GaAs

Substrato di wafer epitassiale ad alta potenza GaAs wafer di arseniuro di gallio lunghezza d'onda laser di potenza 905 nm per trattamento medico laser
Wafer epitassiale laser GaAs da 4 pollici e 6 pollici VCSEL a cavità verticale, laser a emissione superficiale, lunghezza d'onda 940 nm, giunzione singola