Substrato in carburo di silicio Sic da 2 pollici Tipo 6H-N 0,33 mm Lucidatura bilaterale da 0,43 mm Elevata conduttività termica Basso consumo energetico
Di seguito sono riportate le caratteristiche del wafer in carburo di silicio da 2 pollici
1. Durezza: la durezza Mohs è circa 9,2.
2. Struttura cristallina: struttura reticolare esagonale.
3. Elevata conduttività termica: la conduttività termica del SiC è molto più elevata di quella del silicio, il che favorisce un'efficace dissipazione del calore.
4. Ampio band gap: il band gap del SiC è di circa 3,3 eV, adatto per applicazioni ad alta temperatura, alta frequenza e alta potenza.
5. Campo elettrico di breakdown e mobilità degli elettroni: elevato campo elettrico di breakdown e mobilità degli elettroni, adatti per dispositivi elettronici di potenza efficienti come MOSFET e IGBT.
6. Stabilità chimica e resistenza alle radiazioni: adatto ad ambienti difficili come il settore aerospaziale e la difesa nazionale. Eccellente resistenza chimica, ad acidi, alcali e altri solventi chimici.
7. Elevata resistenza meccanica: eccellente resistenza meccanica in ambienti ad alta temperatura e alta pressione.
Può essere ampiamente utilizzato in apparecchiature elettroniche ad alta potenza, alta frequenza e alta temperatura, come fotodetectori ultravioletti, inverter fotovoltaici, PCU di veicoli elettrici, ecc.
Il wafer di carburo di silicio da 2 pollici ha molteplici applicazioni.
1. Dispositivi elettronici di potenza: utilizzati per realizzare MOSFET di potenza ad alta efficienza, IGBT e altri dispositivi, ampiamente utilizzati nella conversione di potenza e nei veicoli elettrici.
2. Dispositivi RF: nelle apparecchiature di comunicazione, il SiC può essere utilizzato negli amplificatori ad alta frequenza e negli amplificatori di potenza RF.
3. Dispositivi fotoelettrici: come i LED basati su SIC, in particolare nelle applicazioni blu e ultraviolette.
4. Sensori: grazie alla loro elevata resistenza alle temperature e agli agenti chimici, i substrati SiC possono essere utilizzati per realizzare sensori ad alta temperatura e altre applicazioni di sensori.
5. Militare e aerospaziale: grazie alla sua elevata resistenza alle alte temperature e alle elevate caratteristiche di robustezza, è adatto all'uso in ambienti estremi.
I principali campi di applicazione del substrato SIC tipo 2 6H-N includono nuovi veicoli energetici, stazioni di trasmissione e trasformazione ad alta tensione, elettrodomestici, treni ad alta velocità, motori, inverter fotovoltaici, alimentatori a impulsi e così via.
XKH può essere personalizzato con diversi spessori in base alle esigenze del cliente. Sono disponibili diversi trattamenti di rugosità superficiale e lucidatura. Sono supportati diversi tipi di doping (come il doping con azoto). I tempi di consegna standard sono di 2-4 settimane, a seconda della personalizzazione. Vengono utilizzati materiali di imballaggio antistatici e schiuma antisismica per garantire la sicurezza del substrato. Sono disponibili diverse opzioni di spedizione e i clienti possono verificare lo stato della logistica in tempo reale tramite il numero di tracciamento fornito. Forniamo supporto tecnico e servizi di consulenza per garantire che i clienti possano risolvere eventuali problemi durante l'utilizzo.
Diagramma dettagliato


