6 in lingotto semi-isolante in carburo di silicio 4H-SiC, grado fittizio
Proprietà
1. Proprietà fisiche e strutturali
●Tipo di materiale: carburo di silicio (SiC)
●Politipo: 4H-SiC, struttura cristallina esagonale
●Diametro: 6 pollici (150 mm)
●Spessore: configurabile (tipico per il grado fittizio: 5-15 mm)
●Orientamento dei cristalli:
oPrimario: [0001] (piano C)
oOpzioni secondarie: fuori asse 4° per una crescita epitassiale ottimizzata
●Orientamento piano primario: (10-10) ± 5°
●Orientamento del piano secondario: 90° in senso antiorario dal piano primario ± 5°
2. Proprietà elettriche
●Resistività:
oSemi-isolante (>106^66 Ω·cm), ideale per ridurre al minimo la capacità parassita.
●Tipo di doping:
oDrogato in modo non intenzionale, con conseguente elevata resistività elettrica e stabilità in una gamma di condizioni operative.
3. Proprietà termiche
●Conduttività termica: 3,5-4,9 W/cm·K, che consente un'efficace dissipazione del calore nei sistemi ad alta potenza.
●Coefficiente di dilatazione termica: 4,2×10−64,2 \times 10^{-6}4,2×10−6/K, che garantisce stabilità dimensionale durante la lavorazione ad alta temperatura.
4. Proprietà ottiche
●Bandgap: ampio bandgap di 3,26 eV, che consente il funzionamento ad alte tensioni e temperature.
●Trasparenza: elevata trasparenza alle lunghezze d'onda UV e visibili, utile per test optoelettronici.
5. Proprietà meccaniche
●Durezza: 9 sulla scala di Mohs, seconda solo al diamante, per garantire durevolezza durante la lavorazione.
●Densità dei difetti:
oControllato per difetti macro minimi, garantendo una qualità sufficiente per applicazioni di qualità fittizia.
● Planarità: uniformità con deviazioni
| Parametro | Dettagli | Unità |
| Grado | Grado fittizio | |
| Diametro | 150,0 ± 0,5 | mm |
| Orientamento del wafer | Sull'asse: <0001> ± 0,5° | grado |
| Resistività elettrica | > 1E5 | Ω·cm |
| Orientamento primario piatto | {10-10} ± 5,0° | grado |
| Lunghezza piana primaria | Tacca | |
| Crepe (ispezione con luce ad alta intensità) | < 3 mm in radial | mm |
| Piastre esagonali (ispezione con luce ad alta intensità) | Area cumulativa ≤ 5% | % |
| Aree politipiche (ispezione con luce ad alta intensità) | Area cumulativa ≤ 10% | % |
| Densità del microtubo | < 50 | cm−2^-2−2 |
| Scheggiatura del bordo | 3 consentiti, ciascuno ≤ 3 mm | mm |
| Nota | Spessore del wafer affettato < 1 mm, > 70% (escluse le due estremità) soddisfa i requisiti di cui sopra |
Applicazioni
1. Prototipazione e ricerca
Il lingotto 4H-SiC da 6 pollici di qualità fittizia è un materiale ideale per la prototipazione e la ricerca, consentendo a produttori e laboratori di:
●Testare i parametri del processo nella deposizione chimica da vapore (CVD) o nella deposizione fisica da vapore (PVD).
●Sviluppare e perfezionare le tecniche di incisione, lucidatura e taglio dei wafer.
●Esplorare nuovi progetti di dispositivi prima di passare a materiali di qualità produttiva.
2. Calibrazione e test del dispositivo
Le proprietà semi-isolanti rendono questo lingotto prezioso per:
●Valutazione e calibrazione delle proprietà elettriche di dispositivi ad alta potenza e alta frequenza.
●Simulazione delle condizioni operative per MOSFET, IGBT o diodi in ambienti di prova.
●Funge da sostituto conveniente per i substrati ad elevata purezza durante lo sviluppo in fase iniziale.
3. Elettronica di potenza
L'elevata conduttività termica e le caratteristiche di ampio bandgap del 4H-SiC consentono un funzionamento efficiente nell'elettronica di potenza, tra cui:
●Alimentatori ad alta tensione.
●Inverter per veicoli elettrici (EV).
●Sistemi di energia rinnovabile, come inverter solari e turbine eoliche.
4. Applicazioni a radiofrequenza (RF)
Le basse perdite dielettriche e l'elevata mobilità elettronica del 4H-SiC lo rendono adatto per:
●Amplificatori RF e transistor nelle infrastrutture di comunicazione.
●Sistemi radar ad alta frequenza per applicazioni aerospaziali e di difesa.
●Componenti di rete wireless per le tecnologie 5G emergenti.
5. Dispositivi resistenti alle radiazioni
Grazie alla sua intrinseca resistenza ai difetti indotti dalle radiazioni, il 4H-SiC semi-isolante è ideale per:
●Apparecchiature per l'esplorazione spaziale, tra cui sistemi elettronici e di alimentazione satellitari.
●Elettronica resistente alle radiazioni per il monitoraggio e il controllo nucleare.
●Applicazioni di difesa che richiedono robustezza in ambienti estremi.
6. Optoelettronica
La trasparenza ottica e l'ampio bandgap del 4H-SiC ne consentono l'utilizzo in:
●Fotodetectori UV e LED ad alta potenza.
●Test di rivestimenti ottici e trattamenti superficiali.
●Prototipazione di componenti ottici per sensori avanzati.
Vantaggi del materiale di qualità fittizia
Efficienza dei costi:
Il grado fittizio è un'alternativa più economica ai materiali di ricerca o di produzione, il che lo rende ideale per test di routine e perfezionamento dei processi.
Personalizzazione:
Le dimensioni configurabili e gli orientamenti dei cristalli garantiscono la compatibilità con un'ampia gamma di applicazioni.
Scalabilità:
Il diametro di 6 pollici è in linea con gli standard del settore, consentendo un adattamento senza problemi ai processi di produzione.
Robustezza:
L'elevata resistenza meccanica e la stabilità termica rendono il lingotto durevole e affidabile in diverse condizioni sperimentali.
Versatilità:
Adatto a molteplici settori, dai sistemi energetici alle comunicazioni e all'optoelettronica.
Conclusione
Il lingotto semiisolante in carburo di silicio (4H-SiC) da 6 pollici, di grado fittizio, offre una piattaforma affidabile e versatile per la ricerca, la prototipazione e i test in settori tecnologici all'avanguardia. Le sue eccezionali proprietà termiche, elettriche e meccaniche, unite all'economicità e alla personalizzazione, lo rendono un materiale indispensabile sia per il mondo accademico che per l'industria. Dall'elettronica di potenza ai sistemi RF e ai dispositivi resistenti alle radiazioni, questo lingotto supporta l'innovazione in ogni fase dello sviluppo.
Per specifiche più dettagliate o per richiedere un preventivo, contattateci direttamente. Il nostro team tecnico è pronto ad assistervi con soluzioni personalizzate per soddisfare le vostre esigenze.
Diagramma dettagliato
