Substrato SiC da 3 pollici Produzione Dia76.2mm 4H-N

Le caratteristiche principali dei wafer mosfet in carburo di silicio da 3 pollici sono le seguenti;

Il carburo di silicio (SiC) è un materiale semiconduttore ad ampio gap di banda, caratterizzato da elevata conduttività termica, elevata mobilità degli elettroni e un'elevata intensità del campo elettrico di rottura. Queste proprietà rendono i wafer SiC eccezionali nelle applicazioni ad alta potenza, alta frequenza e alta temperatura. In particolare nel politipo 4H-SiC, la sua struttura cristallina fornisce eccellenti prestazioni elettroniche, rendendolo il materiale preferito per i dispositivi elettronici di potenza.

Il wafer 4H-N in carburo di silicio da 3 pollici è un wafer drogato con azoto con conduttività di tipo N. Questo metodo di drogaggio conferisce al wafer una concentrazione di elettroni più elevata, migliorando così le prestazioni conduttive del dispositivo. La dimensione del wafer, pari a 3 pollici (diametro di 76,2 mm), è una dimensione comunemente utilizzata nell'industria dei semiconduttori, adatta a vari processi produttivi.

Il wafer 4H-N in carburo di silicio da 3 pollici viene prodotto utilizzando il metodo Physical Vapor Transport (PVT). Questo processo prevede la trasformazione della polvere di SiC in cristalli singoli ad alte temperature, garantendo la qualità dei cristalli e l'uniformità del wafer. Inoltre, lo spessore del wafer è tipicamente di circa 0,35 mm e la sua superficie è sottoposta a lucidatura su entrambi i lati per ottenere un livello estremamente elevato di planarità e levigatezza, che è fondamentale per i successivi processi di produzione dei semiconduttori.

La gamma di applicazioni del wafer 4H-N in carburo di silicio da 3 pollici è ampia e comprende dispositivi elettronici ad alta potenza, sensori ad alta temperatura, dispositivi RF e dispositivi optoelettronici. Le sue eccellenti prestazioni e affidabilità consentono a questi dispositivi di funzionare stabilmente in condizioni estreme, soddisfacendo la domanda di materiali semiconduttori ad alte prestazioni nella moderna industria elettronica.

Siamo in grado di fornire substrato SiC 4H-N da 3 pollici, diversi gradi di wafer di substrato. Possiamo anche organizzare la personalizzazione in base alle vostre esigenze. Richiesta benvenuta!