Dima AlN da 50,8 mm/100 mm su NPSS/FSS Dima AlN su zaffiro

Breve descrizione:

AlN-On-Sapphire si riferisce a una combinazione di materiali in cui le pellicole di nitruro di alluminio vengono coltivate su substrati di zaffiro. In questa struttura, la pellicola di nitruro di alluminio di alta qualità può essere cresciuta mediante deposizione chimica da fase vapore (CVD) o deposizione chimica da vapore organometrica (MOCVD), il che rende la pellicola di nitruro di alluminio e il substrato di zaffiro una buona combinazione. I vantaggi di questa struttura sono che il nitruro di alluminio ha un'elevata conduttività termica, un'elevata stabilità chimica ed eccellenti proprietà ottiche, mentre il substrato di zaffiro ha eccellenti proprietà meccaniche e termiche e trasparenza.


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AlN-su-zaffiro

AlN-On-Sapphire può essere utilizzato per realizzare una varietà di dispositivi fotoelettrici, come:
1. Chip LED: i chip LED sono generalmente realizzati con pellicole di nitruro di alluminio e altri materiali. L'efficienza e la stabilità dei LED possono essere migliorate utilizzando wafer AlN-su-zaffiro come substrato dei chip LED.
2. Laser: i wafer AlN-su-zaffiro possono essere utilizzati anche come substrati per i laser, comunemente utilizzati in ambito medico, nelle comunicazioni e nella lavorazione dei materiali.
3. Celle solari: la produzione di celle solari richiede l'uso di materiali come il nitruro di alluminio. AlN-On-Sapphire come substrato può migliorare l'efficienza e la durata delle celle solari.
4. Altri dispositivi optoelettronici: i wafer AlN-On-Sapphire possono essere utilizzati anche per produrre fotorilevatori, dispositivi optoelettronici e altri dispositivi optoelettronici.

In conclusione, i wafer AlN-On-Sapphire sono ampiamente utilizzati nel campo optoelettrico grazie alla loro elevata conduttività termica, elevata stabilità chimica, bassa perdita ed eccellenti proprietà ottiche.

Modello AlN da 50,8 mm/100 mm su NPSS/FSS

Articolo Osservazioni
Descrizione Modello AlN-on-NPSS Modello AlN-on-FSS
Diametro del wafer 50,8 mm, 100 mm
Substrato NPSS del piano c Zaffiro planare c-plane (FSS)
Spessore del substrato 50,8 mm, 100 mmc-piano Zaffiro planare (FSS)100 mm: 650 um
Spessore dell'epi-strato AIN 3~4 um (obiettivo: 3,3 um)
Conduttività Isolante

Superficie

Come cresciuto
Valore efficace <1 nm Valore efficace <2 nm
Didietro Macinato
FWHM(002)XRC < 150 secondi d'arco < 150 secondi d'arco
FWHM(102)XRC < 300 secondi d'arco < 300 secondi d'arco
Esclusione dei bordi <2mm <3 mm
Orientamento piatto primario piano a+0,1°
Lunghezza piatta primaria 50,8 mm: 16+/-1 mm100 mm: 30+/-1 mm
Pacchetto Confezionato in scatola di spedizione o contenitore per wafer singolo

Diagramma dettagliato

Modello FSS AlN su zaffiro3
Modello FSS AlN su zaffiro4

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