Wafer di substrato SiC da 4 pollici 4H-N in carburo di silicio per produzione di materiali fittizi di qualità per la ricerca
Applicazioni
I wafer di substrato monocristallino in carburo di silicio da 4 pollici svolgono un ruolo importante in molti campi. In primo luogo, sono ampiamente utilizzati nell'industria dei semiconduttori per la preparazione di dispositivi elettronici ad alta potenza come transistor di potenza, circuiti integrati e moduli di potenza. La loro elevata conduttività termica e la resistenza alle alte temperature consentono una migliore dissipazione del calore e una maggiore efficienza e affidabilità. In secondo luogo, i wafer di carburo di silicio vengono utilizzati anche nel campo della ricerca per condurre ricerche su nuovi materiali e dispositivi. Inoltre, i wafer di carburo di silicio sono ampiamente utilizzati anche nell'optoelettronica, come nella produzione di LED e diodi laser.
Le specifiche del wafer SiC da 4 pollici
Wafer di substrato monocristallino in carburo di silicio da 4 pollici con diametro di 4 pollici (circa 101,6 mm), finitura superficiale fino a Ra < 0,5 nm e spessore di 600±25 μm. La conduttività del wafer è di tipo N o P e può essere personalizzata in base alle esigenze del cliente. Inoltre, il chip presenta un'eccellente stabilità meccanica e può resistere a una certa pressione e vibrazioni.
Il wafer di substrato monocristallino in carburo di silicio da 1,5 pollici è un materiale ad alte prestazioni ampiamente utilizzato nei settori dei semiconduttori, della ricerca e dell'optoelettronica. Presenta un'eccellente conduttività termica, stabilità meccanica e resistenza alle alte temperature, caratteristiche che lo rendono adatto alla realizzazione di dispositivi elettronici ad alta potenza e alla ricerca di nuovi materiali. Offriamo una varietà di specifiche e opzioni di personalizzazione per soddisfare le diverse esigenze dei clienti. Visitate il nostro sito web indipendente per ulteriori informazioni sui wafer in carburo di silicio.
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Diagramma dettagliato
