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Apparecchiature per il taglio laser ad alta precisione per wafer SiC da 8 pollici: la tecnologia fondamentale per la futura elaborazione dei wafer SiC
Il carburo di silicio (SiC) non è solo una tecnologia fondamentale per la difesa nazionale, ma anche un materiale fondamentale per l'industria automobilistica ed energetica globale. Come primo passaggio fondamentale nella lavorazione del monocristallo di SiC, il taglio del wafer determina direttamente la qualità delle successive operazioni di assottigliamento e lucidatura. Tr...Per saperne di più -
Vetri AR con guida d'onda in carburo di silicio di grado ottico: preparazione di substrati semi-isolanti ad alta purezza
Sullo sfondo della rivoluzione dell'intelligenza artificiale, gli occhiali AR stanno gradualmente entrando nella coscienza pubblica. In quanto paradigma che fonde perfettamente il mondo virtuale e quello reale, gli occhiali AR si differenziano dai dispositivi VR consentendo agli utenti di percepire sia le immagini proiettate digitalmente che la luce ambientale...Per saperne di più -
Crescita eteroepitassiale di 3C-SiC su substrati di silicio con diversi orientamenti
1. Introduzione Nonostante decenni di ricerca, la crescita di 3C-SiC eteroepitassiale su substrati di silicio non ha ancora raggiunto una qualità cristallina sufficiente per applicazioni elettroniche industriali. La crescita viene in genere eseguita su substrati di Si(100) o Si(111), ognuno dei quali presenta sfide distinte: disomogeneità di fase...Per saperne di più -
Ceramica al carburo di silicio vs. semiconduttore: lo stesso materiale con due destini distinti
Il carburo di silicio (SiC) è un composto straordinario, presente sia nell'industria dei semiconduttori che nei prodotti ceramici avanzati. Questo crea spesso confusione tra i profani, che potrebbero scambiarli per lo stesso tipo di prodotto. In realtà, pur condividendo la stessa composizione chimica, il SiC manifesta...Per saperne di più -
Progressi nelle tecnologie di preparazione della ceramica al carburo di silicio ad alta purezza
Le ceramiche al carburo di silicio (SiC) ad alta purezza si sono affermate come materiali ideali per componenti critici nei settori dei semiconduttori, aerospaziale e chimico, grazie alla loro eccezionale conduttività termica, stabilità chimica e resistenza meccanica. Con la crescente domanda di materiali ad alte prestazioni e bassa pol...Per saperne di più -
Principi tecnici e processi dei wafer epitassiali a LED
Dal principio di funzionamento dei LED, è evidente che il materiale del wafer epitassiale è il componente principale di un LED. Infatti, parametri optoelettronici chiave come lunghezza d'onda, luminosità e tensione diretta sono in gran parte determinati dal materiale epitassiale. Tecnologia e apparecchiature per wafer epitassiali...Per saperne di più -
Considerazioni chiave per la preparazione di monocristalli di carburo di silicio di alta qualità
I principali metodi per la preparazione di monocristalli di silicio includono: trasporto fisico da vapore (PVT), crescita di soluzioni con semina dall'alto (TSSG) e deposizione chimica da vapore ad alta temperatura (HT-CVD). Tra questi, il metodo PVT è ampiamente adottato nella produzione industriale grazie alla semplicità delle apparecchiature, alla facilità di...Per saperne di più -
Niobato di litio su isolante (LNOI): guida al progresso dei circuiti integrati fotonici
Introduzione Ispirato dal successo dei circuiti integrati elettronici (EIC), il campo dei circuiti integrati fotonici (PIC) si è evoluto sin dal suo inizio nel 1969. Tuttavia, a differenza degli EIC, lo sviluppo di una piattaforma universale in grado di supportare diverse applicazioni fotoniche rimane...Per saperne di più -
Considerazioni chiave per la produzione di monocristalli di carburo di silicio (SiC) di alta qualità
Considerazioni chiave per la produzione di monocristalli di carburo di silicio (SiC) di alta qualità I metodi principali per la coltivazione di monocristalli di carburo di silicio includono il trasporto fisico di vapore (PVT), la crescita in soluzione top-seeded (TSSG) e la crescita chimica ad alta temperatura...Per saperne di più -
Tecnologia LED epitassiale di nuova generazione: alimenta il futuro dell'illuminazione
I LED illuminano il nostro mondo e il cuore di ogni LED ad alte prestazioni è il wafer epitassiale, un componente fondamentale che ne definisce luminosità, colore ed efficienza. Padroneggiando la scienza della crescita epitassiale, ...Per saperne di più -
La fine di un'era? Il fallimento di Wolfspeed rimodella il panorama del SiC
Il fallimento di Wolfspeed segna una svolta importante per il settore dei semiconduttori SiC Wolfspeed, leader di lunga data nella tecnologia del carburo di silicio (SiC), ha dichiarato bancarotta questa settimana, segnando un cambiamento significativo nel panorama mondiale dei semiconduttori SiC. L'azienda...Per saperne di più -
Analisi completa della formazione di stress nel quarzo fuso: cause, meccanismi ed effetti
1. Stress termico durante il raffreddamento (causa primaria) Il quarzo fuso genera stress in condizioni di temperatura non uniformi. A qualsiasi temperatura, la struttura atomica del quarzo fuso raggiunge una configurazione spaziale relativamente "ottimale". Al variare della temperatura, la struttura atomica...Per saperne di più