Il tipo N/P del wafer epitassiale SiC da 6 pollici accetta la personalizzazione
Il processo di preparazione del wafer epitassiale in carburo di silicio è un metodo che utilizza la tecnologia CVD (Chemical Vapour Deposition).Di seguito sono riportati i principi tecnici rilevanti e le fasi del processo di preparazione:
Principio tecnico:
Deposizione chimica da vapore: utilizzando il gas della materia prima nella fase gassosa, in condizioni di reazione specifiche, viene decomposto e depositato sul substrato per formare la pellicola sottile desiderata.
Reazione in fase gassosa: attraverso la pirolisi o la reazione di cracking, diversi gas della materia prima nella fase gassosa vengono modificati chimicamente nella camera di reazione.
Fasi del processo di preparazione:
Trattamento del substrato: il substrato è sottoposto a pulizia superficiale e pretrattamento per garantire la qualità e la cristallinità del wafer epitassiale.
Debug della camera di reazione: regola la temperatura, la pressione e la portata della camera di reazione e altri parametri per garantire la stabilità e il controllo delle condizioni di reazione.
Fornitura di materie prime: fornire le materie prime gassose richieste nella camera di reazione, miscelando e controllando la portata secondo necessità.
Processo di reazione: riscaldando la camera di reazione, la materia prima gassosa subisce una reazione chimica nella camera per produrre il deposito desiderato, ovvero una pellicola di carburo di silicio.
Raffreddamento e scarico: Al termine della reazione, la temperatura viene gradualmente abbassata per raffreddare e solidificare i depositi nella camera di reazione.
Ricottura e post-elaborazione del wafer epitassiale: il wafer epitassiale depositato viene ricotto e post-elaborato per migliorarne le proprietà elettriche e ottiche.
Le fasi e le condizioni specifiche del processo di preparazione del wafer epitassiale al carburo di silicio possono variare a seconda delle apparecchiature e dei requisiti specifici.Quanto sopra è solo un flusso e un principio generale del processo, l'operazione specifica deve essere adattata e ottimizzata in base alla situazione reale.
Diagramma dettagliato
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