Wafer SiC in carburo di silicio da 2 pollici e 50,8 mm drogati con ricerca di produzione di tipo Si N e grado fittizio

Wafer SiC in carburo di silicio da 2 pollici e 50,8 mm drogato Si-tipo N Ricerca sulla produzione e grado fittizio

Breve descrizione:

Shanghai Xinkehui Tech. Co., Ltd offre la migliore selezione e i migliori prezzi per wafer e substrati in carburo di silicio di alta qualità fino a diametri fino a sei pollici con tipi N e semi-isolanti. Piccole e grandi aziende produttrici di dispositivi a semiconduttore e laboratori di ricerca in tutto il mondo utilizzano e si affidano ai nostri wafer in carburo di silicio.

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I criteri parametrici per i wafer SiC non drogati 4H-N da 2 pollici includono

Materiale del substrato: carburo di silicio 4H (4H-SiC)

Struttura cristallina: tetraesaedrica (4H)

Doping: non drogato (4H-N)

Dimensioni: 2 pollici

Tipo di conduttività: tipo N (n-drogato)

Conduttività: semiconduttore

Prospettive di mercato: i wafer SiC non drogati 4H-N presentano molti vantaggi, come elevata conduttività termica, bassa perdita di conduzione, eccellente resistenza alle alte temperature ed elevata stabilità meccanica, e quindi hanno un'ampia prospettiva di mercato nell'elettronica di potenza e nelle applicazioni RF. Con lo sviluppo dell’energia rinnovabile, dei veicoli elettrici e delle comunicazioni, vi è una crescente domanda di dispositivi ad alta efficienza, funzionamento ad alta temperatura e elevata tolleranza alla potenza, che offre un’opportunità di mercato più ampia per i wafer SiC non drogati 4H-N.

Usi: i wafer SiC non drogati 4H-N da 2 pollici possono essere utilizzati per fabbricare una varietà di dispositivi elettronici di potenza e RF, inclusi ma non limitati a:

MOSFET 1--4H-SiC: transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo per applicazioni ad alta potenza/alta temperatura. Questi dispositivi hanno basse perdite di conduzione e di commutazione per fornire maggiore efficienza e affidabilità.

JFET 2--4H-SiC: FET di giunzione per amplificatori di potenza RF e applicazioni di commutazione. Questi dispositivi offrono prestazioni ad alta frequenza ed elevata stabilità termica.

Diodi Schottky 3--4H-SiC: diodi per applicazioni ad alta potenza, alta temperatura e alta frequenza. Questi dispositivi offrono un'elevata efficienza con basse perdite di conduzione e di commutazione.

Dispositivi optoelettronici 4--4H-SiC: dispositivi utilizzati in aree quali diodi laser ad alta potenza, rilevatori UV e circuiti integrati optoelettronici. Questi dispositivi hanno caratteristiche di elevata potenza e frequenza.

In sintesi, i wafer SiC non drogati 4H-N da 2 pollici hanno il potenziale per un'ampia gamma di applicazioni, in particolare nell'elettronica di potenza e in RF. Le loro prestazioni superiori e la stabilità alle alte temperature li rendono un forte contendente per sostituire i tradizionali materiali in silicio per applicazioni ad alte prestazioni, alta temperatura e alta potenza.