Wafer epitassiali 4H-SiC per MOSFET ad altissima tensione (100–500 μm, 6 pollici)

Breve descrizione:

La rapida crescita dei veicoli elettrici, delle reti intelligenti, dei sistemi di energia rinnovabile e delle apparecchiature industriali ad alta potenza ha creato un'urgente necessità di dispositivi a semiconduttore in grado di gestire tensioni più elevate, densità di potenza più elevate e maggiore efficienza. Tra i semiconduttori a banda larga,carburo di silicio (SiC)si distingue per l'ampio bandgap, l'elevata conduttività termica e la superiore intensità del campo elettrico critico.

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Caratteristiche

Diagramma dettagliato

Panoramica del prodotto

NostroWafer epitassiali 4H-SiCsono progettati specificamente perapplicazioni MOSFET ad altissima tensioneCon strati epitassiali che vanno daDa 100 μm a 500 μm on Substrati da 6 pollici (150 mm)Questi wafer offrono le regioni di deriva estese richieste per i dispositivi di classe kV, mantenendo al contempo un'eccezionale qualità cristallina e scalabilità. Gli spessori standard includono 100 μm, 200 μm e 300 μm, con possibilità di personalizzazione.

Spessore dello strato epitassiale

Lo strato epitassiale gioca un ruolo decisivo nel determinare le prestazioni del MOSFET, in particolare l'equilibrio tratensione di rotturaEresistenza attiva.

100–200 μm: Ottimizzato per MOSFET a tensione medio-alta, offre un eccellente equilibrio tra efficienza di conduzione e forza di blocco.
200–500 μm: Adatto per dispositivi ad altissima tensione (10 kV+), consentendo lunghe regioni di deriva per caratteristiche di breakdown robuste.

In tutta la gamma,l'uniformità dello spessore è controllata entro ±2%, garantendo la coerenza tra wafer e wafer e tra lotto e lotto. Questa flessibilità consente ai progettisti di ottimizzare le prestazioni dei dispositivi in base alle classi di tensione target, mantenendo al contempo la riproducibilità nella produzione di massa.

Processo di produzione

I nostri wafer sono realizzati utilizzandoepitassia CVD (deposizione chimica da vapore) all'avanguardia, che consente un controllo preciso dello spessore, del drogaggio e della qualità cristallina, anche per strati molto spessi.

Epitassia CVD– Gas ad elevata purezza e condizioni ottimizzate garantiscono superfici lisce e basse densità di difetti.
Crescita a strati spessi– Le ricette di processo proprietarie consentono spessori epitassiali fino a500 microncon eccellente uniformità.
Controllo antidoping– Concentrazione regolabile tra1×10¹⁴ – 1×10¹⁶ cm⁻³, con uniformità migliore di ±5%.
Preparazione della superficie– Le cialde subisconoLucidatura CMPe un'ispezione rigorosa, che garantisce la compatibilità con processi avanzati quali l'ossidazione del gate, la fotolitografia e la metallizzazione.

Vantaggi principali

Capacità di tensione ultra elevata– Gli strati epitassiali spessi (100–500 μm) supportano i progetti MOSFET di classe kV.
Qualità eccezionale del cristallo– Le basse densità di dislocazioni e difetti del piano basale garantiscono affidabilità e riducono al minimo le perdite.
Substrati di grandi dimensioni da 6 pollici– Supporto per la produzione ad alto volume, riduzione dei costi per dispositivo e compatibilità fab.
Proprietà termiche superiori– L’elevata conduttività termica e l’ampio bandgap consentono un funzionamento efficiente ad alta potenza e temperatura.
Parametri personalizzabili– Spessore, drogaggio, orientamento e finitura superficiale possono essere personalizzati in base a requisiti specifici.

Specifiche tipiche

Parametro	Specifica
Tipo di conduttività	Tipo N (drogato con azoto)
Resistività	Qualunque
Angolo fuori asse	4° ± 0,5° (verso [11-20])
Orientamento dei cristalli	(0001) Si-faccia
Spessore	200–300 μm (personalizzabile 100–500 μm)
Finitura superficiale	Fronte: CMP lucidato (epi-ready) Retro: lappato o lucidato
TTV	≤ 10 μm
Arco/Ordito	≤ 20 μm

Aree di applicazione

I wafer epitassiali 4H-SiC sono ideali perMOSFET nei sistemi ad altissima tensione, tra cui:

Inverter per trazione di veicoli elettrici e moduli di ricarica ad alta tensione
Apparecchiature di trasmissione e distribuzione della rete intelligente
Inverter per energie rinnovabili (solare, eolica, accumulo)
Alimentatori industriali ad alta potenza e sistemi di commutazione

Domande frequenti

D1: Qual è il tipo di conduttività?
A1: Tipo N, drogato con azoto: lo standard industriale per MOSFET e altri dispositivi di potenza.

D2: Quali spessori epitassiali sono disponibili?
A2: 100–500 μm, con opzioni standard da 100 μm, 200 μm e 300 μm. Spessori personalizzati disponibili su richiesta.

D3: Quali sono l'orientamento del wafer e l'angolo fuori asse?
A3: (0001) Faccia Si, con 4° ± 0,5° fuori asse verso la direzione [11-20].

Chi siamo

XKH è specializzata nello sviluppo, nella produzione e nella vendita di vetri ottici speciali e nuovi materiali cristallini ad alta tecnologia. I nostri prodotti sono destinati all'elettronica ottica, all'elettronica di consumo e al settore militare. Offriamo componenti ottici in zaffiro, coperture per lenti di telefoni cellulari, wafer in ceramica, LT, carburo di silicio (SIC), quarzo e cristalli semiconduttori. Grazie a competenze specialistiche e attrezzature all'avanguardia, eccelliamo nella lavorazione di prodotti non standard, con l'obiettivo di diventare un'azienda leader nel settore dei materiali optoelettronici ad alta tecnologia.