Come possiamo rendere un wafer “ultra sottile”?

Come possiamo rendere un wafer “ultra sottile”?
Cos'è esattamente un wafer ultrasottile?

Intervalli di spessore tipici (wafer da 8″/12″ come esempi)

• Wafer standard:600–775 μm

• Cialda sottile:150–200 μm

• Wafer ultrasottile:inferiore a 100 μm

• Wafer estremamente sottile:50 μm, 30 μm o anche 10–20 μm

Perché i wafer stanno diventando più sottili?

• Ridurre lo spessore complessivo del pacchetto, accorciare la lunghezza del TSV e ridurre il ritardo RC

• Ridurre la resistenza e migliorare la dissipazione del calore

• Soddisfare i requisiti del prodotto finale per fattori di forma ultrasottili

I principali rischi dei wafer ultrasottili

1. La resistenza meccanica diminuisce drasticamente

2. Grave deformazione

3. Difficoltà di movimentazione e trasporto

4. Le strutture frontali sono altamente vulnerabili; i wafer sono soggetti a crepe/rotture

Come possiamo assottigliare un wafer fino a livelli ultrasottili?

1. DBG (tagliare a dadini prima di macinare)
   Tagliare parzialmente il wafer (senza tagliarlo completamente) in modo che ogni matrice sia predefinita mentre il wafer rimane meccanicamente collegato dal lato posteriore. Quindi, rettificare il wafer dal lato posteriore per ridurne lo spessore, rimuovendo gradualmente il silicio non tagliato rimanente. Infine, l'ultimo sottile strato di silicio viene rettificato, completando la singolarizzazione.

2. Processo Taiko
   Assottigliare solo la zona centrale del wafer, mantenendo spessa la zona del bordo. Il bordo più spesso fornisce supporto meccanico, contribuendo a ridurre la deformazione e il rischio di manipolazione.

3. Incollaggio temporaneo di wafer
   Il legame temporaneo fissa il wafer su untrasportatore temporaneo, trasformando un wafer estremamente fragile, simile a una pellicola, in un'unità robusta e lavorabile. Il supporto sostiene il wafer, protegge le strutture frontali e mitiga lo stress termico, consentendo un assottigliamento fino adecine di micronpur consentendo processi aggressivi come la formazione di TSV, la galvanica e l'incollaggio. È una delle tecnologie abilitanti più importanti per il packaging 3D moderno.