Wafer di carburo di silicio SiC da 2 pollici e 50,8 mm, drogati, di tipo N, per ricerca e produzione, di grado fittizio

Materiale del substrato: carburo di silicio 4H (4H-SiC)

Struttura cristallina: tetraesaedrica (4H)

Doping: Non drogato (4H-N)

Dimensioni: 2 pollici

Tipo di conduttività: tipo N (drogato n)

Conduttività: semiconduttore

Prospettive di mercato: i wafer di SiC non drogati 4H-N presentano numerosi vantaggi, come elevata conduttività termica, basse perdite di conduzione, eccellente resistenza alle alte temperature ed elevata stabilità meccanica, e pertanto trovano ampia applicazione nel mercato dell'elettronica di potenza e delle applicazioni RF. Con lo sviluppo delle energie rinnovabili, dei veicoli elettrici e delle comunicazioni, la domanda di dispositivi ad alta efficienza, funzionamento ad alta temperatura ed elevata tolleranza di potenza è in crescita, il che offre un'ampia opportunità di mercato per i wafer di SiC non drogati 4H-N.

Utilizzi: i wafer SiC non drogati 4H-N da 2 pollici possono essere utilizzati per fabbricare una varietà di dispositivi elettronici di potenza e RF, inclusi, ma non limitati a:

MOSFET 1-4H-SiC: transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido metallico per applicazioni ad alta potenza/alta temperatura. Questi dispositivi presentano basse perdite di conduzione e commutazione per garantire maggiore efficienza e affidabilità.

2--JFET 4H-SiC: FET a giunzione per amplificatori di potenza RF e applicazioni di commutazione. Questi dispositivi offrono prestazioni ad alta frequenza ed elevata stabilità termica.

Diodi Schottky 3-4H-SiC: diodi per applicazioni ad alta potenza, alta temperatura e alta frequenza. Questi dispositivi offrono elevata efficienza con basse perdite di conduzione e commutazione.

Dispositivi optoelettronici 4--4H-SiC: dispositivi utilizzati in settori quali diodi laser ad alta potenza, rivelatori UV e circuiti integrati optoelettronici. Questi dispositivi presentano caratteristiche di potenza e frequenza elevate.

In sintesi, i wafer di SiC non drogati 4H-N da 2 pollici offrono il potenziale per un'ampia gamma di applicazioni, in particolare nell'elettronica di potenza e nella radiofrequenza (RF). Le loro prestazioni superiori e la stabilità alle alte temperature li rendono un valido candidato per sostituire i tradizionali materiali al silicio in applicazioni ad alte prestazioni, alte temperature e alta potenza.