Modello AlN da 50,8 mm/100 mm su NPSS/FSS Modello AlN su zaffiro

Breve descrizione:

AlN-On-Sapphire si riferisce a una combinazione di materiali in cui film di nitruro di alluminio vengono coltivati su substrati di zaffiro. In questa struttura, film di nitruro di alluminio di alta qualità possono essere coltivati mediante deposizione chimica da vapore (CVD) o deposizione chimica da vapore organometrica (MOCVD), il che rende la combinazione ottimale tra film di nitruro di alluminio e substrato di zaffiro. I vantaggi di questa struttura sono l'elevata conduttività termica del nitruro di alluminio, l'elevata stabilità chimica e le eccellenti proprietà ottiche, mentre il substrato di zaffiro presenta eccellenti proprietà meccaniche e termiche e una buona trasparenza.

Inviaci un'e-mail

Caratteristiche

AlN-su-zaffiro

AlN-On-Sapphire può essere utilizzato per realizzare una varietà di dispositivi fotoelettrici, come:
1. Chip LED: i chip LED sono solitamente realizzati in film di nitruro di alluminio e altri materiali. L'efficienza e la stabilità dei LED possono essere migliorate utilizzando wafer di AlN-On-Sapphire come substrato.
2. Laser: i wafer AlN-On-Sapphire possono essere utilizzati anche come substrati per laser, comunemente impiegati in campo medico, nelle comunicazioni e nella lavorazione dei materiali.
3. Celle solari: la produzione di celle solari richiede l'uso di materiali come il nitruro di alluminio. L'AlN-On-Sapphire come substrato può migliorare l'efficienza e la durata delle celle solari.
4. Altri dispositivi optoelettronici: i wafer AlN-On-Sapphire possono essere utilizzati anche per produrre fotodetector, dispositivi optoelettronici e altri dispositivi optoelettronici.

In conclusione, i wafer AlN-On-Sapphire sono ampiamente utilizzati nel campo optoelettrico grazie alla loro elevata conduttività termica, elevata stabilità chimica, bassa perdita ed eccellenti proprietà ottiche.

Modello AlN da 50,8 mm/100 mm su NPSS/FSS

Articolo	Osservazioni
Descrizione	Modello AlN-su-NPSS	Modello AlN-on-FSS
Diametro del wafer	50,8 mm, 100 mm
Substrato	NPSS del piano C	Zaffiro planare c-plane (FSS)
Spessore del substrato	50,8 mm, 100 mmc-plane Zaffiro planare (FSS) 100 mm: 650 um
Spessore dello strato epiteliale AIN	3~4 um (obiettivo: 3,3 um)
Conduttività	Isolante
Superficie	Come cresciuto
	Valore efficace < 1 nm	Valore efficace < 2 nm
Didietro	Macinato
FWHM(002)XRC	< 150 secondi d'arco	< 150 secondi d'arco
FWHM(102)XRC	< 300 secondi d'arco	< 300 secondi d'arco
Esclusione del bordo	< 2mm	< 3mm
Orientamento piatto primario	piano a+0,1°
Lunghezza piana primaria	50,8 mm: 16+/-1 mm 100 mm: 30+/-1 mm
Pacchetto	Confezionato in scatola di spedizione o contenitore per wafer singolo