Wafer in carburo di silicio da 2 pollici, tipo 6H-N, grado primario, grado di ricerca, grado fittizio, spessore 330μm 430μm
Di seguito sono riportate le caratteristiche del wafer di carburo di silicio:
1. Il wafer in carburo di silicio (SiC) ha ottime proprietà elettriche ed eccellenti proprietà termiche. Il wafer in carburo di silicio (SiC) ha una bassa dilatazione termica.
2. Il wafer in carburo di silicio (SiC) ha proprietà di durezza superiori. Il wafer in carburo di silicio (SiC) offre ottime prestazioni ad alte temperature.
3. Il wafer in carburo di silicio (SiC) offre un'elevata resistenza alla corrosione, all'erosione e all'ossidazione. Inoltre, il wafer in carburo di silicio (SiC) è anche più lucido del diamante o della zirconia cubica.
4. Migliore resistenza alle radiazioni: i wafer SIC presentano una maggiore resistenza alle radiazioni, rendendoli adatti all'uso in ambienti radioattivi. Alcuni esempi includono veicoli spaziali e impianti nucleari.
5. Maggiore durezza: i wafer SIC sono più duri del silicio, il che aumenta la durata dei wafer durante la lavorazione.
6. Costante dielettrica inferiore: la costante dielettrica dei wafer SIC è inferiore a quella del silicio, il che aiuta a ridurre la capacità parassita nel dispositivo e a migliorare le prestazioni ad alta frequenza.
Il wafer di carburo di silicio ha diverse applicazioni
Il SiC viene utilizzato per la fabbricazione di dispositivi ad altissima tensione e potenza come diodi, transistor di potenza e dispositivi a microonde ad alta potenza. Rispetto ai dispositivi convenzionali in SiC, i dispositivi di potenza basati su SiC offrono velocità di commutazione più elevate, tensioni più elevate, minori resistenze parassite, dimensioni ridotte e minore necessità di raffreddamento grazie alla capacità di resistere ad alte temperature.
Sebbene il wafer in carburo di silicio (SiC-6H) - 6H abbia proprietà elettroniche superiori, il wafer in carburo di silicio (SiC-6H) - 6H è più facilmente preparabile e meglio studiato.
1. Elettronica di potenza: i wafer di carburo di silicio vengono utilizzati nella produzione di elettronica di potenza, che trova impiego in un'ampia gamma di applicazioni, tra cui veicoli elettrici, sistemi di energia rinnovabile e apparecchiature industriali. L'elevata conduttività termica e la bassa perdita di potenza del carburo di silicio lo rendono un materiale ideale per queste applicazioni.
2. Illuminazione a LED: i wafer di carburo di silicio vengono utilizzati nella produzione di illuminazione a LED. L'elevata resistenza del carburo di silicio consente di produrre LED più resistenti e durevoli rispetto alle fonti di illuminazione tradizionali.
3. Dispositivi a semiconduttore: i wafer di carburo di silicio vengono utilizzati nella produzione di dispositivi a semiconduttore, che trovano impiego in un'ampia gamma di applicazioni, tra cui telecomunicazioni, informatica ed elettronica di consumo. L'elevata conduttività termica e la bassa perdita di potenza del carburo di silicio lo rendono un materiale ideale per queste applicazioni.
4. Celle solari: i wafer di carburo di silicio vengono utilizzati nella produzione di celle solari. L'elevata resistenza del carburo di silicio consente di produrre celle solari più resistenti e durature rispetto alle celle solari tradizionali.
Nel complesso, il wafer in carburo di silicio ZMSH è un prodotto versatile e di alta qualità, utilizzabile in un'ampia gamma di applicazioni. L'elevata conduttività termica, la bassa perdita di potenza e l'elevata resistenza lo rendono un materiale ideale per dispositivi elettronici ad alta temperatura e alta potenza. Con una curvatura/deformazione ≤50 µm, una rugosità superficiale ≤1,2 nm e una resistività alta/bassa, il wafer in carburo di silicio è una scelta affidabile ed efficiente per qualsiasi applicazione che richieda una superficie piana e liscia.
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