Wafer in carburo di silicio 6H-N da 2 pollici, con substrato in carburo di silicio, doppia lucidatura, conduttivo di grado primario, grado Mos

Il substrato monocristallino in carburo di silicio (SiC) di tipo n 6H è un materiale semiconduttore essenziale, ampiamente utilizzato in applicazioni elettroniche ad alta potenza, alta frequenza e alta temperatura. Rinomato per la sua struttura cristallina esagonale, il SiC 6H-N offre un ampio bandgap e un'elevata conduttività termica, rendendolo ideale per ambienti difficili.
L'elevato campo elettrico di breakdown e la mobilità elettronica di questo materiale consentono lo sviluppo di dispositivi elettronici di potenza efficienti, come MOSFET e IGBT, in grado di funzionare a tensioni e temperature più elevate rispetto a quelli realizzati in silicio tradizionale. La sua eccellente conduttività termica garantisce un'efficace dissipazione del calore, fondamentale per mantenere prestazioni e affidabilità nelle applicazioni ad alta potenza.
Nelle applicazioni a radiofrequenza (RF), le proprietà del SiC 6H-N supportano la creazione di dispositivi in ​​grado di operare a frequenze più elevate con maggiore efficienza. La sua stabilità chimica e la resistenza alle radiazioni lo rendono inoltre adatto all'uso in ambienti difficili, compresi i settori aerospaziale e della difesa.
Inoltre, i substrati in SiC 6H-N sono parte integrante dei dispositivi optoelettronici, come i fotorivelatori ultravioletti, dove il loro ampio bandgap consente un'efficiente rilevazione della luce UV. La combinazione di queste proprietà rende il SiC 6H-n un materiale versatile e indispensabile per il progresso delle moderne tecnologie elettroniche e optoelettroniche.