Al momento, la nostra azienda può continuare a fornire piccoli lotti di wafer SiC di tipo 8 pollici N, se avete bisogno di campioni, non esitate a contattarmi. Abbiamo alcuni wafer campione pronti per la spedizione.
Nel campo dei materiali semiconduttori, l'azienda ha fatto un importante passo avanti nella ricerca e nello sviluppo di cristalli SiC di grandi dimensioni. Utilizzando i propri cristalli seme dopo molteplici cicli di ingrandimento del diametro, l'azienda è riuscita a coltivare cristalli SiC di tipo N da 8 pollici, che risolvono problemi difficili come il campo di temperatura irregolare, la rottura dei cristalli e la distribuzione della materia prima in fase gassosa nel processo di crescita di Cristalli SIC da 8 pollici e accelera la crescita di cristalli SIC di grandi dimensioni e la tecnologia di elaborazione autonoma e controllabile. Migliorare notevolmente la competitività principale dell'azienda nel settore dei substrati monocristallini SiC. Allo stesso tempo, l'azienda promuove attivamente l'accumulo di tecnologia e processo di linea sperimentale di preparazione del substrato di carburo di silicio di grandi dimensioni, rafforza lo scambio tecnico e la collaborazione industriale nei campi a monte e a valle e collabora con i clienti per ripetere costantemente le prestazioni del prodotto e congiuntamente promuove il ritmo dell'applicazione industriale dei materiali in carburo di silicio.
| Specifiche DSP SiC di tipo N da 8 pollici | |||||
| Numero | Articolo | Unità | Produzione | Ricerca | Manichino |
| 1. Parametri | |||||
| 1.1 | politipo | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientamento della superficie | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Parametro elettrico | |||||
| 2.1 | drogante | -- | Azoto di tipo n | Azoto di tipo n | Azoto di tipo n |
| 2.2 | resistività | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Parametro meccanico | |||||
| 3.1 | diametro | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | spessore | µm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientamento della tacca | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Profondità della tacca | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | LTV | µm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | TTV | µm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Arco | µm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Ordito | µm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra ≤ 0,2 | Ra ≤ 0,2 | Ra ≤ 0,2 |
| 4. Struttura | |||||
| 4.1 | densità del microtubo | cad/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | contenuto di metallo | atomi/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | cad/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | cad/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | cad/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Qualità positiva | |||||
| 5.1 | anteriore | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | finitura superficiale | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | particella | pezzo/cialda | ≤100 (dimensione≥0,3μm) | NA | NA |
| 5.4 | graffio | pezzo/cialda | ≤5,Lunghezza totale≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Bordo scheggiature/tacche/crepe/macchie/contaminazione | -- | Nessuno | Nessuno | NA |
| 5.6 | Aree di politipo | -- | Nessuno | Area ≤10% | Area ≤30% |
| 5.7 | marcatura frontale | -- | Nessuno | Nessuno | Nessuno |
| 6. Qualità della schiena | |||||
| 6.1 | finitura posteriore | -- | MP faccia C | MP faccia C | MP faccia C |
| 6.2 | graffio | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Bordo dei difetti del retro scheggiature/rientranze | -- | Nessuno | Nessuno | NA |
| 6.4 | Rugosità della schiena | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Marcatura sul retro | -- | Tacca | Tacca | Tacca |
| 7. Bordo | |||||
| 7.1 | bordo | -- | Smussare | Smussare | Smussare |
| 8. Pacchetto | |||||
| 8.1 | confezione | -- | Epi-ready con vuoto confezione | Epi-ready con vuoto confezione | Epi-ready con vuoto confezione |
| 8.2 | confezione | -- | Multiwafer confezione della cassetta | Multiwafer confezione della cassetta | Multiwafer confezione della cassetta |
Orario di pubblicazione: 18 aprile 2023