Wafer SiC da 6 pollici 4H/6H-P Grado MPD zero Grado di produzione Grado fittizio

Wafer SiC da 6 pollici 4H/6H-P di grado Zero MPD di grado di produzione di grado fittizio Immagine in evidenza

Breve descrizione:

Il wafer di SiC da 6 pollici di tipo 4H/6H-P è un materiale semiconduttore utilizzato nella produzione di dispositivi elettronici, noto per la sua eccellente conduttività termica, l'elevata tensione di rottura e la resistenza alle alte temperature e alla corrosione. Il grado di produzione e il grado Zero MPD (Micro Pipe Defect) ne garantiscono l'affidabilità e la stabilità nell'elettronica di potenza ad alte prestazioni. I wafer di grado di produzione vengono utilizzati per la produzione di dispositivi su larga scala con rigorosi controlli di qualità, mentre i wafer di grado fittizio vengono utilizzati principalmente per il debugging di processo e il collaudo delle apparecchiature. Le eccezionali proprietà del SiC lo rendono ampiamente utilizzato in dispositivi elettronici ad alta temperatura, alta tensione e alta frequenza, come dispositivi di potenza e dispositivi RF.

Inviaci un'email

Dettagli del prodotto

Tag dei prodotti

Tabella dei parametri comuni dei substrati compositi SiC di tipo 4H/6H-P

6 substrato di carburo di silicio (SiC) da pollici di diametro Specificazione

Grado			Produzione MPD pari a zeroGrado (Z Grado)	Produzione standardGrado (P Grado)	Grado fittizio (D Grado)
Diametro			145,5 mm~150,0 mm
Spessore			350 μm ± 25 μm
Orientamento del wafer			-Offasse: 2,0°-4,0° verso [1120] ± 0,5° per 4H/6H-P, Sull'asse: 〈111〉± 0,5° per 3C-N
Densità del microtubo			0 cm-2
Resistività	tipo p 4H/6H-P		≤0,1 Ω/cm		≤0,3 Ω/cm
	tipo n 3C-N		≤0,8 mΩ⁻cm		≤1 m Ω⁻cm
Orientamento primario piatto		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Lunghezza piana primaria			32,5 millimetri ± 2,0 millimetri
Lunghezza piatta secondaria			18,0 millimetri ± 2,0 millimetri
Orientamento piatto secondario			Faccia in silicone verso l'alto: 90° CW. da Prime piatto ± 5,0°
Esclusione del bordo			3 millimetri		6 millimetri
LTV/TTV/Pratica/Ordito			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosità			Polacco Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Crepe sui bordi causate da luce ad alta intensità			Nessuno		Lunghezza cumulativa ≤ 10 mm, lunghezza singola ≤ 2 mm
Piastre esagonali ad alta intensità luminosa			Area cumulativa ≤0,05%		Area cumulativa ≤0,1%
Aree politipiche mediante luce ad alta intensità			Nessuno		Area cumulativa ≤3%
Inclusioni visive di carbonio			Area cumulativa ≤0,05%		Area cumulativa ≤3%
Graffi superficiali in silicio causati da luce ad alta intensità			Nessuno		Lunghezza cumulativa ≤1×diametro del wafer
Chip di bordo ad alta intensità luminosa			Non sono consentiti valori di larghezza e profondità ≥0,2 mm		5 consentiti, ≤1 mm ciascuno
Contaminazione superficiale del silicio ad alta intensità			Nessuno
Confezione			Cassetta multi-wafer o contenitore per wafer singolo

Note:

※ I limiti dei difetti si applicano all'intera superficie del wafer, ad eccezione dell'area di esclusione del bordo. # I graffi devono essere controllati sulla faccia di Si o

Il wafer SiC da 6 pollici di tipo 4H/6H-P con grado Zero MPD e grado di produzione o dummy è ampiamente utilizzato in applicazioni elettroniche avanzate. La sua eccellente conduttività termica, l'elevata tensione di rottura e la resistenza ad ambienti difficili lo rendono ideale per l'elettronica di potenza, come interruttori e inverter ad alta tensione. Il grado Zero MPD garantisce difetti minimi, fondamentali per dispositivi ad alta affidabilità. I wafer di grado di produzione vengono utilizzati nella produzione su larga scala di dispositivi di potenza e applicazioni RF, dove prestazioni e precisione sono cruciali. I wafer di grado dummy, invece, vengono utilizzati per la calibrazione di processo, il collaudo delle apparecchiature e la prototipazione, consentendo un controllo di qualità costante negli ambienti di produzione di semiconduttori.

I vantaggi dei substrati compositi SiC di tipo N includono

Alta conduttività termica:Il wafer SiC 4H/6H-P dissipa efficacemente il calore, rendendolo adatto ad applicazioni elettroniche ad alta temperatura e alta potenza.
Alta tensione di rottura:La sua capacità di gestire tensioni elevate senza guasti lo rende ideale per applicazioni di elettronica di potenza e di commutazione ad alta tensione.
Grado MPD (difetto microtubo) zero: La densità minima dei difetti garantisce maggiore affidabilità e prestazioni, fondamentali per i dispositivi elettronici più esigenti.
Qualità di produzione per la produzione di massa: Adatto alla produzione su larga scala di dispositivi semiconduttori ad alte prestazioni con rigorosi standard qualitativi.
Dummy-Grade per test e calibrazione: Consente l'ottimizzazione dei processi, il collaudo delle apparecchiature e la prototipazione senza utilizzare wafer di produzione ad alto costo.

Nel complesso, i wafer SiC 4H/6H-P da 6 pollici con grado Zero MPD, grado di produzione e grado fittizio offrono vantaggi significativi per lo sviluppo di dispositivi elettronici ad alte prestazioni. Questi wafer sono particolarmente vantaggiosi nelle applicazioni che richiedono funzionamento ad alta temperatura, elevata densità di potenza e conversione di potenza efficiente. Il grado Zero MPD garantisce difetti minimi per prestazioni affidabili e stabili del dispositivo, mentre i wafer di grado di produzione supportano la produzione su larga scala con rigorosi controlli di qualità. I wafer di grado fittizio offrono una soluzione conveniente per l'ottimizzazione dei processi e la calibrazione delle apparecchiature, rendendoli indispensabili per la fabbricazione di semiconduttori ad alta precisione.