Produzione di wafer SiC 4H-N/6H-N per la ricerca, grado fittizio, substrato in carburo di silicio Dia150mm
Specifiche del substrato in carburo di silicio (SiC) da 6 pollici di diametro
| Grado | Zero MPD | Produzione | Grado di ricerca | Grado fittizio |
| Diametro | 150,0 mm±0,25 mm | |||
| Spessore | 4H-N | 350±25µm | ||
| 4H-SI | 500±25µm | |||
| Orientamento del wafer | Sull'asse: <0001>±0,5° per 4H-SI | |||
| Appartamento primario | {10-10}±5,0° | |||
| Lunghezza piana primaria | 47,5 mm±2,5 mm | |||
| Esclusione del bordo | 3 millimetri | |||
| TTV/Arco/Ordito | ≤15um/≤40um/≤60um | |||
| Densità del microtubo | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤15cm-2 | ≤50cm-2 |
| Resistività 4H-N 4H-SI | 0,015~0,028Ω!cm | |||
| ≥1E5Ω!cm | ||||
| Rugosità | Ra polacco ≤1nm CMP Ra≤0,5nm | |||
| #Crepe causate da luce ad alta intensità | Nessuno | 1 consentito, ≤2mm | Lunghezza cumulativa ≤10 mm, lunghezza singola ≤2 mm | |
| *Piastre esagonali con luce ad alta intensità | Area cumulativa ≤1% | Area cumulativa ≤ 2% | Area cumulativa ≤ 5% | |
| *Aree politipiche tramite luce ad alta intensità | Nessuno | Area cumulativa ≤ 2% | Area cumulativa ≤ 5% | |
| *&Graffi causati da luce ad alta intensità | 3 graffi a 1 x diametro del wafer lunghezza cumulativa | 5 graffi a 1 x diametro del wafer lunghezza cumulativa | 5 graffi a 1 x lunghezza cumulativa del diametro del wafer | |
| Scheggiatura del bordo | Nessuno | 3 consentiti, ≤0,5 mm ciascuno | 5 consentiti, ≤1 mm ciascuno | |
| Contaminazione da luce ad alta intensità | Nessuno
| |||
Vendite e servizio clienti
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