Nitruro di gallio (GaN) cresciuto epitassialmente su wafer di zaffiro da 4 pollici e 6 pollici per MEMS
Proprietà del GaN sui wafer di zaffiro
●Alta efficienza:I dispositivi basati su GaN forniscono una potenza cinque volte superiore rispetto ai dispositivi basati su silicio, migliorando le prestazioni in varie applicazioni elettroniche, tra cui l'amplificazione RF e l'optoelettronica.
●Ampio bandgap:L'ampio bandgap del GaN consente un'elevata efficienza a temperature elevate, rendendolo ideale per applicazioni ad alta potenza e alta frequenza.
●Durezza:La capacità del GaN di gestire condizioni estreme (alte temperature e radiazioni) garantisce prestazioni durature in ambienti difficili.
●Dimensioni ridotte:Il GaN consente la produzione di dispositivi più compatti e leggeri rispetto ai tradizionali materiali semiconduttori, facilitando la realizzazione di dispositivi elettronici più piccoli e potenti.
Astratto
Il nitruro di gallio (GaN) si sta affermando come il semiconduttore di riferimento per applicazioni avanzate che richiedono elevata potenza ed efficienza, come moduli front-end RF, sistemi di comunicazione ad alta velocità e illuminazione a LED. I wafer epitassiali in GaN, se coltivati su substrati di zaffiro, offrono una combinazione di elevata conduttività termica, elevata tensione di breakdown e ampia risposta in frequenza, fattori chiave per prestazioni ottimali in dispositivi di comunicazione wireless, radar e jammer. Questi wafer sono disponibili con diametri da 4 e 6 pollici, con diversi spessori di GaN per soddisfare diversi requisiti tecnici. Le proprietà uniche del GaN lo rendono un candidato ideale per il futuro dell'elettronica di potenza.
Parametri del prodotto
| Caratteristica del prodotto | Specifica |
| Diametro del wafer | 50 mm, 100 mm, 50,8 mm |
| Substrato | Zaffiro |
| Spessore dello strato di GaN | 0,5 μm - 10 μm |
| Tipo/drogaggio GaN | Tipo N (tipo P disponibile su richiesta) |
| Orientamento dei cristalli GaN | <0001> |
| Tipo di lucidatura | Lucidatura su un solo lato (SSP), lucidatura su due lati (DSP) |
| Spessore Al2O3 | 430 μm - 650 μm |
| TTV (variazione dello spessore totale) | ≤ 10 μm |
| Arco | ≤ 10 μm |
| Ordito | ≤ 10 μm |
| Superficie | Superficie utile > 90% |
Domande e risposte
D1: Quali sono i principali vantaggi dell'utilizzo del GaN rispetto ai tradizionali semiconduttori a base di silicio?
A1: Il GaN offre diversi vantaggi significativi rispetto al silicio, tra cui un bandgap più ampio, che gli consente di gestire tensioni di breakdown più elevate e di funzionare in modo efficiente a temperature più elevate. Questo rende il GaN ideale per applicazioni ad alta potenza e alta frequenza come moduli RF, amplificatori di potenza e LED. La capacità del GaN di gestire densità di potenza più elevate consente inoltre di realizzare dispositivi più piccoli ed efficienti rispetto alle alternative basate sul silicio.
D2: I wafer GaN su zaffiro possono essere utilizzati nelle applicazioni MEMS (sistemi microelettromeccanici)?
A2: Sì, il GaN su wafer di zaffiro è adatto per applicazioni MEMS, soprattutto dove sono richiesti elevata potenza, stabilità termica e basso rumore. La durevolezza e l'efficienza del materiale in ambienti ad alta frequenza lo rendono ideale per i dispositivi MEMS utilizzati nei sistemi di comunicazione wireless, rilevamento e radar.
D3: Quali sono le potenziali applicazioni del GaN nelle comunicazioni wireless?
A3: Il GaN è ampiamente utilizzato nei moduli front-end RF per le comunicazioni wireless, tra cui infrastrutture 5G, sistemi radar e jammer. La sua elevata densità di potenza e conduttività termica lo rendono perfetto per dispositivi ad alta potenza e alta frequenza, consentendo prestazioni migliori e fattori di forma più piccoli rispetto alle soluzioni basate sul silicio.
D4: Quali sono i tempi di consegna e le quantità minime d'ordine per i wafer GaN su Sapphire?
A4: I tempi di consegna e le quantità minime d'ordine variano a seconda delle dimensioni del wafer, dello spessore del GaN e delle specifiche esigenze del cliente. Vi preghiamo di contattarci direttamente per prezzi e disponibilità dettagliati in base alle vostre specifiche.
D5: Posso ottenere spessori di strato o livelli di drogaggio GaN personalizzati?
A5Sì, offriamo la possibilità di personalizzare lo spessore del GaN e i livelli di drogaggio per soddisfare specifiche esigenze applicative. Comunicateci le specifiche desiderate e vi forniremo una soluzione su misura.
Diagramma dettagliato
