Substrato SiC da 3 pollici Diametro di produzione 76,2 mm 4H-N

Le caratteristiche principali dei wafer MOSFET in carburo di silicio da 3 pollici sono le seguenti;

Il carburo di silicio (SiC) è un materiale semiconduttore ad ampio bandgap, caratterizzato da elevata conduttività termica, elevata mobilità elettronica e un'elevata intensità del campo elettrico di breakdown. Queste proprietà rendono i wafer di SiC eccellenti nelle applicazioni ad alta potenza, alta frequenza e alta temperatura. In particolare, nel politipo 4H-SiC, la sua struttura cristallina offre eccellenti prestazioni elettroniche, rendendolo il materiale di scelta per i dispositivi elettronici di potenza.

Il wafer in carburo di silicio 4H-N da 3 pollici è un wafer drogato con azoto con conduttività di tipo N. Questo metodo di drogaggio conferisce al wafer una maggiore concentrazione di elettroni, migliorando così le prestazioni conduttive del dispositivo. Le dimensioni del wafer, pari a 3 pollici (diametro di 76,2 mm), sono comunemente utilizzate nell'industria dei semiconduttori e adatte a vari processi produttivi.

Il wafer in carburo di silicio 4H-N da 3 pollici viene prodotto utilizzando il metodo PVT (Physical Vapor Transport). Questo processo prevede la trasformazione della polvere di SiC in monocristalli ad alte temperature, garantendo la qualità cristallina e l'uniformità del wafer. Inoltre, lo spessore del wafer è tipicamente di circa 0,35 mm e la sua superficie è sottoposta a lucidatura bifacciale per ottenere un livello estremamente elevato di planarità e levigatezza, fondamentale per i successivi processi di produzione dei semiconduttori.

Il wafer in carburo di silicio 4H-N da 3 pollici ha un'ampia gamma di applicazioni, tra cui dispositivi elettronici ad alta potenza, sensori ad alta temperatura, dispositivi RF e dispositivi optoelettronici. Le sue eccellenti prestazioni e affidabilità consentono a questi dispositivi di funzionare stabilmente in condizioni estreme, soddisfacendo la domanda di materiali semiconduttori ad alte prestazioni nell'industria elettronica moderna.

Possiamo fornire substrato in SiC 4H-N da 3 pollici e wafer di substrato di diverse qualità. Possiamo anche personalizzare il substrato in base alle vostre esigenze. Contattateci!