Mandrino in ceramica al carburo di silicio per wafer SiGAA in zaffiro SiC

Breve descrizione:

Il mandrino ceramico in carburo di silicio è una piattaforma ad alte prestazioni progettata per l'ispezione di semiconduttori, la fabbricazione di wafer e applicazioni di incollaggio. Realizzato con materiali ceramici avanzati, tra cui SiC sinterizzato (SSiC), SiC legato per reazione (RSiC), nitruro di silicio e nitruro di alluminio, offre elevata rigidità, bassa dilatazione termica, eccellente resistenza all'usura e lunga durata.

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Caratteristiche

Diagramma dettagliato

Panoramica del mandrino ceramico in carburo di silicio (SiC)

ILMandrino in ceramica al carburo di silicioè una piattaforma ad alte prestazioni progettata per l'ispezione di semiconduttori, la fabbricazione di wafer e applicazioni di incollaggio. Costruita con materiali ceramici avanzati, tra cuiSiC sinterizzato (SSiC), SiC legato tramite reazione (RSiC), nitruro di silicio, Enitruro di alluminio—offreelevata rigidità, bassa dilatazione termica, eccellente resistenza all'usura e lunga durata.

Grazie all'ingegneria di precisione e alla lucidatura all'avanguardia, il mandrino offreplanarità sub-micronica, superfici di qualità speculare e stabilità dimensionale a lungo termine, rendendolo la soluzione ideale per i processi critici dei semiconduttori.

Vantaggi principali

Alta precisione
Planarità controllata all'interno0,3–0,5 μm, garantendo la stabilità del wafer e una precisione di processo costante.
Lucidatura a specchio
RealizzaRa 0,02 μmrugosità superficiale, riducendo al minimo i graffi e la contaminazione dei wafer: perfetto per ambienti ultra-puliti.
Ultraleggero
Più resistenti ma più leggeri dei substrati in quarzo o metallo, migliorano il controllo del movimento, la reattività e la precisione del posizionamento.
Elevata rigidità
L'eccezionale modulo di Young garantisce stabilità dimensionale anche in presenza di carichi pesanti e di funzionamento ad alta velocità.
Bassa dilatazione termica
Il CTE è molto simile a quello dei wafer di silicio, riducendo lo stress termico e migliorando l'affidabilità del processo.
Eccezionale resistenza all'usura
L'estrema durezza preserva la planarità e la precisione anche in caso di utilizzo prolungato e ad alta frequenza.

Processo di produzione

Preparazione delle materie prime
Polveri di SiC ad elevata purezza con granulometria controllata e bassissime impurità.
Formatura e sinterizzazione
Tecniche comesinterizzazione senza pressione (SSiC) or legame di reazione (RSiC)produrre substrati ceramici densi e uniformi.
Lavorazione meccanica di precisione
La rettifica CNC, la rifinitura laser e la lavorazione ad altissima precisione consentono di ottenere una tolleranza di ±0,01 mm e un parallelismo ≤3 μm.
Trattamento superficiale
Rettifica e lucidatura multistadio fino a Ra 0,02 μm; rivestimenti opzionali disponibili per resistenza alla corrosione o proprietà di attrito personalizzate.
Ispezione e controllo qualità
Gli interferometri e i misuratori di rugosità verificano la conformità alle specifiche di qualità dei semiconduttori.

Specifiche tecniche

Parametro	Valore	Unità
Planarità	≤0,5	micron
Dimensioni delle cialde	6'', 8'', 12'' (disponibili anche personalizzati)	—
Tipo di superficie	Tipo di perno / Tipo di anello	—
Altezza del perno	0,05–0,2	mm
Diametro minimo del perno	ϕ0.2	mm
Distanza minima tra i perni	3	mm
Larghezza minima dell'anello di tenuta	0,7	mm
rugosità superficiale	Ra 0,02	micron
Tolleranza di spessore	±0,01	mm
Tolleranza del diametro	±0,01	mm
Tolleranza di parallelismo	≤3	micron

Applicazioni principali

Apparecchiature per l'ispezione di wafer semiconduttori
Sistemi di fabbricazione e trasferimento di wafer
Strumenti per l'incollaggio e il confezionamento di wafer
Produzione di dispositivi optoelettronici avanzati
Strumenti di precisione che richiedono superfici ultrapiatte e ultra pulite

Domande e risposte – Mandrino in ceramica al carburo di silicio

D1: Come si confrontano i mandrini in ceramica SiC con quelli in quarzo o metallo?
R1: I mandrini SiC sono più leggeri, più rigidi e hanno un CTE simile a quello dei wafer di silicio, riducendo al minimo la deformazione termica. Offrono inoltre una maggiore resistenza all'usura e una maggiore durata.

D2: Quale planarità si può ottenere?
A2: Controllato entro0,3–0,5 μm, soddisfacendo le rigorose esigenze della produzione di semiconduttori.

D3: La superficie graffierà i wafer?
A3: No, lucidato a specchioRa 0,02 μm, garantendo una manipolazione senza graffi e una ridotta generazione di particelle.

D4: Quali dimensioni di wafer sono supportate?
A4: Dimensioni standard di6'', 8'' e 12'', con possibilità di personalizzazione.

D5: Qual è la resistenza termica?
A5: La ceramica SiC garantisce eccellenti prestazioni ad alta temperatura con una deformazione minima durante i cicli termici.

Chi siamo

XKH è specializzata nello sviluppo, nella produzione e nella vendita di vetri ottici speciali e nuovi materiali cristallini ad alta tecnologia. I nostri prodotti sono destinati all'elettronica ottica, all'elettronica di consumo e al settore militare. Offriamo componenti ottici in zaffiro, coperture per lenti di telefoni cellulari, wafer in ceramica, LT, carburo di silicio (SIC), quarzo e cristalli semiconduttori. Grazie a competenze specialistiche e attrezzature all'avanguardia, eccelliamo nella lavorazione di prodotti non standard, con l'obiettivo di diventare un'azienda leader nel settore dei materiali optoelettronici ad alta tecnologia.