nelle frequenze di commutazione, negli esperimenti di cortocircuito e nelle applicazioni con inverter, favorendone l'utilizzo nell'elettronica di potenza.

XKH può essere personalizzato con diversi spessori in base alle esigenze del cliente. Sono disponibili diversi trattamenti di rugosità superficiale e lucidatura. Sono supportati diversi tipi di drogaggio (come il drogaggio con azoto). XKH può fornire supporto tecnico e servizi di consulenza per garantire che i clienti possano risolvere i problemi durante il processo di utilizzo. Il substrato in carburo di silicio da 8 pollici offre vantaggi significativi in termini di riduzione dei costi e maggiore capacità, che può ridurre il costo unitario del chip di circa il 50% rispetto al substrato da 6 pollici. Inoltre, l'aumento di spessore del substrato da 8 pollici contribuisce a ridurre le deviazioni geometriche e la deformazione dei bordi durante la lavorazione, migliorando così la resa.