Wafer SiC da 2 pollici Substrati SiC semi-isolanti 6H o 4H Dia50,8 mm

Wafer SiC da 2 pollici, substrati SiC semiisolanti 6H o 4H, diametro 50,8 mm, immagine in evidenza

Breve descrizione:

Il carburo di silicio (SiC) è un composto binario del Gruppo IV-IV, l'unico solido stabile del Gruppo IV della Tavola Periodica degli Elementi. È un importante semiconduttore. Il SiC ha eccellenti proprietà termiche, meccaniche, chimiche ed elettriche, che lo rendono uno dei materiali migliori per la realizzazione di dispositivi elettronici ad alta temperatura, alta frequenza e alta potenza.

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Caratteristiche

Applicazione del substrato di carburo di silicio

Il substrato di carburo di silicio può essere suddiviso in tipo conduttivo e tipo semiisolante in base alla resistività. I dispositivi conduttivi in carburo di silicio sono utilizzati principalmente nei veicoli elettrici, nella generazione di energia fotovoltaica, nel trasporto ferroviario, nei data center, nelle stazioni di ricarica e in altre infrastrutture. L'industria dei veicoli elettrici ha un'enorme domanda di substrati conduttivi in carburo di silicio e, attualmente, Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng e altre aziende produttrici di veicoli a energia rinnovabile hanno pianificato di utilizzare dispositivi o moduli discreti in carburo di silicio.

I dispositivi in carburo di silicio semi-isolati sono utilizzati principalmente nelle comunicazioni 5G, nelle comunicazioni veicolari, nelle applicazioni per la difesa nazionale, nella trasmissione dati, nel settore aerospaziale e in altri settori. Coltivando lo strato epitassiale di nitruro di gallio sul substrato di carburo di silicio semi-isolato, il wafer epitassiale di nitruro di gallio a base di silicio può essere ulteriormente trasformato in dispositivi RF a microonde, utilizzati principalmente nel campo RF, come amplificatori di potenza per le comunicazioni 5G e rilevatori radio per la difesa nazionale.

La produzione di substrati in carburo di silicio comprende lo sviluppo di apparecchiature, la sintesi delle materie prime, la crescita dei cristalli, il taglio dei cristalli, la lavorazione dei wafer, la pulizia e il collaudo, e molti altri passaggi. Per quanto riguarda le materie prime, l'industria del boro di Songshan fornisce materie prime in carburo di silicio per il mercato e ha raggiunto vendite in piccoli lotti. I materiali semiconduttori di terza generazione, rappresentati dal carburo di silicio, svolgono un ruolo chiave nell'industria moderna; con l'accelerazione della penetrazione dei veicoli a nuova energia e delle applicazioni fotovoltaiche, la domanda di substrati in carburo di silicio sta per raggiungere un punto di svolta.