Attualmente, la nostra azienda può continuare a fornire piccoli lotti di wafer SiC tipo N da 8 pollici. Se avete bisogno di campioni, non esitate a contattarmi. Abbiamo alcuni wafer campione pronti per la spedizione.
Nel campo dei materiali semiconduttori, l'azienda ha compiuto un importante passo avanti nella ricerca e nello sviluppo di cristalli di SiC di grandi dimensioni. Utilizzando i propri cristalli seed, dopo molteplici cicli di ingrandimento del diametro, l'azienda ha prodotto con successo cristalli di SiC di tipo N da 8 pollici, risolvendo problemi complessi come la temperatura irregolare, la rottura dei cristalli e la distribuzione delle materie prime in fase gassosa nel processo di crescita dei cristalli di SIC da 8 pollici, accelerando la crescita di cristalli di SIC di grandi dimensioni e la tecnologia di lavorazione autonoma e controllabile. Ciò ha notevolmente migliorato la competitività di base dell'azienda nel settore dei substrati monocristallini di SiC. Allo stesso tempo, l'azienda promuove attivamente l'accumulo di tecnologie e processi per la linea sperimentale di preparazione di substrati di carburo di silicio di grandi dimensioni, rafforzando lo scambio tecnico e la collaborazione industriale nei settori upstream e downstream, collaborando con i clienti per migliorare costantemente le prestazioni dei prodotti e promuovendo congiuntamente il ritmo dell'applicazione industriale dei materiali in carburo di silicio.
| Specifiche del DSP SiC di tipo N da 8 pollici | |||||
| Numero | Articolo | Unità | Produzione | Ricerca | Manichino |
| 1. Parametri | |||||
| 1.1 | politipo | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientamento della superficie | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Parametro elettrico | |||||
| 2.1 | drogante | -- | azoto di tipo n | azoto di tipo n | azoto di tipo n |
| 2.2 | resistività | ohm · cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Parametro meccanico | |||||
| 3.1 | diametro | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | spessore | micron | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientamento della tacca | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Profondità della tacca | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | LTV | micron | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | TTV | micron | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Arco | micron | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Ordito | micron | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4. Struttura | |||||
| 4.1 | densità dei microtubi | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | contenuto di metallo | atomi/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | Disturbo Borderline di Personalità | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Qualità positiva | |||||
| 5.1 | davanti | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | finitura superficiale | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | particella | ea/cialda | ≤100 (dimensione ≥0,3μm) | NA | NA |
| 5.4 | graffio | ea/cialda | ≤5, lunghezza totale ≤200 mm | NA | NA |
| 5.5 | Bordo scheggiature/ammaccature/crepe/macchie/contaminazione | -- | Nessuno | Nessuno | NA |
| 5.6 | Aree politipiche | -- | Nessuno | Area ≤10% | Area ≤30% |
| 5.7 | marcatura frontale | -- | Nessuno | Nessuno | Nessuno |
| 6. Qualità della schiena | |||||
| 6.1 | finitura posteriore | -- | C-face MP | C-face MP | C-face MP |
| 6.2 | graffio | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Difetti posteriori bordo scheggiature/ammaccature | -- | Nessuno | Nessuno | NA |
| 6.4 | Rugosità posteriore | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Marcatura posteriore | -- | Tacca | Tacca | Tacca |
| 7. Bordo | |||||
| 7.1 | bordo | -- | Smussare | Smussare | Smussare |
| 8. Pacchetto | |||||
| 8.1 | confezione | -- | Epi-ready con vuoto confezione | Epi-ready con vuoto confezione | Epi-ready con vuoto confezione |
| 8.2 | confezione | -- | Multi-wafer imballaggio in cassetta | Multi-wafer imballaggio in cassetta | Multi-wafer imballaggio in cassetta |
Data di pubblicazione: 18 aprile 2023