Epi-strato
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Il tipo N/P del wafer epitassiale SiC da 6 pollici accetta la personalizzazione
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Wafer SiC Epi da 4 pollici per MOS o SBD
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Wafer SOI con substrato silicio su isolante a tre strati per microelettronica e radiofrequenza
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Isolante per wafer SOI su wafer SOI (Silicon-On-Insulator) in silicio da 8 pollici e 6 pollici
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GaN su zaffiro da 6 pollici
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GaN da 50,8 mm e 2 pollici su wafer epi-strato in zaffiro
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GaN da 100 mm e 4 pollici su wafer epi-strato in zaffiro Wafer epitassiale al nitruro di gallio
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GaN da 150 mm 200 mm 6 pollici 8 pollici su wafer epi-strato di silicio Wafer epitassiale al nitruro di gallio
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GaN da 200 mm e 8 pollici su substrato wafer a strato epi in zaffiro
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Wafer LNOI con pellicola monocristallina al niobato di litio da 4 pollici e 6 pollici
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Dima AlN da 50,8 mm/100 mm su NPSS/FSS Dima AlN su zaffiro