6 in lingotto semiisolante in carburo di silicio 4H-SiC, grado fittizio

Breve descrizione:

Il carburo di silicio (SiC) sta rivoluzionando l'industria dei semiconduttori, in particolare nelle applicazioni ad alta potenza, alta frequenza e resistenti alle radiazioni. Il lingotto semiisolante 4H-SiC da 6 pollici, offerto in qualità fittizia, è un materiale essenziale per i processi di prototipazione, ricerca e calibrazione. Con un ampio intervallo di banda, un'eccellente conduttività termica e robustezza meccanica, questo lingotto costituisce un'opzione economicamente vantaggiosa per i test e l'ottimizzazione dei processi senza compromettere la qualità fondamentale richiesta per lo sviluppo avanzato. Questo prodotto è adatto a una varietà di applicazioni, tra cui elettronica di potenza, dispositivi a radiofrequenza (RF) e optoelettronica, rendendolo uno strumento prezioso per l'industria e gli istituti di ricerca.

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Dettagli del prodotto

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Proprietà

1. Proprietà fisiche e strutturali
●Tipo di materiale: carburo di silicio (SiC)
●Politipo: 4H-SiC, struttura cristallina esagonale
●Diametro: 6 pollici (150 mm)
●Spessore: configurabile (5-15 mm tipico per il grado fittizio)
●Orientamento del cristallo:
oPrimario: [0001] (piano C)
oOpzioni secondarie: fuori asse 4° per una crescita epitassiale ottimizzata
●Orientamento piatto primario: (10-10) ± 5°
●Orientamento piano secondario: 90° in senso antiorario dal piano primario ± 5°

2. Proprietà elettriche
● Resistività:
oSemiisolante (>106^66 Ω·cm), ideale per ridurre al minimo la capacità parassita.
●Tipo di doping:
oDrogato involontariamente, con conseguente elevata resistività elettrica e stabilità in una vasta gamma di condizioni operative.

3. Proprietà termiche
●Conduttività termica: 3,5-4,9 W/cm·K, consentendo un'efficace dissipazione del calore nei sistemi ad alta potenza.
●Coefficiente di dilatazione termica: 4,2×10−64,2 \times 10^{-6}4,2×10−6/K, garantendo stabilità dimensionale durante la lavorazione ad alta temperatura.

4. Proprietà ottiche
●Bandgap: ampio bandgap di 3,26 eV, che consente il funzionamento a tensioni e temperature elevate.
●Trasparenza: elevata trasparenza alle lunghezze d'onda UV e visibili, utile per test optoelettronici.

5. Proprietà meccaniche
●Durezza: scala Mohs 9, seconda solo al diamante, garantisce durabilità durante la lavorazione.
●Densità dei difetti:
oControllato per macrodifetti minimi, garantendo una qualità sufficiente per applicazioni fittizie.
● Planarità: uniformità con deviazioni

Parametro	Dettagli	Unità
Grado	Grado fittizio
Diametro	150,0 ± 0,5	mm
Orientamento dei wafer	In asse: <0001> ± 0,5°	grado
Resistività elettrica	>1E5	Ω·cm
Orientamento piatto primario	{10-10} ± 5,0°	grado
Lunghezza piatta primaria	Tacca
Crepe (ispezione con luce ad alta intensità)	< 3 mm in radiale	mm
Piastre esagonali (ispezione con luce ad alta intensità)	Area cumulativa ≤ 5%	%
Aree di politipo (ispezione della luce ad alta intensità)	Area cumulativa ≤ 10%	%
Densità del microtubo	<50	cm−2^-2−2
Scheggiatura dei bordi	Sono ammessi 3, ciascuno ≤ 3 mm	mm
Nota	Lo spessore del wafer di taglio < 1 mm, > 70% (escluse due estremità) soddisfa i requisiti di cui sopra

Applicazioni

1. Prototipazione e ricerca
Il lingotto 4H-SiC da 6 pollici di grado fittizio è un materiale ideale per la prototipazione e la ricerca, consentendo a produttori e laboratori di:
●Testare i parametri del processo nella deposizione chimica da vapore (CVD) o nella deposizione fisica da vapore (PVD).
●Sviluppare e perfezionare tecniche di incisione, lucidatura e taglio dei wafer.
●Esplorare nuovi progetti di dispositivi prima di passare al materiale di livello produttivo.

2. Calibrazione e test del dispositivo
Le proprietà semiisolanti rendono questo lingotto preziosissimo per:
●Valutazione e calibrazione delle proprietà elettriche di dispositivi ad alta potenza e alta frequenza.
●Simulazione delle condizioni operative per MOSFET, IGBT o diodi in ambienti di test.
●Funge da sostituto economicamente vantaggioso dei substrati ad elevata purezza durante la fase iniziale dello sviluppo.

3. Elettronica di potenza
L'elevata conduttività termica e le caratteristiche di ampio gap di banda del 4H-SiC consentono un funzionamento efficiente nell'elettronica di potenza, tra cui:
●Alimentatori ad alta tensione.
●Invertitori per veicoli elettrici (EV).
●Sistemi di energia rinnovabile, come inverter solari e turbine eoliche.

4. Applicazioni in radiofrequenza (RF).
Le basse perdite dielettriche e l'elevata mobilità degli elettroni del 4H-SiC lo rendono adatto per:
●Amplificatori e transistor RF nelle infrastrutture di comunicazione.
●Sistemi radar ad alta frequenza per applicazioni aerospaziali e della difesa.
●Componenti di rete wireless per le tecnologie 5G emergenti.

5. Dispositivi resistenti alle radiazioni
Grazie alla sua resistenza intrinseca ai difetti indotti dalle radiazioni, il 4H-SiC semiisolante è ideale per:
●Attrezzature per l'esplorazione spaziale, compresi l'elettronica satellitare e i sistemi di alimentazione.
●Elettronica resistente alle radiazioni per il monitoraggio e il controllo nucleare.
●Applicazioni di difesa che richiedono robustezza in ambienti estremi.

6. Optoelettronica
La trasparenza ottica e l'ampio gap di banda del 4H-SiC ne consentono l'utilizzo in:
●Fotorilevatori UV e LED ad alta potenza.
●Test di rivestimenti ottici e trattamenti superficiali.
●Prototipazione di componenti ottici per sensori avanzati.

Vantaggi del materiale di qualità fittizia

Efficienza dei costi:
Il grado fittizio rappresenta un'alternativa più conveniente ai materiali di ricerca o di produzione, rendendolo ideale per i test di routine e il perfezionamento dei processi.

Personalizzazione:
Le dimensioni configurabili e gli orientamenti dei cristalli garantiscono la compatibilità con un'ampia gamma di applicazioni.

Scalabilità:
Il diametro da 6 pollici è in linea con gli standard del settore, consentendo un dimensionamento senza interruzioni ai processi di produzione.

Robustezza:
L'elevata resistenza meccanica e stabilità termica rendono il lingotto durevole e affidabile in varie condizioni sperimentali.

Versatilità:
Adatto a molteplici settori, dai sistemi energetici alle comunicazioni e all'optoelettronica.

Conclusione

Il lingotto semiisolante da 6 pollici in carburo di silicio (4H-SiC), grado fittizio, offre una piattaforma affidabile e versatile per la ricerca, la prototipazione e i test in settori tecnologici all'avanguardia. Le sue eccezionali proprietà termiche, elettriche e meccaniche, combinate con la convenienza e la personalizzazione, lo rendono un materiale indispensabile sia per il mondo accademico che per l'industria. Dall'elettronica di potenza ai sistemi RF e ai dispositivi resistenti alle radiazioni, questo lingotto supporta l'innovazione in ogni fase dello sviluppo.
Per specifiche più dettagliate o per richiedere un preventivo vi invitiamo a contattarci direttamente. Il nostro team tecnico è pronto ad assistervi con soluzioni su misura per soddisfare le vostre esigenze.