Tipo fittizio del grado 330μm 430μm del grado di ricerca del grado di ricerca del wafer 6H-N del carburo di silicio da 2 pollici tipo spessore

Wafer in carburo di silicio da 2 pollici tipo 6H-N grado di ricerca di prima qualità grado fittizio spessore 330μm 430μm Immagine in evidenza

Breve descrizione:

Esistono molti polimorfi diversi del carburo di silicio e il carburo di silicio 6H è uno dei quasi 200 polimorfi. Il carburo di silicio 6H è di gran lunga la modifica più comune dei carburi di silicio per interessi commerciali. I wafer in carburo di silicio 6H sono di fondamentale importanza. Possono essere utilizzati come semiconduttori. È ampiamente utilizzato negli utensili abrasivi e da taglio come i dischi da taglio a causa della sua durata e dei bassi costi del materiale. Viene utilizzato nelle moderne armature composite e nei giubbotti antiproiettile. Viene utilizzato anche nell'industria automobilistica dove viene utilizzato per produrre dischi freno. Nelle grandi applicazioni di fonderia, viene utilizzato per trattenere i metalli in fusione nei crogioli. Il suo utilizzo nelle applicazioni elettriche ed elettroniche è talmente noto da non richiedere alcun dibattito. Inoltre, viene utilizzato in dispositivi elettronici di potenza, LED, astronomia, pirometria a filamento sottile, gioielleria, produzione di grafene e acciaio e come catalizzatore. Offriamo wafer in carburo di silicio 6H con qualità distintiva e sbalorditivo 99,99%.

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Dettagli del prodotto

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Di seguito sono riportate le caratteristiche del wafer in carburo di silicio:

1. Il wafer in carburo di silicio (SiC) ha ottime proprietà elettriche ed eccellenti proprietà termiche. Il wafer in carburo di silicio (SiC) ha una bassa espansione termica.

2. Il wafer in carburo di silicio (SiC) ha proprietà di durezza superiori. Il wafer in carburo di silicio (SiC) funziona bene alle alte temperature.

3. Il wafer in carburo di silicio (SiC) ha un'elevata resistenza alla corrosione, all'erosione e all'ossidazione. Inoltre, il wafer in carburo di silicio (SiC) è anche più brillante dei diamanti o della zirconia cubica.

4.Migliore resistenza alle radiazioni: i wafer SIC hanno una maggiore resistenza alle radiazioni, che li rende adatti all'uso in ambienti soggetti a radiazioni. Gli esempi includono veicoli spaziali e impianti nucleari.
5.Maggiore durezza: i wafer SIC sono più duri del silicio, il che migliora la durata dei wafer durante la lavorazione.

6. Costante dielettrica inferiore: la costante dielettrica dei wafer SIC è inferiore a quella del silicio, il che aiuta a ridurre la capacità parassita nel dispositivo e a migliorare le prestazioni ad alta frequenza.

Il wafer in carburo di silicio ha diverse applicazioni

Il SiC viene utilizzato per la fabbricazione di dispositivi ad altissima tensione e potenza come diodi, transistor di potenza e dispositivi a microonde ad alta potenza. Rispetto ai dispositivi Si convenzionali, i dispositivi di potenza basati su SiC hanno una velocità di commutazione più rapida, tensioni più elevate, resistenze parassite inferiori, dimensioni più piccole, meno raffreddamento richiesto grazie alla capacità di resistere alle alte temperature.
Mentre il wafer in carburo di silicio (SiC-6H) - 6H ha proprietà elettroniche superiori, il wafer in carburo di silicio (SiC-6H) - 6H è quello più facilmente preparabile e meglio studiato.
1. Elettronica di potenza: i wafer di carburo di silicio vengono utilizzati nella produzione di elettronica di potenza, utilizzata in un'ampia gamma di applicazioni, inclusi veicoli elettrici, sistemi di energia rinnovabile e apparecchiature industriali. L'elevata conduttività termica e la bassa perdita di potenza del carburo di silicio lo rendono un materiale ideale per queste applicazioni.
2. Illuminazione a LED: i wafer in carburo di silicio vengono utilizzati nella produzione di illuminazione a LED. L'elevata resistenza del Carburo di Silicio consente di produrre LED più resistenti e durevoli rispetto alle sorgenti luminose tradizionali.
3.Dispositivi a semiconduttore: i wafer di carburo di silicio vengono utilizzati nella produzione di dispositivi a semiconduttore, utilizzati in un'ampia gamma di applicazioni, tra cui telecomunicazioni, informatica ed elettronica di consumo. L'elevata conduttività termica e la bassa perdita di potenza del carburo di silicio lo rendono un materiale ideale per queste applicazioni.
4.Celle solari: i wafer di carburo di silicio vengono utilizzati nella produzione di celle solari. L'elevata resistenza del carburo di silicio rende possibile la produzione di celle solari più resistenti e durature rispetto alle celle solari tradizionali.
Nel complesso, il wafer in carburo di silicio ZMSH è un prodotto versatile e di alta qualità che può essere utilizzato in un'ampia gamma di applicazioni. La sua elevata conduttività termica, la bassa perdita di potenza e l'elevata resistenza lo rendono un materiale ideale per dispositivi elettronici ad alta temperatura e alta potenza. Con un arco/deformazione di ≤50um, rugosità superficiale di ≤1,2nm e resistività di alta/bassa resistività, il wafer in carburo di silicio è una scelta affidabile ed efficiente per qualsiasi applicazione che richieda una superficie piana e liscia.
Il nostro prodotto SiC Substrate viene fornito con supporto tecnico e servizi completi per garantire prestazioni ottimali e soddisfazione del cliente.
Il nostro team di esperti è disponibile per assistere nella selezione del prodotto, nell'installazione e nella risoluzione dei problemi.
Offriamo formazione e istruzione sull'uso e la manutenzione dei nostri prodotti per aiutare i nostri clienti a massimizzare il loro investimento.
Inoltre, forniamo aggiornamenti e miglioramenti continui dei prodotti per garantire che i nostri clienti abbiano sempre accesso alla tecnologia più recente.