Notizie del settore
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In futuro, il taglio laser diventerà la tecnologia più diffusa per il taglio del carburo di silicio da 8 pollici. Raccolta di domande e risposte
D: Quali sono le principali tecnologie utilizzate per il taglio e la lavorazione dei wafer di SiC? R: Il carburo di silicio (SiC) ha una durezza seconda solo a quella del diamante ed è considerato un materiale estremamente duro e fragile. Il processo di taglio, che prevede il taglio dei cristalli cresciuti in sottili wafer, è dispendioso in termini di tempo e soggetto a...Per saperne di più -
Stato attuale e tendenze della tecnologia di elaborazione dei wafer SiC
Come materiale di substrato semiconduttore di terza generazione, il monocristallo di carburo di silicio (SiC) offre ampie prospettive applicative nella produzione di dispositivi elettronici ad alta frequenza e alta potenza. La tecnologia di lavorazione del SiC gioca un ruolo decisivo nella produzione di substrati di alta qualità...Per saperne di più -
La stella nascente dei semiconduttori di terza generazione: il nitruro di gallio apre nuovi orizzonti di crescita nel futuro
Rispetto ai dispositivi al carburo di silicio, i dispositivi di potenza al nitruro di gallio presenteranno maggiori vantaggi negli scenari in cui sono richiesti contemporaneamente efficienza, frequenza, volume e altri aspetti complessivi, come ad esempio i dispositivi basati sul nitruro di gallio che sono stati applicati con successo...Per saperne di più -
Lo sviluppo dell'industria nazionale del GaN è stato accelerato
L'adozione di dispositivi di potenza al nitruro di gallio (GaN) sta crescendo in modo esponenziale, trainata dai produttori cinesi di elettronica di consumo, e si prevede che il mercato dei dispositivi di potenza al GaN raggiungerà i 2 miliardi di dollari entro il 2027, rispetto ai 126 milioni di dollari del 2021. Attualmente, il settore dell'elettronica di consumo è il principale motore del mercato del nitruro di gallio...Per saperne di più