Wafer SiC semiisolante da 3 pollici ad elevata purezza (HPSI) da 350um Grado fittizio Grado di prima qualità

Wafer SiC semiisolante （HPSI） da 3 pollici ad alta purezza da 350um Grado fittizio Grado Prime Immagine in evidenza

Breve descrizione:

Il wafer SiC HPSI (carburo di silicio ad alta purezza), con un diametro di 3 pollici e uno spessore di 350 µm ± 25 µm, è progettato per applicazioni di elettronica di potenza all'avanguardia. I wafer SiC sono rinomati per le loro eccezionali proprietà dei materiali, come elevata conduttività termica, resistenza alle alte tensioni e minima perdita di energia, che li rendono la scelta preferita per i dispositivi a semiconduttore di potenza. Questi wafer sono progettati per gestire condizioni estreme, offrendo prestazioni migliorate in ambienti ad alta frequenza, alta tensione e alta temperatura, il tutto garantendo maggiore efficienza energetica e durata.

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Applicazione

I wafer SiC HPSI sono fondamentali per abilitare i dispositivi di potenza di prossima generazione, utilizzati in una varietà di applicazioni ad alte prestazioni:
Sistemi di conversione di potenza: i wafer SiC fungono da materiale di base per dispositivi di potenza come MOSFET di potenza, diodi e IGBT, che sono cruciali per un'efficiente conversione di potenza nei circuiti elettrici. Questi componenti si trovano negli alimentatori ad alta efficienza, negli azionamenti dei motori e negli inverter industriali.

Veicoli elettrici (EV):La crescente domanda di veicoli elettrici richiede l’uso di un’elettronica di potenza più efficiente e i wafer SiC sono in prima linea in questa trasformazione. Nei propulsori dei veicoli elettrici, questi wafer forniscono elevata efficienza e capacità di commutazione rapida, che contribuiscono a tempi di ricarica più rapidi, autonomia più lunga e prestazioni complessive migliorate del veicolo.

Energia rinnovabile:Nei sistemi di energia rinnovabile come l’energia solare ed eolica, i wafer SiC vengono utilizzati in inverter e convertitori che consentono una cattura e una distribuzione dell’energia più efficienti. L'elevata conduttività termica e la tensione di rottura superiore del SiC garantiscono che questi sistemi funzionino in modo affidabile, anche in condizioni ambientali estreme.

Automazione Industriale e Robotica:L'elettronica di potenza ad alte prestazioni nei sistemi di automazione industriale e nella robotica richiede dispositivi in grado di commutare rapidamente, gestire grandi carichi di potenza e funzionare sotto stress elevato. I semiconduttori basati su SiC soddisfano questi requisiti fornendo maggiore efficienza e robustezza, anche in ambienti operativi difficili.

Sistemi di telecomunicazione:Nelle infrastrutture delle telecomunicazioni, dove l'elevata affidabilità e l'efficiente conversione dell'energia sono fondamentali, i wafer SiC vengono utilizzati negli alimentatori e nei convertitori DC-DC. I dispositivi SiC aiutano a ridurre il consumo energetico e a migliorare le prestazioni del sistema nei data center e nelle reti di comunicazione.

Fornendo una solida base per applicazioni ad alta potenza, il wafer SiC HPSI consente lo sviluppo di dispositivi ad alta efficienza energetica, aiutando le industrie a passare a soluzioni più ecologiche e sostenibili.

Proprietà

proprietà	Grado di produzione	Grado di ricerca	Grado fittizio
Diametro	75,0 mm±0,5 mm	75,0 mm±0,5 mm	75,0 mm±0,5 mm
Spessore	350 µm ± 25 µm	350 µm ± 25 µm	350 µm ± 25 µm
Orientamento dei wafer	In asse: <0001> ± 0,5°	In asse: <0001> ± 2,0°	In asse: <0001> ± 2,0°
Densità del microtubo per il 95% dei wafer (MPD)	≤ 1 cm⁻²	≤ 5 cm⁻²	≤ 15 cm⁻²
Resistività elettrica	≥ 1E7Ω·cm	≥ 1E6 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm
Dopante	Non drogato	Non drogato	Non drogato
Orientamento piatto primario	{11-20} ± 5,0°	{11-20} ± 5,0°	{11-20} ± 5,0°
Lunghezza piatta primaria	32,5 mm ± 3,0 mm	32,5 mm ± 3,0 mm	32,5 mm ± 3,0 mm
Lunghezza piatta secondaria	18,0 mm±2,0 mm	18,0 mm±2,0 mm	18,0 mm±2,0 mm
Orientamento piatto secondario	Si rivolto verso l'alto: 90° in senso orario dal piano primario ± 5,0°	Si rivolto verso l'alto: 90° in senso orario dal piano primario ± 5,0°	Si rivolto verso l'alto: 90° in senso orario dal piano primario ± 5,0°
Esclusione dei bordi	3 mm	3 mm	3 mm
LTV/TTV/Arco/Deformazione	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm	5 µm / 15 µm / ±40 µm / 45 µm
Rugosità superficiale	Faccia C: lucida, faccia Si: CMP	Faccia C: lucida, faccia Si: CMP	Faccia C: lucida, faccia Si: CMP
Crepe (ispezionate con luce ad alta intensità)	Nessuno	Nessuno	Nessuno
Piastre esagonali (ispezionate mediante luce ad alta intensità)	Nessuno	Nessuno	Area cumulativa 10%
Aree di politipo (ispezionate mediante luce ad alta intensità)	Area cumulativa 5%	Area cumulativa 5%	Area cumulativa 10%
Graffi (ispezionati con luce ad alta intensità)	≤ 5 graffi, lunghezza cumulativa ≤ 150 mm	≤ 10 graffi, lunghezza cumulativa ≤ 200 mm	≤ 10 graffi, lunghezza cumulativa ≤ 200 mm
Scheggiatura dei bordi	Nessuno consentito Larghezza e profondità ≥ 0,5 mm	2 consentiti, larghezza e profondità ≤ 1 mm	5 ammessi, larghezza e profondità ≤ 5 mm
Contaminazione superficiale (ispezionata mediante luce ad alta intensità)	Nessuno	Nessuno	Nessuno

Vantaggi principali

Prestazioni termiche superiori: l'elevata conduttività termica del SiC garantisce un'efficiente dissipazione del calore nei dispositivi di potenza, consentendo loro di funzionare a livelli di potenza e frequenze più elevati senza surriscaldarsi. Ciò si traduce in sistemi più piccoli ed efficienti e in una durata operativa più lunga.

Elevata tensione di rottura: con un bandgap più ampio rispetto al silicio, i wafer SiC supportano applicazioni ad alta tensione, rendendoli ideali per componenti elettronici di potenza che devono resistere a tensioni di rottura elevate, come nei veicoli elettrici, nei sistemi di alimentazione di rete e nei sistemi di energia rinnovabile.

Perdita di potenza ridotta: la bassa resistenza in conduzione e le elevate velocità di commutazione dei dispositivi SiC determinano una ridotta perdita di energia durante il funzionamento. Ciò non solo migliora l’efficienza ma aumenta anche il risparmio energetico complessivo dei sistemi in cui vengono utilizzati.
Maggiore affidabilità in ambienti difficili: le robuste proprietà del materiale SiC gli consentono di funzionare in condizioni estreme, come alte temperature (fino a 600°C), alte tensioni e alte frequenze. Ciò rende i wafer SiC adatti per applicazioni industriali, automobilistiche ed energetiche impegnative.

Efficienza energetica: i dispositivi SiC offrono una densità di potenza maggiore rispetto ai tradizionali dispositivi a base di silicio, riducendo le dimensioni e il peso dei sistemi elettronici di potenza e migliorandone l'efficienza complessiva. Ciò porta a risparmi sui costi e a un minore impatto ambientale in applicazioni come l’energia rinnovabile e i veicoli elettrici.

Scalabilità: il diametro di 3 pollici e le precise tolleranze di produzione del wafer SiC HPSI garantiscono che sia scalabile per la produzione di massa, soddisfacendo sia i requisiti di ricerca che quelli di produzione commerciale.

Conclusione

Il wafer SiC HPSI, con il suo diametro di 3 pollici e lo spessore di 350 µm ± 25 µm, è il materiale ottimale per la prossima generazione di dispositivi elettronici di potenza ad alte prestazioni. La sua combinazione unica di conduttività termica, elevata tensione di rottura, bassa perdita di energia e affidabilità in condizioni estreme lo rendono un componente essenziale per varie applicazioni nella conversione di potenza, energia rinnovabile, veicoli elettrici, sistemi industriali e telecomunicazioni.

Questo wafer SiC è particolarmente adatto per le industrie che cercano di ottenere una maggiore efficienza, un maggiore risparmio energetico e una migliore affidabilità del sistema. Mentre la tecnologia dell’elettronica di potenza continua ad evolversi, il wafer SiC HPSI fornisce le basi per lo sviluppo di soluzioni ad alta efficienza energetica di prossima generazione, guidando la transizione verso un futuro più sostenibile e a basse emissioni di carbonio.