Grado conduttivo di prima qualità conduttivo lucidato doppio del wafer Sic del substrato del carburo di silicio 6H-N di 2 pollici

Il substrato monocristallino in carburo di silicio (SiC) di tipo n 6H è un materiale semiconduttore essenziale ampiamente utilizzato in applicazioni elettroniche ad alta potenza, alta frequenza e alta temperatura. Rinomato per la sua struttura cristallina esagonale, il SiC 6H-N offre un ampio intervallo di banda e un'elevata conduttività termica, che lo rendono ideale per ambienti esigenti.
L'elevato campo elettrico di degradazione e la mobilità degli elettroni di questo materiale consentono lo sviluppo di dispositivi elettronici di potenza efficienti, come MOSFET e IGBT, che possono funzionare a tensioni e temperature più elevate rispetto a quelli realizzati con il silicio tradizionale. La sua eccellente conduttività termica garantisce un'efficace dissipazione del calore, fondamentale per mantenere le prestazioni e l'affidabilità nelle applicazioni ad alta potenza.
Nelle applicazioni a radiofrequenza (RF), le proprietà del 6H-N SiC supportano la creazione di dispositivi in ​​grado di funzionare a frequenze più elevate con una migliore efficienza. La sua stabilità chimica e la resistenza alle radiazioni lo rendono adatto anche all'uso in ambienti difficili, compresi i settori aerospaziale e della difesa.
Inoltre, i substrati SiC 6H-N sono parte integrante dei dispositivi optoelettronici, come i fotorilevatori ultravioletti, dove il loro ampio intervallo di banda consente un rilevamento efficiente della luce UV. La combinazione di queste proprietà rende il SiC 6H di tipo n un materiale versatile e indispensabile nel progresso delle moderne tecnologie elettroniche e optoelettroniche.