Novità
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PIC wafer LiTaO3: guida d'onda con tantalato di litio su isolante a bassa perdita per fotonica non lineare su chip
Riassunto: Abbiamo sviluppato una guida d'onda al tantalato di litio basata su isolante da 1550 nm con una perdita di 0,28 dB/cm e un fattore di qualità del risonatore ad anello di 1,1 milioni. È stata studiata l'applicazione della non linearità χ(3) nella fotonica non lineare. I vantaggi del niobato di litio...Per saperne di più -
XKH-Condivisione delle conoscenze-Che cos'è la tecnologia di taglio dei wafer?
La tecnologia di taglio dei wafer, in quanto fase critica nel processo di produzione dei semiconduttori, è direttamente collegata alle prestazioni, alla resa e ai costi di produzione del chip. #01 Contesto e significato del Wafer Dicing 1.1 Definizione del Wafer Dicing Wafer Dicing (noto anche come scri...Per saperne di più -
Tantalato di litio a film sottile (LTOI): il materiale della prossima stella per i modulatori ad alta velocità?
Il materiale a film sottile di tantalato di litio (LTOI) sta emergendo come una nuova forza significativa nel campo dell'ottica integrata. Quest'anno sono stati pubblicati numerosi lavori di alto livello sui modulatori LTOI, con wafer LTOI di alta qualità forniti dal Professor Xin Ou dell'Istituto di Shanghai...Per saperne di più -
Conoscenza approfondita del sistema SPC nella produzione di wafer
L'SPC (Statistical Process Control) è uno strumento cruciale nel processo di produzione dei wafer, utilizzato per monitorare, controllare e migliorare la stabilità delle varie fasi della produzione. 1. Panoramica del sistema SPC SPC è un metodo che utilizza sta...Per saperne di più -
Perché l'epitassia viene eseguita su un substrato di wafer?
La crescita di uno strato aggiuntivo di atomi di silicio su un substrato di wafer di silicio presenta numerosi vantaggi: Nei processi al silicio CMOS, la crescita epitassiale (EPI) sul substrato di wafer è una fase critica del processo. 1、Migliorare la qualità dei cristalli...Per saperne di più -
Principi, processi, metodi e apparecchiature per la pulizia dei wafer
La pulizia a umido (Wet Clean) è una delle fasi critiche nei processi di produzione dei semiconduttori, finalizzata a rimuovere vari contaminanti dalla superficie del wafer per garantire che le successive fasi del processo possano essere eseguite su una superficie pulita. ...Per saperne di più -
La relazione tra piani cristallini e orientamento dei cristalli.
I piani cristallini e l'orientamento dei cristalli sono due concetti fondamentali della cristallografia, strettamente correlati alla struttura cristallina nella tecnologia dei circuiti integrati a base di silicio. 1.Definizione e proprietà dell'orientamento del cristallo L'orientamento del cristallo rappresenta una direzione specifica...Per saperne di più -
Quali sono i vantaggi dei processi Through Glass Via (TGV) e Through Silicon Via, TSV (TSV) rispetto a TGV？
I vantaggi dei processi Through Glass Via (TGV) e Through Silicon Via (TSV) rispetto al TGV sono principalmente: (1) eccellenti caratteristiche elettriche ad alta frequenza. Il materiale di vetro è un materiale isolante, la costante dielettrica è solo circa 1/3 di quella del materiale di silicio e il fattore di perdita è 2-...Per saperne di più -
Applicazioni di substrati conduttivi e semi-isolati in carburo di silicio
Il substrato in carburo di silicio è suddiviso in tipo semiisolante e tipo conduttivo. Attualmente, la specifica principale dei prodotti con substrato in carburo di silicio semiisolato è di 4 pollici. Nella lavorazione conduttiva del carburo di silicio...Per saperne di più -
Ci sono differenze anche nell'applicazione dei wafer di zaffiro con diversi orientamenti dei cristalli?
Lo zaffiro è un singolo cristallo di allumina, appartiene al sistema cristallino tripartito, struttura esagonale, la sua struttura cristallina è composta da tre atomi di ossigeno e due atomi di alluminio con legame covalente, disposti molto strettamente, con una forte catena di legame ed energia reticolare, mentre il suo cristallo inte...Per saperne di più -
Qual è la differenza tra substrato conduttivo SiC e substrato semi-isolato?
Il dispositivo in carburo di silicio SiC si riferisce al dispositivo realizzato in carburo di silicio come materia prima. In base alle diverse proprietà di resistenza, è suddiviso in dispositivi di potenza conduttivi al carburo di silicio e dispositivi RF semi-isolati al carburo di silicio. Principali forme del dispositivo e...Per saperne di più -
Un articolo ti porta un maestro del TGV
Cos'è il TGV? TGV, (Through-Glass via), una tecnologia per creare fori passanti su un substrato di vetro. In termini semplici, TGV è un grattacielo che perfora, riempie e collega su e giù il vetro per costruire circuiti integrati sul vetro fl...Per saperne di più