Wafer LiNbO3 LN wafer al niobato di litio da 8 pollici

Immagine in evidenza del wafer LiNbO3 LN del wafer al niobato di litio da 8 pollici

Breve descrizione:

I wafer al niobato di litio da 8 pollici sono ampiamente utilizzati nei dispositivi optoelettronici e nei circuiti integrati. Rispetto ai wafer più piccoli, i wafer al niobato di litio da 8 pollici presentano evidenti vantaggi. Innanzitutto, ha un’area più ampia e può ospitare più dispositivi e circuiti integrati, migliorando l’efficienza e la resa della produzione. In secondo luogo, wafer più grandi possono raggiungere una maggiore densità dei dispositivi, migliorando l’integrazione e le prestazioni del dispositivo. Inoltre, i wafer al niobato di litio da 8 pollici forniscono una migliore consistenza, riducendo la variabilità nel processo di produzione e migliorando l'affidabilità e la consistenza del prodotto.

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Dettagli del prodotto

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Informazioni dettagliate

Diametro	200±0,2 mm
maggiore planarità	57,5 mm, tacca
Orientamento	128 Taglio a Y, taglio a X, taglio a Z
Spessore	0,5±0,025 mm, 1,0±0,025 mm
Superficie	DSP e SSP
TTV	< 5 µm
ARCO	± (20μm ~40um)
Ordito	<= 20μm ~ 50μm
LTV (5mmx5mm)	<1,5 um
PLTV(<0,5um)	≥98% (5mm*5mm) con bordo da 2mm escluso
Ra	Ra<=5A
Gratta e scava (S/D)	20/10, 40/20, 60/40
Bordo	Scopri SEMI M1.2@con GC800#. regolare di tipo C

Specifiche specifiche

Diametro: 8 pollici (circa 200 mm)

Spessore: gli spessori standard comuni vanno da 0,5 mm a 1 mm. Altri spessori possono essere personalizzati in base alle specifiche esigenze

Orientamento del cristallo: l'orientamento del cristallo comune principale è l'orientamento del cristallo con taglio 128Y, taglio Z e taglio X e altri orientamenti del cristallo possono essere forniti a seconda dell'applicazione specifica

Vantaggi dimensionali: i wafer per carpa serrata da 8 pollici presentano numerosi vantaggi dimensionali rispetto ai wafer più piccoli:

Area più ampia: rispetto ai wafer da 6 o 4 pollici, i wafer da 8 pollici forniscono un'area superficiale più ampia e possono ospitare più dispositivi e circuiti integrati, con conseguente aumento dell'efficienza e della resa della produzione.

Maggiore densità: utilizzando wafer da 8 pollici, è possibile realizzare più dispositivi e componenti nella stessa area, aumentando l'integrazione e la densità del dispositivo, che a sua volta migliora le prestazioni del dispositivo.

Migliore consistenza: i wafer più grandi hanno una migliore consistenza nel processo di produzione, contribuendo a ridurre la variabilità del processo di produzione e a migliorare l'affidabilità e la consistenza del prodotto.

I wafer L e LN da 8 pollici hanno lo stesso diametro dei wafer di silicio tradizionali e sono facili da incollare. Come materiale "filtro SAW articolato" ad alte prestazioni in grado di gestire le bande ad alta frequenza.