La stella nascente dei semiconduttori di terza generazione: il nitruro di gallio apre nuovi orizzonti di crescita nel futuro

Rispetto ai dispositivi in ​​carburo di silicio, i dispositivi di potenza in nitruro di gallio offriranno maggiori vantaggi in scenari in cui efficienza, frequenza, volume e altri aspetti complessi sono richiesti contemporaneamente, come ad esempio i dispositivi a base di nitruro di gallio, applicati con successo su larga scala nel campo della ricarica rapida. Con l'avvento di nuove applicazioni downstream e il continuo progresso della tecnologia di preparazione dei substrati in nitruro di gallio, si prevede che i dispositivi GaN continueranno ad aumentare in volume e diventeranno una delle tecnologie chiave per la riduzione dei costi, l'efficienza e lo sviluppo sostenibile.
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Attualmente, la terza generazione di materiali semiconduttori è diventata una parte importante delle industrie emergenti strategiche e sta diventando il punto di riferimento strategico per la prossima generazione di tecnologie dell'informazione, risparmio energetico, riduzione delle emissioni e tecnologie per la sicurezza della difesa nazionale. Tra questi, il nitruro di gallio (GaN) è uno dei materiali semiconduttori di terza generazione più rappresentativi, in quanto materiale semiconduttore ad ampio bandgap con un bandgap di 3,4 eV.

Il 3 luglio, la Cina ha inasprito le restrizioni all'esportazione di prodotti a base di gallio e germanio, un importante adeguamento politico basato sull'importante caratteristica del gallio, un metallo raro, di essere il "nuovo grano dell'industria dei semiconduttori" e sui suoi ampi vantaggi applicativi nei materiali semiconduttori, nelle nuove energie e in altri settori. Alla luce di questo cambiamento di politica, questo articolo discuterà e analizzerà il nitruro di gallio dal punto di vista della tecnologia di preparazione e delle sfide, dei nuovi punti di crescita futuri e del modello competitivo.

Una breve introduzione:
Il nitruro di gallio è un tipo di materiale semiconduttore sintetico, tipico rappresentante della terza generazione di materiali semiconduttori. Rispetto ai tradizionali materiali al silicio, il nitruro di gallio (GaN) presenta i vantaggi di un ampio bandgap, un forte campo elettrico di breakdown, una bassa resistenza di conduzione, un'elevata mobilità elettronica, un'elevata efficienza di conversione, un'elevata conduttività termica e basse perdite.

Il monocristallo di nitruro di gallio è una nuova generazione di materiali semiconduttori dalle prestazioni eccellenti, che può essere ampiamente utilizzato nelle comunicazioni, nei radar, nell'elettronica di consumo, nell'elettronica automobilistica, nell'energia, nell'elaborazione laser industriale, nella strumentazione e in altri campi, pertanto il suo sviluppo e la sua produzione di massa sono al centro dell'attenzione di paesi e industrie in tutto il mondo.

Applicazione del GaN

1--Stazione base di comunicazione 5G
L'infrastruttura di comunicazione wireless è il principale campo di applicazione dei dispositivi RF al nitruro di gallio, rappresentandone il 50%.
2--Alimentazione ad alta potenza
La caratteristica "doppia altezza" del GaN ha un grande potenziale di penetrazione nei dispositivi elettronici di consumo ad alte prestazioni, in grado di soddisfare i requisiti di scenari di ricarica rapida e protezione della carica.
3--Veicolo a nuova energia
Dal punto di vista dell'applicazione pratica, gli attuali dispositivi semiconduttori di terza generazione presenti sulle auto sono principalmente dispositivi in ​​carburo di silicio, ma esistono materiali in nitruro di gallio idonei in grado di superare la certificazione di regolamentazione delle auto per i moduli dei dispositivi di potenza, oppure altri metodi di confezionamento idonei che saranno comunque accettati dall'intero stabilimento e dai produttori OEM.
4--Centro dati
I semiconduttori di potenza GaN vengono utilizzati principalmente nelle unità di alimentazione PSU nei data center.

In sintesi, con lo scoppio di nuove applicazioni downstream e le continue innovazioni nella tecnologia di preparazione dei substrati di nitruro di gallio, si prevede che i dispositivi GaN continueranno ad aumentare di volume e diventeranno una delle tecnologie chiave per la riduzione dei costi, l'efficienza e lo sviluppo ecologico sostenibile.


Data di pubblicazione: 27/07/2023