Wafer in carburo di silicio SiC da 8 pollici tipo 4H-N substrato lucidato personalizzato per grado di ricerca da 0,5 mm di produzione

Wafer in carburo di silicio SiC da 8 pollici tipo 4H-N substrato lucidato personalizzato da 0,5 mm per grado di produzione per ricerca

Breve descrizione:

Il carburo di silicio (SiC), noto anche come carburo di silicio, è un semiconduttore contenente silicio e carbonio con la formula chimica SiC. Il SiC viene utilizzato nei dispositivi elettronici a semiconduttore che funzionano a temperature elevate o pressioni elevate, o entrambe. Il SiC è anche uno dei componenti LED più importanti, è un substrato comune per i dispositivi GaN in crescita e può anche essere utilizzato come dissipatore di calore per LED ad alta potenza.
Il substrato in carburo di silicio da 8 pollici è una parte importante della terza generazione di materiali semiconduttori, che ha le caratteristiche di elevata intensità di campo di rottura, elevata conduttività termica, elevato tasso di deriva della saturazione degli elettroni, ecc., ed è adatto per produrre alte temperature, dispositivi elettronici ad alta tensione e ad alta potenza. I suoi principali campi di applicazione includono veicoli elettrici, trasporto ferroviario, trasmissione e trasformazione di energia ad alta tensione, fotovoltaico, comunicazioni 5G, stoccaggio di energia, aerospaziale e data center di potenza di calcolo con intelligenza artificiale.

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Dettagli del prodotto

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Le caratteristiche principali del substrato in carburo di silicio da 8 pollici di tipo 4H-N includono:

1. Densità dei microtubuli: ≤ 0,1/cm² o inferiore, ad esempio la densità dei microtubuli è significativamente ridotta a meno di 0,05/cm² in alcuni prodotti.
2. Rapporto di forma cristallina: il rapporto di forma cristallina 4H-SiC raggiunge il 100%.
3. Resistività: 0,014~0,028 Ω·cm, o più stabile tra 0,015-0,025 Ω·cm.
4. Rugosità superficiale: CMP Si Face Ra≤0,12 nm.
5. Spessore: solitamente 500,0±25μm o 350,0±25μm.
6. Angolo di smussatura: 25±5° o 30±5° per A1/A2 a seconda dello spessore.
7. Densità totale delle dislocazioni: ≤3000/cm².
8. Contaminazione metallica superficiale: ≤1E+11 atomi/cm².
9. Piegatura e deformazione: ≤ 20μm e ≤2μm, rispettivamente.
Queste caratteristiche fanno sì che i substrati in carburo di silicio da 8 pollici abbiano un importante valore applicativo nella produzione di dispositivi elettronici ad alta temperatura, alta frequenza e alta potenza.

Il wafer in carburo di silicio da 8 pollici ha diverse applicazioni.

1. Dispositivi di potenza: i wafer SiC sono ampiamente utilizzati nella produzione di dispositivi elettronici di potenza come MOSFET di potenza (transistor a effetto di campo semiconduttore a ossido di metallo), diodi Schottky e moduli di integrazione di potenza. Grazie all'elevata conduttività termica, all'elevata tensione di rottura e all'elevata mobilità degli elettroni del SiC, questi dispositivi possono ottenere una conversione di potenza efficiente e ad alte prestazioni in ambienti ad alta temperatura, alta tensione e alta frequenza.

2. Dispositivi optoelettronici: i wafer SiC svolgono un ruolo vitale nei dispositivi optoelettronici, utilizzati per produrre fotorilevatori, diodi laser, sorgenti ultraviolette, ecc. Le proprietà ottiche ed elettroniche superiori del carburo di silicio lo rendono il materiale preferito, soprattutto in applicazioni che richiedono alte temperature, alte frequenze e livelli di potenza elevati.

3. Dispositivi a radiofrequenza (RF): i chip SiC vengono utilizzati anche per produrre dispositivi RF come amplificatori di potenza RF, interruttori ad alta frequenza, sensori RF e altro ancora. L'elevata stabilità termica, le caratteristiche ad alta frequenza e le basse perdite del SiC lo rendono ideale per applicazioni RF come comunicazioni wireless e sistemi radar.

4. Elettronica ad alta temperatura: grazie alla loro elevata stabilità termica ed elasticità alla temperatura, i wafer SiC vengono utilizzati per produrre prodotti elettronici progettati per funzionare in ambienti ad alta temperatura, inclusi dispositivi elettronici di potenza, sensori e controller ad alta temperatura.

I principali percorsi di applicazione del substrato in carburo di silicio da 8 pollici di tipo 4H-N includono la produzione di dispositivi elettronici ad alta temperatura, alta frequenza e alta potenza, in particolare nei campi dell'elettronica automobilistica, dell'energia solare, della generazione di energia eolica, dell'elettricità locomotive, server, elettrodomestici e veicoli elettrici. Inoltre, dispositivi come i MOSFET SiC e i diodi Schottky hanno dimostrato prestazioni eccellenti nelle frequenze di commutazione, negli esperimenti di cortocircuito e nelle applicazioni con inverter, guidandone l'uso nell'elettronica di potenza.

XKH può essere personalizzato con spessori diversi in base alle esigenze del cliente. Sono disponibili diversi trattamenti di rugosità superficiale e lucidatura. Sono supportati diversi tipi di drogaggio (come il drogaggio con azoto). XKH può fornire supporto tecnico e servizi di consulenza per garantire che i clienti possano risolvere i problemi durante il processo di utilizzo. Il substrato in carburo di silicio da 8 pollici presenta vantaggi significativi in termini di riduzione dei costi e maggiore capacità, che possono ridurre il costo unitario del chip di circa il 50% rispetto al substrato da 6 pollici. Inoltre, lo spessore maggiorato del substrato da 8 pollici aiuta a ridurre le deviazioni geometriche e la deformazione dei bordi durante la lavorazione, migliorando così la resa.