Wafer SiC da 6 pollici 4H/6H-P Grado zero MPD Grado di produzione Grado fittizio

Breve descrizione:

Il wafer SiC da 6 pollici di tipo 4H/6H-P è un materiale semiconduttore utilizzato nella produzione di dispositivi elettronici, noto per la sua eccellente conduttività termica, elevata tensione di rottura e resistenza alle alte temperature e alla corrosione. Il grado di produzione e il grado Zero MPD (Micro Pipe Defect) ne garantiscono l'affidabilità e la stabilità nell'elettronica di potenza ad alte prestazioni. I wafer di livello produttivo vengono utilizzati per la produzione di dispositivi su larga scala con rigorosi controlli di qualità, mentre i wafer di livello fittizio vengono utilizzati principalmente per il debugging dei processi e i test delle apparecchiature. Le eccezionali proprietà del SiC lo rendono ampiamente applicato in dispositivi elettronici ad alta temperatura, alta tensione e alta frequenza, come dispositivi di potenza e dispositivi RF.

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Dettagli del prodotto

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Substrati compositi SiC tipo 4H/6H-P Tabella dei parametri comuni

6 Substrato in carburo di silicio (SiC) con diametro di pollici Specifica

Grado			Produzione di MPD pari a zeroGrado (Z Grado)	Produzione standardGrado (P Grado)	Grado fittizio (D Grado)
Diametro			145,5 mm~150,0 mm
Spessore			350 μm ± 25 μm
Orientamento dei wafer			-Offasse: 2,0°-4,0°verso [1120] ± 0,5° per 4H/6H-P, Sull'asse:〈111〉± 0,5° per 3C-N
Densità del microtubo			0cm-2
Resistività	tipo p 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	tipo n 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 mΩꞏcm
Orientamento piatto primario		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Lunghezza piatta primaria			32,5 mm±2,0 mm
Lunghezza piatta secondaria			18,0 mm±2,0 mm
Orientamento piatto secondario			Silicio rivolto verso l'alto: 90° CW. da Prime piatto ± 5,0°
Esclusione dei bordi			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Arco/Deformazione			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosità			Polacco Ra≤1 nm
			CMP Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,5 nm
Crepe sui bordi dovute a luce ad alta intensità			Nessuno		Lunghezza cumulativa ≤ 10 mm, lunghezza singola ≤ 2 mm
Piastre esagonali con luce ad alta intensità			Area cumulativa ≤0,05%		Area cumulativa ≤0,1%
Aree di politipo mediante luce ad alta intensità			Nessuno		Area cumulativa ≤ 3%
Inclusioni visive di carbonio			Area cumulativa ≤0,05%		Area cumulativa ≤3%
Graffi superficiali in silicio dovuti alla luce ad alta intensità			Nessuno		Lunghezza cumulativa ≤ 1 × diametro del wafer
Chip di bordo ad alta intensità di luce			Nessuno è consentito con larghezza e profondità ≥ 0,2 mm		5 consentiti, ≤1 mm ciascuno
Contaminazione della superficie del silicio ad alta intensità			Nessuno
Confezione			Cassetta multi-wafer o contenitore per wafer singolo

Note:

※ I limiti dei difetti si applicano all'intera superficie del wafer, ad eccezione dell'area di esclusione dei bordi. # I graffi devono essere controllati sulla faccia Si o

Il wafer SiC da 6 pollici di tipo 4H/6H-P con grado Zero MPD e grado di produzione o fittizio è ampiamente utilizzato in applicazioni elettroniche avanzate. La sua eccellente conduttività termica, l'elevata tensione di rottura e la resistenza agli ambienti difficili lo rendono ideale per l'elettronica di potenza, come interruttori e inverter ad alta tensione. Il grado Zero MPD garantisce difetti minimi, fondamentali per i dispositivi ad alta affidabilità. I wafer di livello produttivo vengono utilizzati nella produzione su larga scala di dispositivi di potenza e applicazioni RF, dove prestazioni e precisione sono cruciali. I wafer fittizi, invece, vengono utilizzati per la calibrazione dei processi, i test delle apparecchiature e la prototipazione, consentendo un controllo di qualità coerente negli ambienti di produzione di semiconduttori.

I vantaggi dei substrati compositi SiC di tipo N includono

Elevata conduttività termica: Il wafer SiC 4H/6H-P dissipa efficacemente il calore, rendendolo adatto per applicazioni elettroniche ad alta temperatura e ad alta potenza.
Alta tensione di rottura: La sua capacità di gestire tensioni elevate senza guasti lo rende ideale per l'elettronica di potenza e le applicazioni di commutazione ad alta tensione.
Grado MPD zero (micro difetti del tubo).: La densità minima dei difetti garantisce affidabilità e prestazioni più elevate, fondamentali per i dispositivi elettronici esigenti.
Grado di produzione per la produzione di massa: Adatto per la produzione su larga scala di dispositivi a semiconduttore ad alte prestazioni con rigorosi standard di qualità.
Grado fittizio per test e calibrazione: Consente l'ottimizzazione dei processi, il test delle apparecchiature e la prototipazione senza utilizzare wafer di produzione ad alto costo.

Nel complesso, i wafer SiC 4H/6H-P da 6 pollici con grado Zero MPD, grado di produzione e grado fittizio offrono vantaggi significativi per lo sviluppo di dispositivi elettronici ad alte prestazioni. Questi wafer sono particolarmente vantaggiosi nelle applicazioni che richiedono funzionamento ad alta temperatura, elevata densità di potenza e conversione di potenza efficiente. Il grado Zero MPD garantisce difetti minimi per prestazioni affidabili e stabili del dispositivo, mentre i wafer di livello produttivo supportano la produzione su larga scala con severi controlli di qualità. I wafer di tipo fittizio forniscono una soluzione economicamente vantaggiosa per l'ottimizzazione dei processi e la calibrazione delle apparecchiature, rendendoli indispensabili per la fabbricazione di semiconduttori ad alta precisione.