Wafer di substrato SiC 4H-N da 4 pollici Manichino di produzione in carburo di silicio Grado di ricerca
Applicazioni
I wafer con substrato monocristallino in carburo di silicio da 4 pollici svolgono un ruolo importante in molti campi. Innanzitutto, è ampiamente utilizzato nell'industria dei semiconduttori nella preparazione di dispositivi elettronici ad alta potenza come transistor di potenza, circuiti integrati e moduli di potenza. La sua elevata conduttività termica e resistenza alle alte temperature gli consentono di dissipare meglio il calore e fornire maggiore efficienza e affidabilità di lavoro. In secondo luogo, i wafer di carburo di silicio vengono utilizzati anche nel campo della ricerca per effettuare ricerche su nuovi materiali e dispositivi. Inoltre, i wafer di carburo di silicio sono ampiamente utilizzati anche nell'optoelettronica, come nella produzione di LED e diodi laser.
Le specifiche del wafer SiC da 4 pollici
Wafer con substrato monocristallino in carburo di silicio da 4 pollici, diametro di 4 pollici (circa 101,6 mm), finitura superficiale fino a Ra <0,5 nm, spessore di 600±25 μm. La conducibilità del wafer è di tipo N o di tipo P e può essere personalizzata in base alle esigenze del cliente. Inoltre, il chip ha anche un'eccellente stabilità meccanica e può sopportare una certa pressione e vibrazioni.
Il wafer con substrato monocristallino in carburo di silicio da pollici è un materiale ad alte prestazioni ampiamente utilizzato nei campi dei semiconduttori, della ricerca e dell'optoelettronica. Ha un'eccellente conduttività termica, stabilità meccanica e resistenza alle alte temperature, adatta per la preparazione di dispositivi elettronici ad alta potenza e la ricerca di nuovi materiali. Offriamo una varietà di specifiche e opzioni di personalizzazione per soddisfare una varietà di esigenze dei clienti. Si prega di prestare attenzione al nostro sito indipendente per saperne di più sulle informazioni sul prodotto dei wafer in carburo di silicio.
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